RF FET,MOSFET

结果 : 7
制造商
Ampleon USA Inc.STMicroelectronics
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)管件
频率
500MHz945MHz1.3GHz
增益
14dB14.3dB15dB17dB19dB23.5dB
电压 - 测试
12.5 V28 V32 V
额定电流(安培)
1.4µA2.5A4A5A7A
电流 - 测试
50 mA100 mA150 mA200 mA250 mA
功率 - 输出
3W8W30W45W60W70W
电压 - 额定
40 V65 V
封装/外壳
8-PowerVDFNM243PowerSO-10 裸露底部焊盘SOT-1483-1
供应商器件封装
10-PowerSOM243PowerFLAT™(5x5)SOT1483-1
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
7结果

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/ 7
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
技术
配置
频率
增益
电压 - 测试
额定电流(安培)
噪声系数
电流 - 测试
功率 - 输出
电压 - 额定
安装类型
封装/外壳
供应商器件封装
8PowerVDFN
PD55003L-E
RF MOSFET LDMOS 12.5V POWERFLAT
STMicroelectronics
12,540
现货
1 : ¥65.10000
剪切带(CT)
3,000 : ¥35.57226
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
LDMOS
-
500MHz
19dB
12.5 V
2.5A
-
50 mA
3W
40 V
-
8-PowerVDFN
PowerFLAT™(5x5)
1603; SOT1483-1; ; 2
BLP15M9S70GZ
RF MOSFET LDMOS 32V SOT1483-1
Ampleon USA Inc.
270
现货
1 : ¥200.98000
剪切带(CT)
500 : ¥143.72182
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
LDMOS
双,共源
1.3GHz
23.5dB
32 V
1.4µA
-
200 mA
70W
65 V
表面贴装型
SOT-1483-1
SOT1483-1
PowerSO-10RF (Formed Lead)
PD57030-E
RF MOSFET LDMOS 28V POWERSO10
STMicroelectronics
714
现货
1 : ¥370.43000
管件
-
管件
在售
LDMOS
-
945MHz
14dB
28 V
4A
-
50 mA
30W
65 V
-
PowerSO-10 裸露底部焊盘
10-PowerSO
PowerSO-10RF (Formed Lead)
PD55008-E
RF MOSFET LDMOS 12.5V POWERSO10
STMicroelectronics
313
现货
1 : ¥139.07000
管件
-
管件
在售
LDMOS
-
500MHz
17dB
12.5 V
4A
-
150 mA
8W
40 V
-
PowerSO-10 裸露底部焊盘
10-PowerSO
M243
SD57045
RF MOSFET LDMOS 28V M243
STMicroelectronics
14
现货
1 : ¥701.20000
-
在售
LDMOS
-
945MHz
15dB
28 V
5A
-
250 mA
45W
65 V
-
M243
M243
PowerSO-10RF (Straight Lead)
PD55003TR-E
RF MOSFET LDMOS 12.5V POWERSO10
STMicroelectronics
0
现货
查看交期
1 : ¥97.94000
剪切带(CT)
600 : ¥63.76103
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
LDMOS
-
500MHz
17dB
12.5 V
2.5A
-
50 mA
3W
40 V
-
PowerSO-10 裸露底部焊盘
10-PowerSO
PowerSO-10RF (Formed Lead)
PD57060-E
RF MOSFET LDMOS 28V POWERSO10
STMicroelectronics
0
现货
查看交期
1 : ¥446.94000
管件
-
管件
在售
LDMOS
-
945MHz
14.3dB
28 V
7A
-
100 mA
60W
65 V
-
PowerSO-10 裸露底部焊盘
10-PowerSO
显示
/ 7

RF FET,MOSFET


射频晶体管、FET 和 MOSFET 是具有三个端子的半导体器件,器件中电流受电场控制。该系列器件用于涉及射频的设备。用于放大或切换信号或功率的晶体管类型包括:E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 沟道、P 沟道、pHEMT、碳化硅、2 N 沟道和 4 N 沟道。