FET、MOSFET 阵列

结果 : 3
制造商
Diodes IncorporatedonsemiVishay Siliconix
系列
-TrenchFET®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)
配置
2 N 和 2 P 沟道(全桥)N 和 P 沟道
FET 功能
-逻辑电平门
漏源电压(Vdss)
20V30V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
2.6A,1.9A3.57A(Tc),2.5A(Tc)6A,4.2A
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
25mOhm @ 5A, 10V, 50mOhm @ 5A, 10V77 毫欧 @ 1A,4.5V,166 毫欧 @ 1A,4.5V90 毫欧 @ 2.6A,4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1.5V @ 250µA2V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
2.5nC @ 4.5V,3.5nC @ 4.5V5.5nC @ 4.5V11.7nC @ 10V, 11.4nC @ 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
295pF @ 15V590pF @ 15V, 631pF @ 15V-
功率 - 最大值
900mW1.5W(Ta)1.67W
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)-55°C ~ 175°C(TJ)
等级
-汽车级
资质
-AEC-Q101
封装/外壳
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)SOT-23-6 细型,TSOT-23-6
供应商器件封装
6-TSOP8-SO
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
3结果

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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
技术
配置
FET 功能
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
功率 - 最大值
工作温度
等级
资质
安装类型
封装/外壳
供应商器件封装
6-TSOP
NTGD4167CT1G
MOSFET N/P-CH 30V 2.6/1.9A 6TSOP
onsemi
918,009
现货
3,000
工厂
1 : ¥3.69000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.48493
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET(金属氧化物)
N 和 P 沟道
逻辑电平门
30V
2.6A,1.9A
90 毫欧 @ 2.6A,4.5V
1.5V @ 250µA
5.5nC @ 4.5V
295pF @ 15V
900mW
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23-6 细型,TSOT-23-6
6-TSOP
8 SO
DMHC3025LSD-13
MOSFET 2N/2P-CH 30V 6A/4.2A 8SO
Diodes Incorporated
70,250
现货
952,500
工厂
1 : ¥6.98000
剪切带(CT)
2,500 : ¥2.64842
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET(金属氧化物)
2 N 和 2 P 沟道(全桥)
逻辑电平门
30V
6A,4.2A
25mOhm @ 5A, 10V, 50mOhm @ 5A, 10V
2V @ 250µA
11.7nC @ 10V, 11.4nC @ 10V
590pF @ 15V, 631pF @ 15V
1.5W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
8-SO
Pkg 5540
SQ3585EV-T1_GE3
MOSFET N/P-CH 20V 3.57A 6TSOP
Vishay Siliconix
8,935
现货
1 : ¥28.73000
剪切带(CT)
3,000 : ¥14.41168
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET(金属氧化物)
N 和 P 沟道
-
20V
3.57A(Tc),2.5A(Tc)
77 毫欧 @ 1A,4.5V,166 毫欧 @ 1A,4.5V
1.5V @ 250µA
2.5nC @ 4.5V,3.5nC @ 4.5V
-
1.67W
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
SOT-23-6 细型,TSOT-23-6
6-TSOP
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FET、MOSFET 阵列


场效应晶体管 (FET) 是使用电场控制电流流动的电子器件。向栅极端子施加电压会改变漏极端子和源极端子之间的电导率。FET 也称为单极型晶体管,因为其涉及单载流子类型的操作。也就是说,FET 在操作中使用电子或空穴作为载流子,而不是同时使用两者。场效应晶体管通常在低频下显示出极高的输入阻抗。