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FET、MOSFET 阵列
结果 : 5
制造商
包装
产品状态
配置
FET 功能
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
功率 - 最大值
工作温度
封装/外壳
供应商器件封装
库存选项
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市场产品
5结果
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Sort By: 精选
比较 | 制造商零件编号 | 现有数量 | 价格 | 系列 | 包装 | 产品状态 | 技术 | 配置 | FET 功能 | 漏源电压（Vdss） | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 功率 - 最大值 | 工作温度 | 安装类型 | 封装/外壳 | 供应商器件封装 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | 803 现货 | 1 : ¥20.94000 管件 | - | 管件 | 在售 | MOSFET（金属氧化物） | 2 N-通道（双） | - | 150V | 8.7A（Tc） | 95 毫欧 @ 5.2A，10V | 4.9V @ 50µA | 20nC @ 10V | 810pF @ 25V | 18W（Tc） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 通孔 | TO-220-5 全封装，成形引线 | TO-220-5 整包 | |
| 1,305 现货 | 1 : ¥23.40000 管件 | - | 管件 | 在售 | MOSFET（金属氧化物） | 2 N-通道（双） | - | 200V | 9.1A（Tc） | 100 毫欧 @ 5.5A，10V | 4.9V @ 100µA | 29nC @ 10V | 1240pF @ 25V | 21W（Tc） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 通孔 | TO-220-5 全封装，成形引线 | TO-220-5 整包 | |
 | 212 现货 | 1 : ¥51.48000 管件 | - | 管件 | 不适用于新设计 | MOSFET（金属氧化物） | 5 P 沟道，共源 | 逻辑电平门 | 60V | 5A | 220 毫欧 @ 3A，10V | 2V @ 250µA | - | 790pF @ 10V | 5W | 150°C（TJ） | 通孔 | 12-SIP 裸露接片 | 12-SIP | |
 | 765 现货 | 1 : ¥51.89000 管件 | - | 管件 | 在售 | MOSFET（金属氧化物） | 4 个 N 通道 | - | 20V | 50mA（Ta） | 70 欧姆 @ 1mA，5V | 1.5V @ 1µA | - | - | 500mW（Ta） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 通孔 | 16-DIP（0.300"，7.62mm） | 16-DIP | |
| 0 现货 查看交期 | 1,080 : ¥50.93302 散装 | - | 散装 | 在售 | MOSFET（金属氧化物） | 3 个 N 沟道和 3 个 P 沟道（3 相桥式） | 逻辑电平门 | 60V | 10A | 140 毫欧 @ 5A，4V | - | - | 460pF @ 10V，1200pF @ 10V | 5W | 150°C（TJ） | 通孔 | 12-SIP 裸露接片 | 12-SIP |
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