单 IGBT

结果 : 4
制造商
Fairchild Semiconductoronsemi
系列
-*
包装
散装管件
产品状态
停产在售
IGBT 类型
场截止沟槽型场截止
电压 - 集射极击穿(最大值)
600 V1200 V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值)
40 A80 A160 A
电流 - 集电极脉冲 (Icm)
60 A120 A160 A
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
1.95V @ 15V,40A2.5V @ 15V,40A2.8V @ 15V,20A
功率 - 最大值
165 W349 W454 W
开关能量
370µJ(开),160µJ(关)920µJ(开),300µJ(关)1.4mJ(开),1.1mJ(关)
栅极电荷
65 nC180 nC221 nC
25°C 时 Td(开/关)值
13ns/90ns18ns/110ns46ns/220ns
测试条件
400V,20A,10 欧姆,15V400V,40A,6 欧姆,15V600V,40A,10 欧姆,15V
反向恢复时间 (trr)
34 ns47 ns166 ns
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)-55°C ~ 175°C(TJ)
封装/外壳
TO-247-3TO-247-4
供应商器件封装
TO-247-3TO-247-4L
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
4结果

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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
IGBT 类型
电压 - 集射极击穿(最大值)
电流 - 集电极 (Ic)(最大值)
电流 - 集电极脉冲 (Icm)
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
功率 - 最大值
开关能量
输入类型
栅极电荷
25°C 时 Td(开/关)值
测试条件
反向恢复时间 (trr)
工作温度
等级
资质
安装类型
封装/外壳
供应商器件封装
TO-247-3 AD EP
FGH40N60SMD-F085
IGBT 600V 80A 349W TO-247-3
onsemi
237
现货
1 : ¥51.89000
管件
-
管件
在售
场截止
600 V
80 A
120 A
2.5V @ 15V,40A
349 W
920µJ(开),300µJ(关)
标准
180 nC
18ns/110ns
400V,40A,6 欧姆,15V
47 ns
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
通孔
TO-247-3
TO-247-3
TO-247-4
FGH40T120SQDNL4
IGBT 1200V 40A UFS FOR SO
onsemi
328
现货
1 : ¥51.15000
管件
-
管件
在售
沟槽型场截止
1200 V
160 A
160 A
1.95V @ 15V,40A
454 W
1.4mJ(开),1.1mJ(关)
标准
221 nC
46ns/220ns
600V,40A,10 欧姆,15V
166 ns
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
通孔
TO-247-4
TO-247-4L
TO-247-3 AD EP
FGH20N60SFDTU
IGBT FIELD STOP 600V 40A TO247-3
onsemi
103
现货
1 : ¥30.13000
管件
-
管件
停产
场截止
600 V
40 A
60 A
2.8V @ 15V,20A
165 W
370µJ(开),160µJ(关)
标准
65 nC
13ns/90ns
400V,20A,10 欧姆,15V
34 ns
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
通孔
TO-247-3
TO-247-3
2,156
市场
不可用
对您所选的货币不可用
*
散装
在售
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单 IGBT


单 IGBT(绝缘栅双极晶体管)是一种具有三个端子的多层半导体器件,能够处理大电流,具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。