栅极驱动器

结果 : 4
制造商
Infineon TechnologiesTexas Instruments
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
栅极类型
IGBT，N 沟道 MOSFETN 沟道 MOSFET
电压 - 供电
7V ~ 17V8V ~ 17V10V ~ 20V
逻辑电压 - VIL，VIH
0.8V，2.5V1.2V，2.55V1.3V，2.7V1.6V，2.3V
输入类型
CMOS，TTL非反相
高压侧电压 - 最大值（自举）
120 V600 V
上升/下降时间（典型值）
7.2ns，5.5ns7.8ns，6ns22ns，18ns
工作温度
-40°C ~ 140°C（TJ）-40°C ~ 150°C（TJ）
封装/外壳
8-PowerSOIC（0.154"，3.90mm 宽）8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商器件封装
8-SO-PowerPad8-SOIC
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
4结果
显示
/ 4
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
DigiKey 可编程
驱动配置
通道类型
驱动器数
栅极类型
电压 - 供电
逻辑电压 - VIL，VIH
电流 - 峰值输出（灌入，拉出）
输入类型
高压侧电压 - 最大值（自举）
上升/下降时间（典型值）
工作温度
等级
资质
安装类型
封装/外壳
供应商器件封装
IRS21867STRPBF
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
Infineon Technologies
3,616
现货
1 : ¥17.49000
剪切带（CT）
2,500 : ¥8.01270
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
未验证
半桥
独立式
2
IGBT，N 沟道 MOSFET
10V ~ 20V
0.8V，2.5V
4A，4A
CMOS，TTL
600 V
22ns，18ns
-40°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
8-SOIC
8-HSOP
UCC27211AQDDARQ1
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOPWR
Texas Instruments
28,226
现货
1 : ¥19.81000
剪切带（CT）
2,500 : ¥9.06447
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
未验证
半桥
独立式
2
N 沟道 MOSFET
8V ~ 17V
1.2V，2.55V
4A，4A
非反相
120 V
7.2ns，5.5ns
-40°C ~ 140°C（TJ）
汽车级
AEC-Q100
表面贴装型
8-PowerSOIC（0.154"，3.90mm 宽）
8-SO-PowerPad
8-SOIC
UCC27211DR
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
Texas Instruments
2,349
现货
1 : ¥16.83000
剪切带（CT）
2,500 : ¥6.60449
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
未验证
半桥
独立式
2
N 沟道 MOSFET
8V ~ 17V
1.3V，2.7V
4A，4A
非反相
120 V
7.2ns，5.5ns
-40°C ~ 140°C（TJ）
-
-
表面贴装型
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
8-SOIC
8-HSOP
UCC27212AQDDARQ1
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOPWR
Texas Instruments
6,032
现货
1 : ¥40.72000
剪切带（CT）
2,500 : ¥20.45267
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
未验证
半桥
独立式
2
N 沟道 MOSFET
7V ~ 17V
1.6V，2.3V
4A，4A
非反相
-
7.8ns，6ns
-40°C ~ 140°C（TJ）
汽车级
AEC-Q100
表面贴装型
8-PowerSOIC（0.154"，3.90mm 宽）
8-SO-PowerPad
显示
/ 4

栅极驱动器

栅极驱动器电源管理集成电路 (PMIC) 可用于提供隔离、放大、参考位移、自举或其他必要功能，这些功能可将来自电源转换应用中控制设备的信号连接到电源被控制通过的半导体设备（通常为 FET 或 IGBT）。任何特定设备提供的确切功能各不相同，但与它适合驱动的半导体配置相关。