栅极驱动器

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卷带(TR)管件
输入类型
反相反相,非反相非反相
上升/下降时间(典型值)
19ns,19ns25ns,25ns
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DigiKey 可编程
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通道类型
驱动器数
栅极类型
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逻辑电压 - VIL,VIH
电流 - 峰值输出(灌入,拉出)
输入类型
上升/下降时间(典型值)
工作温度
安装类型
封装/外壳
供应商器件封装
8-VDFN
TC4428EMF
IC GATE DRVR LOW-SIDE 8DFN
Microchip Technology
0
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420 : ¥7.55302
管件
-
管件
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低端
独立式
2
N 沟道,P 沟道 MOSFET
4.5V ~ 18V
0.8V,2.4V
1.5A,1.5A
反相,非反相
19ns,19ns
-40°C ~ 85°C(TA)
表面贴装型
8-VDFN 裸露焊盘
8-DFN-S(6x5)
8-VDFN
TC4426EMF
IC GATE DRVR LOW-SIDE 8DFN
Microchip Technology
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独立式
2
N 沟道,P 沟道 MOSFET
4.5V ~ 18V
0.8V,2.4V
1.5A,1.5A
反相
19ns,19ns
-40°C ~ 85°C(TA)
表面贴装型
8-VDFN 裸露焊盘
8-DFN-S(6x5)
8-VDFN
TC4427EMF
IC GATE DRVR LOW-SIDE 8DFN
Microchip Technology
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2
N 沟道,P 沟道 MOSFET
4.5V ~ 18V
0.8V,2.4V
1.5A,1.5A
非反相
19ns,19ns
-40°C ~ 85°C(TA)
表面贴装型
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8-VDFN
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2
N 沟道,P 沟道 MOSFET
4.5V ~ 18V
0.8V,2.4V
1.5A,1.5A
反相,非反相
25ns,25ns
-40°C ~ 85°C(TA)
表面贴装型
8-VDFN 裸露焊盘
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8-VDFN
TC4426AEMF
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独立式
2
N 沟道,P 沟道 MOSFET
4.5V ~ 18V
0.8V,2.4V
1.5A,1.5A
反相
25ns,25ns
-40°C ~ 85°C(TA)
表面贴装型
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8-VDFN
TC4427AEMF
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2
N 沟道,P 沟道 MOSFET
4.5V ~ 18V
0.8V,2.4V
1.5A,1.5A
非反相
25ns,25ns
-40°C ~ 85°C(TA)
表面贴装型
8-VDFN 裸露焊盘
8-DFN-S(6x5)
8-VDFN
TC4427EMF713
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3,300 : ¥8.29195
卷带(TR)
-
卷带(TR)
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2
N 沟道,P 沟道 MOSFET
4.5V ~ 18V
0.8V,2.4V
1.5A,1.5A
非反相
19ns,19ns
-40°C ~ 85°C(TA)
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8-VDFN
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独立式
2
N 沟道,P 沟道 MOSFET
4.5V ~ 18V
0.8V,2.4V
1.5A,1.5A
反相,非反相
25ns,25ns
-40°C ~ 85°C(TA)
表面贴装型
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8-VDFN
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独立式
2
N 沟道,P 沟道 MOSFET
4.5V ~ 18V
0.8V,2.4V
1.5A,1.5A
反相
19ns,19ns
-40°C ~ 85°C(TA)
表面贴装型
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8-VDFN
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独立式
2
N 沟道,P 沟道 MOSFET
4.5V ~ 18V
0.8V,2.4V
1.5A,1.5A
反相,非反相
19ns,19ns
-40°C ~ 85°C(TA)
表面贴装型
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8-VDFN
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3,300 : ¥9.11293
卷带(TR)
-
卷带(TR)
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低端
独立式
2
N 沟道,P 沟道 MOSFET
4.5V ~ 18V
0.8V,2.4V
1.5A,1.5A
反相
25ns,25ns
-40°C ~ 85°C(TA)
表面贴装型
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8-DFN-S(6x5)
8-VDFN
TC4427AEMF713
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2
N 沟道,P 沟道 MOSFET
4.5V ~ 18V
0.8V,2.4V
1.5A,1.5A
非反相
25ns,25ns
-40°C ~ 85°C(TA)
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8-VDFN 裸露焊盘
8-DFN-S(6x5)
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栅极驱动器


栅极驱动器电源管理集成电路 (PMIC) 可用于提供隔离、放大、参考位移、自举或其他必要功能,这些功能可将来自电源转换应用中控制设备的信号连接到电源被控制通过的半导体设备(通常为 FET 或 IGBT)。任何特定设备提供的确切功能各不相同,但与它适合驱动的半导体配置相关。