单 IGBT

结果 : 9
制造商
Infineon TechnologiesSTMicroelectronics
系列
-HBM
包装
散装管件
IGBT 类型
-沟槽型场截止
电压 - 集射极击穿（最大值）
600 V650 V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）
60 A80 A83 A86 A120 A
电流 - 集电极脉冲 (Icm)
120 A150 A160 A225 A240 A
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）
1.6V @ 15V，40A2V @ 15V，30A2V @ 15V，40A2V @ 15V，50A2.1V @ 15V，50A2.1V @ 15V，75A2.3V @ 15V，60A
功率 - 最大值
210 W258 W272 W283 W375 W468 W
开关能量
300µJ（开），960µJ（关）363µJ（关）498µJ（开），363µJ（关）690µJ（开），2.54mJ（关）880µJ（开），1.57mJ（关）910µJ（开），580µJ（关）1.09mJ（开），626µJ（关）1.1mJ（开），420µJ（关）
栅极电荷
80 nC150 nC151 nC159 nC210 nC225 nC306 nC
25°C 时 Td（开/关）值
17ns/211ns28ns/115ns31.6ns/115ns40ns/142ns42ns/130ns47ns/125ns51ns/160ns-/142ns
测试条件
400V，30A，10 欧姆，15V400V，40A，10 欧姆，15V400V，40A，5 欧姆，15V400V，50A，4.7 欧姆，15V400V，50A，6.8 欧姆，15V400V，60A，5 欧姆，15V400V，75A，3.3 欧姆，15V
反向恢复时间 (trr)
62 ns92 ns99 ns140 ns162 ns165 ns
工作温度
-55°C ~ 175°C（TJ）-40°C ~ 175°C（TJ）
供应商器件封装
PG-TO247-3TO-247TO-247 长引线TO-247-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
9结果
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/ 9
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
IGBT 类型
电压 - 集射极击穿（最大值）
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）
电流 - 集电极脉冲 (Icm)
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）
功率 - 最大值
开关能量
输入类型
栅极电荷
25°C 时 Td（开/关）值
测试条件
反向恢复时间 (trr)
工作温度
安装类型
封装/外壳
供应商器件封装
TO-247-3 HiP
STGW40H60DLFB
IGBT 600V 80A 283W TO-247
STMicroelectronics
540
现货
1 : ¥37.35000
管件
-
管件
在售
沟槽型场截止
600 V
80 A
160 A
2V @ 15V，40A
283 W
363µJ（关）
标准
210 nC
-/142ns
400V，40A，10 欧姆，15V
-
-55°C ~ 175°C（TJ）
通孔
TO-247-3
TO-247
TO-247-3 HiP
STGW30M65DF2
IGBT TRENCH FS 650V 60A TO247-3
STMicroelectronics
153
现货
1 : ¥18.31000
管件
-
管件
在售
沟槽型场截止
650 V
60 A
120 A
2V @ 15V，30A
258 W
300µJ（开），960µJ（关）
标准
80 nC
31.6ns/115ns
400V，30A，10 欧姆，15V
140 ns
-55°C ~ 175°C（TJ）
通孔
TO-247-3
TO-247-3
TO-247-3 HiP
STGW60H65FB
IGBT TRENCH FS 650V 80A TO247
STMicroelectronics
473
现货
1 : ¥24.30000
管件
-
管件
在售
沟槽型场截止
650 V
80 A
240 A
2.3V @ 15V，60A
375 W
1.09mJ（开），626µJ（关）
标准
306 nC
51ns/160ns
400V，60A，5 欧姆，15V
-
-55°C ~ 175°C（TJ）
通孔
TO-247-3
TO-247
166
现货
1 : ¥24.63000
管件
-
管件
在售
-
650 V
83 A
120 A
1.6V @ 15V，40A
210 W
1.1mJ（开），420µJ（关）
标准
159 nC
17ns/211ns
400V，40A，10 欧姆，15V
99 ns
-40°C ~ 175°C（TJ）
通孔
TO-247-3
PG-TO247-3
TO-247-3 EP Long Lead
STGW40H65DFB
IGBT TRENCH FS 650V 80A TO247
STMicroelectronics
585
现货
1 : ¥32.92000
管件
-
管件
在售
沟槽型场截止
650 V
80 A
160 A
2V @ 15V，40A
283 W
498µJ（开），363µJ（关）
标准
210 nC
40ns/142ns
400V，40A，5 欧姆，15V
62 ns
-55°C ~ 175°C（TJ）
通孔
TO-247-3
TO-247
TO-247-3 EP Long Lead
STGWA75M65DF2
TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT M SE
STMicroelectronics
520
现货
1 : ¥55.83000
管件
管件
在售
沟槽型场截止
650 V
120 A
225 A
2.1V @ 15V，75A
468 W
690µJ（开），2.54mJ（关）
标准
225 nC
47ns/125ns
400V，75A，3.3 欧姆，15V
165 ns
-55°C ~ 175°C（TJ）
通孔
TO-247-3
TO-247 长引线
TO-247-3
STGWA50M65DF2
TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT M SE
STMicroelectronics
400
现货
1 : ¥39.32000
管件
管件
在售
沟槽型场截止
650 V
80 A
150 A
2.1V @ 15V，50A
375 W
880µJ（开），1.57mJ（关）
标准
150 nC
42ns/130ns
400V，50A，6.8 欧姆，15V
162 ns
-55°C ~ 175°C（TJ）
通孔
TO-247-3
TO-247 长引线
240
现货
1 : ¥29.80000
散装
-
散装
在售
沟槽型场截止
650 V
86 A
150 A
2V @ 15V，50A
272 W
910µJ（开），580µJ（关）
标准
151 nC
28ns/115ns
400V，50A，4.7 欧姆，15V
92 ns
-55°C ~ 175°C（TJ）
通孔
TO-247-3
TO-247 长引线
2
现货
1 : ¥23.23000
管件
管件
在售
沟槽型场截止
650 V
80 A
160 A
2V @ 15V，40A
283 W
498µJ（开），363µJ（关）
标准
210 nC
40ns/142ns
400V，40A，5 欧姆，15V
-
-55°C ~ 175°C（TJ）
通孔
TO-247-3
TO-247 长引线
显示
/ 9

单 IGBT

单 IGBT（绝缘栅双极晶体管）是一种具有三个端子的多层半导体器件，能够处理大电流，具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。