FET、MOSFET 阵列

结果 : 2
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
2.5A4.8A
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
40 毫欧 @ 4.8A，10V95 毫欧 @ 2.5A，10V
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
3.2nC @ 5V5.6nC @ 5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
220pF @ 15V465pF @ 15V
功率 - 最大值
700mW750mW
封装/外壳
8-PowerWDFNSOT-23-6 细型，TSOT-23-6
供应商器件封装
8-MLP，MicroFET（3x1.9）SuperSOT™-6
库存选项
环境选项
媒体
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
技术
配置
FET 功能
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
功率 - 最大值
工作温度
安装类型
封装/外壳
供应商器件封装
SG6858TZ
FDC6561AN
MOSFET 2N-CH 30V 2.5A SSOT6
onsemi
4,391
现货
12,000
工厂
1 : ¥5.42000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.82113
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET（金属氧化物）
2 N-通道（双）
逻辑电平门
30V
2.5A
95 毫欧 @ 2.5A，10V
3V @ 250µA
3.2nC @ 5V
220pF @ 15V
700mW
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
SuperSOT™-6
FDMB3800N
FDMB3800N
MOSFET 2N-CH 30V 8MLP MICROFET
onsemi
5,324
现货
1 : ¥10.51000
剪切带（CT）
3,000 : ¥4.34288
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET（金属氧化物）
2 N-通道（双）
逻辑电平门
30V
4.8A
40 毫欧 @ 4.8A，10V
3V @ 250µA
5.6nC @ 5V
465pF @ 15V
750mW
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
8-PowerWDFN
8-MLP，MicroFET（3x1.9）
显示
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FET、MOSFET 阵列

场效应晶体管 (FET) 是使用电场控制电流流动的电子器件。向栅极端子施加电压会改变漏极端子和源极端子之间的电导率。FET 也称为单极型晶体管，因为其涉及单载流子类型的操作。也就是说，FET 在操作中使用电子或空穴作为载流子，而不是同时使用两者。场效应晶体管通常在低频下显示出极高的输入阻抗。