IGBT 模块

结果 : 6
系列
-CPrimePACK™2
包装
托盘散装
产品状态
停产在售
配置
2 个独立式半桥单斩波器
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）
75 A100 A150 A225 A320 A
功率 - 最大值
395 W555 W780 W790 W1100 W
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）
2.15V @ 15V，100A2.15V @ 15V，150A2.15V @ 15V，200A2.15V @ 15V，75A
电流 - 集电极截止（最大值）
1 mA5 mA
不同 Vce 时输入电容 (Cies)
4.3 nF @ 25 V9.3 nF @ 25 V11 nF @ 25 V14 nF @ 25 V630 nF @ 25 V
工作温度
-40°C ~ 125°C-40°C ~ 150°C-40°C ~ 150°C（TJ）
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
6结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
IGBT 类型
配置
电压 - 集射极击穿（最大值）
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）
功率 - 最大值
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）
电流 - 集电极截止（最大值）
不同 Vce 时输入电容 (Cies)
输入
NTC 热敏电阻
工作温度
安装类型
封装/外壳
供应商器件封装
0
现货
811
市场
10 : ¥774.26700
托盘
-
散装
托盘
停产
沟槽型场截止
单斩波器
1200 V
150 A
790 W
2.15V @ 15V，150A
1 mA
9.3 nF @ 25 V
标准
无
-40°C ~ 150°C
底座安装
模块
模块
IGBT MODULE C SERIES
FF200R12KT4HOSA1
IGBT MOD 1200V 320A 1100W
Infineon Technologies
9
现货
1 : ¥777.22000
托盘
托盘
在售
沟槽型场截止
半桥
1200 V
320 A
1100 W
2.15V @ 15V，200A
5 mA
14 nF @ 25 V
标准
无
-40°C ~ 150°C（TJ）
底座安装
模块
模块
9
现货
1 : ¥925.82000
托盘
托盘
在售
沟槽型场截止
单斩波器
1200 V
225 A
780 W
2.15V @ 15V，150A
5 mA
11 nF @ 25 V
标准
无
-40°C ~ 125°C
底座安装
模块
模块
0
现货
10 : ¥683.68800
托盘
托盘
停产
沟槽型场截止
2 个独立式
1200 V
75 A
395 W
2.15V @ 15V，75A
1 mA
4.3 nF @ 25 V
标准
无
-40°C ~ 150°C
底座安装
模块
模块
0
现货
10 : ¥778.72500
托盘
-
托盘
停产
沟槽型场截止
2 个独立式
1200 V
100 A
555 W
2.15V @ 15V，100A
1 mA
630 nF @ 25 V
标准
无
-40°C ~ 150°C
底座安装
模块
模块
0
现货
10 : ¥861.98800
托盘
托盘
停产
沟槽型场截止
半桥
1200 V
150 A
790 W
2.15V @ 15V，150A
1 mA
-
标准
无
-40°C ~ 150°C（TJ）
底座安装
模块
模块
显示
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IGBT 模块

绝缘栅双极晶体管 (IGBT) 是三端功率半导体器件，主要用作电子开关，兼具高效率和快速切换优点。作为模块，IGBT 配置为非对称式桥； 升压、降压和制动斩波器；全桥、三电平和三相逆变器。有些器件内置了用于监控温度的 NTC 热敏电阻。IGBT 模块可根据最大功率、集电极电流、集射击穿电压和配置进行区分。