RF FET，MOSFET

结果 : 7
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）托盘
产品状态
不适用于新设计在售
频率
0Hz ~ 6GHz5.5GHz ~ 5.8GHz6GHz8GHz
增益
10dB12dB13dB14.5dB15dB16dB16.7dB
电压 - 测试
28 V50 V
额定电流（安培）
3A3.5A4.2A-
电流 - 测试
100 mA150 mA200 mA250 mA
功率 - 输出
8W10W12.5W30W-
电压 - 额定
84 V120 V125 V
安装类型
底座安装表面贴装型
封装/外壳
6-VDFN 裸露焊盘440109440166440196
供应商器件封装
6-QFN-EP（3x3）440109440166440196
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
7结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
技术
频率
增益
电压 - 测试
额定电流（安培）
噪声系数
电流 - 测试
功率 - 输出
电压 - 额定
安装类型
封装/外壳
供应商器件封装
488
现货
1 : ¥413.43000
剪切带（CT）
200 : ¥348.29545
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
HEMT
0Hz ~ 6GHz
12dB
28 V
-
-
100 mA
8W
84 V
-
6-VDFN 裸露焊盘
6-QFN-EP（3x3）
CG2H40025F
CG2H40025F
RF MOSFET HEMT 28V 440166
MACOM Technology Solutions
8
现货
1 : ¥1,291.52000
托盘
托盘
在售
HEMT
6GHz
15dB
28 V
-
-
250 mA
-
120 V
底座安装
440166
440166
CGHV40030F
CGHV40030F
RF MOSFET HEMT 50V 440166
MACOM Technology Solutions
15
现货
1 : ¥1,586.24000
托盘
托盘
在售
HEMT
0Hz ~ 6GHz
16dB
50 V
4.2A
-
150 mA
30W
125 V
-
440166
440166
CGH40006P
CGH40006P
RF MOSFET HEMT 28V 440109
MACOM Technology Solutions
0
现货
查看交期
1 : ¥674.25000
托盘
托盘
在售
HEMT
0Hz ~ 6GHz
13dB
28 V
3.5A
-
100 mA
8W
84 V
-
440109
440109
CGH40010F
CGH40010F
RF MOSFET HEMT 28V 440166
MACOM Technology Solutions
0
现货
1 : ¥809.05000
托盘
托盘
不适用于新设计
HEMT
0Hz ~ 6GHz
14.5dB
28 V
3.5A
-
200 mA
12.5W
84 V
-
440166
440166
CGH55030F1
CGH55030F1
RF MOSFET HEMT 28V 440166
MACOM Technology Solutions
0
现货
查看交期
1 : ¥1,182.25000
托盘
托盘
在售
HEMT
5.5GHz ~ 5.8GHz
10dB
28 V
3A
-
250 mA
30W
84 V
-
440166
440166
CG2H40010P
CG2H40010P
RF MOSFET HEMT 28V 440196
MACOM Technology Solutions
0
现货
查看交期
250 : ¥519.08012
托盘
托盘
在售
HEMT
8GHz
16.7dB
28 V
-
-
200 mA
10W
120 V
表面贴装型
440196
440196
显示
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RF FET，MOSFET

射频晶体管、FET 和 MOSFET 是具有三个端子的半导体器件，器件中电流受电场控制。该系列器件用于涉及射频的设备。用于放大或切换信号或功率的晶体管类型包括：E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 沟道、P 沟道、pHEMT、碳化硅、2 N 沟道和 4 N 沟道。