RF FET，MOSFET

结果 : 6
制造商
CELMini-CircuitsSkyworks Solutions Inc.
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）带
技术
E-pHEMTpHEMT FET
频率
45MHz ~ 6GHz2.4GHz12GHz20GHz
增益
11.9dB12.2dB13.7dB13.8dB15.5dB23.2dB
电压 - 测试
2 V3 V
额定电流（安培）
15mA55mA68mA-
噪声系数
0.4dB0.5dB0.62dB0.8dB1.05dB1.9dB
电流 - 测试
10 mA15 mA20 mA60 mA
功率 - 输出
125mW10.5dBm21.5dB
电压 - 额定
4 V5 V6 V
封装/外壳
4-Micro-X4-SMD，扁平引线SC-82A，SOT-343
供应商器件封装
4 个超微型模具4-Micro-XMMM1362SC-70-4
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
6结果
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/ 6
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
技术
频率
增益
电压 - 测试
额定电流（安培）
噪声系数
电流 - 测试
功率 - 输出
电压 - 额定
等级
资质
安装类型
封装/外壳
供应商器件封装
Flat Lead 4-Pin Thin-Type Super Minimold
CE3514M4-C2
RF MOSFET PHEMT FET 2V 4MINIMOLD
CEL
70,839
现货
1 : ¥7.06000
剪切带（CT）
15,000 : ¥2.74747
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
pHEMT FET
12GHz
12.2dB
2 V
68mA
0.62dB
15 mA
125mW
4 V
-
-
-
4-SMD，扁平引线
4 个超微型模具
Micro-X Plastic Package
CE3512K2-C1
RF MOSFET PHEMT FET 2V 4MICROX
CEL
23,168
现货
1 : ¥12.16000
剪切带（CT）
10,000 : ¥4.72565
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
pHEMT FET
12GHz
13.7dB
2 V
15mA
0.5dB
10 mA
125mW
4 V
-
-
-
4-Micro-X
4-Micro-X
Micro-X Plastic Package
CE3520K3-C1
RF MOSFET PHEMT FET 2V 4MICROX
CEL
8,793
现货
1 : ¥15.98000
剪切带（CT）
10,000 : ¥6.76135
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
pHEMT FET
20GHz
13.8dB
2 V
15mA
0.8dB
10 mA
125mW
4 V
-
-
-
4-Micro-X
4-Micro-X
SOT-343 PKG
SKY65050-372LF
RF MOSFET PHEMT FET 3V SC70-4
Skyworks Solutions Inc.
66,128
现货
1 : ¥17.73000
剪切带（CT）
3,000 : ¥8.12659
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
pHEMT FET
2.4GHz
15.5dB
3 V
55mA
0.4dB
20 mA
10.5dBm
6 V
-
-
表面贴装型
SC-82A，SOT-343
SC-70-4
SAV-331+
SAV-541+
RF MOSFET E-PHEMT 3V MMM1362
Mini-Circuits
5,807
现货
1 : ¥21.26000
剪切带（CT）
3,000 : ¥14.28466
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
E-pHEMT
45MHz ~ 6GHz
23.2dB
3 V
-
1.9dB
60 mA
21.5dB
5 V
-
-
表面贴装型
SC-82A，SOT-343
MMM1362
Flat Lead 4-Pin Thin-Type Super Minimold
CE3521M4
RF MOSFET PHEMT FET 2V 4MINIMOLD
CEL
0
现货
查看交期
200 : ¥9.18400
带
-
带
在售
pHEMT FET
20GHz
11.9dB
2 V
15mA
1.05dB
10 mA
125mW
4 V
-
-
-
SC-82A，SOT-343
4 个超微型模具
显示
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RF FET，MOSFET

射频晶体管、FET 和 MOSFET 是具有三个端子的半导体器件，器件中电流受电场控制。该系列器件用于涉及射频的设备。用于放大或切换信号或功率的晶体管类型包括：E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 沟道、P 沟道、pHEMT、碳化硅、2 N 沟道和 4 N 沟道。