FET、MOSFET 阵列

结果 : 2
制造商
Micro Commercial Coonsemi
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
配置
2 N-通道（双）N 和 P 沟道
FET 功能
-逻辑电平门
漏源电压（Vdss）
25V60V，50V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
115mA，130mA220mA
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
2欧姆 @ 500mA，10V，10欧姆 @ 100mA，5V4 欧姆 @ 220mA，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1.5V @ 250µA2.5V @ 250µA，2V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
0.4nC @ 4.5V-
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
9.5pF @ 10V50pF @ 25V，30pF @ 25V
功率 - 最大值
200mW300mW
供应商器件封装
SC-88（SC-70-6）SOT-363
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
2结果
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/ 2
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
技术
配置
FET 功能
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
功率 - 最大值
工作温度
安装类型
封装/外壳
供应商器件封装
SOT 363
FDG6301N
MOSFET 2N-CH 25V 0.22A SC88
onsemi
67,467
现货
1 : ¥3.45000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.15457
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET（金属氧化物）
2 N-通道（双）
逻辑电平门
25V
220mA
4 欧姆 @ 220mA，4.5V
1.5V @ 250µA
0.4nC @ 4.5V
9.5pF @ 10V
300mW
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
6-TSSOP，SC-88，SOT-363
SC-88（SC-70-6）
SOT 363
BSS8402DW-TP
MOSFET N/P-CH 60V/50V SOT363
Micro Commercial Co
1,693
现货
1 : ¥3.28000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.88242
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET（金属氧化物）
N 和 P 沟道
-
60V，50V
115mA，130mA
2欧姆 @ 500mA，10V，10欧姆 @ 100mA，5V
2.5V @ 250µA，2V @ 250µA
-
50pF @ 25V，30pF @ 25V
200mW
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
6-TSSOP，SC-88，SOT-363
SOT-363
显示
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FET、MOSFET 阵列

场效应晶体管 (FET) 是使用电场控制电流流动的电子器件。向栅极端子施加电压会改变漏极端子和源极端子之间的电导率。FET 也称为单极型晶体管，因为其涉及单载流子类型的操作。也就是说，FET 在操作中使用电子或空穴作为载流子，而不是同时使用两者。场效应晶体管通常在低频下显示出极高的输入阻抗。