栅极驱动器

结果 : 3
系列
-EiceDriver™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）管件
产品状态
最后售卖在售
驱动配置
半桥高端
通道类型
单路独立式
驱动器数
12
栅极类型
IGBTIGBT，N 沟道 MOSFET
电压 - 供电
0V ~ 18V12V ~ 20V13V ~ 20V
逻辑电压 - VIL，VIH
0.8V，2.2V1.5V，3.5V6V，9.5V
电流 - 峰值输出（灌入，拉出）
1.6A，3.3A2A，2.5A2A，2A
输入类型
反相，非反相非反相
高压侧电压 - 最大值（自举）
500 V1200 V
上升/下降时间（典型值）
25ns，17ns30ns，50ns43ns，26ns
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-40°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型通孔
封装/外壳
8-DIP（0.300"，7.62mm）14-DIP（0.300"，7.62mm）36-BSSOP（0.295"，7.50mm 宽），32 引线
供应商器件封装
8-PDIP14-DIPPG-DSO-36-58
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
3结果
显示
/ 3
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
DigiKey 可编程
驱动配置
通道类型
驱动器数
栅极类型
电压 - 供电
逻辑电压 - VIL，VIH
电流 - 峰值输出（灌入，拉出）
输入类型
高压侧电压 - 最大值（自举）
上升/下降时间（典型值）
工作温度
安装类型
封装/外壳
供应商器件封装
8-DIP
IR2125PBF
IC GATE DRVR HIGH-SIDE 8DIP
Infineon Technologies
2,999
现货
1 : ¥33.24000
管件
-
管件
在售
未验证
高端
单路
1
IGBT，N 沟道 MOSFET
0V ~ 18V
0.8V，2.2V
1.6A，3.3A
非反相
500 V
43ns，26ns
-40°C ~ 150°C（TJ）
通孔
8-DIP（0.300"，7.62mm）
8-PDIP
PG-DSO-36-58
2ED020I12F2XUMA1
IC GATE DRVR HALF-BRIDG DSO36-58
Infineon Technologies
7,033
现货
1 : ¥37.41000
剪切带（CT）
1,000 : ¥27.65446
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
未验证
半桥
独立式
2
IGBT
13V ~ 20V
1.5V，3.5V
2A，2A
反相，非反相
1200 V
30ns，50ns
-40°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
36-BSSOP（0.295"，7.50mm 宽），32 引线
PG-DSO-36-58
14-DIP
IR2213PBF
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 14DIP
Infineon Technologies
1,852
现货
1 : ¥65.97000
管件
-
管件
最后售卖
未验证
半桥
独立式
2
IGBT，N 沟道 MOSFET
12V ~ 20V
6V，9.5V
2A，2.5A
非反相
1200 V
25ns，17ns
-55°C ~ 150°C（TJ）
通孔
14-DIP（0.300"，7.62mm）
14-DIP
显示
/ 3

栅极驱动器

栅极驱动器电源管理集成电路 (PMIC) 可用于提供隔离、放大、参考位移、自举或其他必要功能，这些功能可将来自电源转换应用中控制设备的信号连接到电源被控制通过的半导体设备（通常为 FET 或 IGBT）。任何特定设备提供的确切功能各不相同，但与它适合驱动的半导体配置相关。