FET、MOSFET 阵列

结果 : 2
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
配置
2 N-通道（双）N 和 P 沟道
FET 功能
-逻辑电平门
漏源电压（Vdss）
40V60V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
250mA8.5A（Ta）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
19.4 毫欧 @ 8.5A，10V，16.8 毫欧 @ 8.5A，10V2.4 欧姆 @ 250mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.3V @ 1mA2.5V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
10.6nC @ 20V，51nC @ 20V-
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
15pF @ 25V530pF @ 20V，2870pF @ 20V
功率 - 最大值
150mW2W（Ta）
封装/外壳
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）SOT-563，SOT-666
供应商器件封装
8-SOPEMT6
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
2结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
技术
配置
FET 功能
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
功率 - 最大值
工作温度
安装类型
封装/外壳
供应商器件封装
EMT6_EMT6 PKg
EM6K31T2R
MOSFET 2N-CH 60V 0.25A EMT6
Rohm Semiconductor
24,090
现货
1 : ¥4.10000
剪切带（CT）
8,000 : ¥1.30017
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET（金属氧化物）
2 N-通道（双）
逻辑电平门
60V
250mA
2.4 欧姆 @ 250mA，10V
2.3V @ 1mA
-
15pF @ 25V
150mW
150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-563，SOT-666
EMT6
8-SOIC
SH8MB5TB1
MOSFET N/P-CH 40V 8.5A 8SOP
Rohm Semiconductor
8,432
现货
1 : ¥13.05000
剪切带（CT）
2,500 : ¥5.87806
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET（金属氧化物）
N 和 P 沟道
-
40V
8.5A（Ta）
19.4 毫欧 @ 8.5A，10V，16.8 毫欧 @ 8.5A，10V
2.5V @ 1mA
10.6nC @ 20V，51nC @ 20V
530pF @ 20V，2870pF @ 20V
2W（Ta）
150°C（TJ）
表面贴装型
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
8-SOP
显示
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FET、MOSFET 阵列

场效应晶体管 (FET) 是使用电场控制电流流动的电子器件。向栅极端子施加电压会改变漏极端子和源极端子之间的电导率。FET 也称为单极型晶体管，因为其涉及单载流子类型的操作。也就是说，FET 在操作中使用电子或空穴作为载流子，而不是同时使用两者。场效应晶体管通常在低频下显示出极高的输入阻抗。