FET、MOSFET 阵列
结果 : 2
包装
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
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比较 | 制造商零件编号 | 现有数量 | 价格 | 系列 | 包装 | 产品状态 | 技术 | 配置 | FET 功能 | 漏源电压(Vdss) | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 功率 - 最大值 | 工作温度 | 安装类型 | 封装/外壳 | 供应商器件封装 |
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0 现货 | 在售 | 卷带(TR) | 在售 | MOSFET(金属氧化物) | 2 N-通道(双) | - | 60V | 3.8A | 57 毫欧 @ 1.9A,10V | 2.3V @ 100µA | 11nC @ 10V | 640pF @ 10V | 1.5W(Ta) | 150°C | 表面贴装型 | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) | 8-SOP | |||
0 现货 | 在售 | 散装 | 在售 | MOSFET(金属氧化物) | 2 N-通道(双) | - | 40V | 5.1A | 33 毫欧 @ 2.6A,10V | 2.3V @ 100µA | 10nC @ 10V | 640pF @ 10V | 1.5W(Ta) | 150°C | 表面贴装型 | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) | 8-SOP |
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