FET、MOSFET 阵列

结果 : 3
制造商
Fairchild SemiconductorPanjit International Inc.Vishay Siliconix
系列
-PowerTrench®TrenchFET®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）散装
技术
-MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
20V30V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
1.7A（Ta）2.6A（Ta）3A（Tc）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
115 毫欧 @ 2.6A，10V133 毫欧 @ 1.5A，10V180 毫欧 @ 1.7A，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1.5V @ 250µA2.1V @ 250µA2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
5nC @ 4.5V9.8nC @ 10V12.2nC @ 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
265pF @ 10V396pF @ 15V570pF @ 15V
功率 - 最大值
700mW（Ta）1.25W（Ta）1.67W
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）
封装/外壳
SOT-23-6SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
供应商器件封装
6-TSOPSOT-23-6SuperSOT™-6
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
3结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
技术
配置
FET 功能
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
功率 - 最大值
工作温度
等级
资质
安装类型
封装/外壳
供应商器件封装
Pkg 5540
SQ3987EV-T1_GE3
MOSFET 2P-CH 30V 3A 6TSOP
Vishay Siliconix
6,569
现货
1 : ¥4.93000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.87158
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET（金属氧化物）
2 个 P 沟道（双）
-
30V
3A（Tc）
133 毫欧 @ 1.5A，10V
2.5V @ 250µA
12.2nC @ 10V
570pF @ 15V
1.67W
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
6-TSOP
ONSONSNUP4301MR6T1
FDC6308P
MOSFET 2P-CH 20V 1.7A SSOT6
Fairchild Semiconductor
28,908
市场
不可用
对您所选的货币不可用
散装
在售
-
2 个 P 沟道（双）
-
20V
1.7A（Ta）
180 毫欧 @ 1.7A，4.5V
1.5V @ 250µA
5nC @ 4.5V
265pF @ 10V
700mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
SuperSOT™-6
SOT-23-6
PJS6809_S1_00001
30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Panjit International Inc.
10,181
现货
1 : ¥5.34000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.21731
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET（金属氧化物）
2 个 P 沟道（双）
-
30V
2.6A（Ta）
115 毫欧 @ 2.6A，10V
2.1V @ 250µA
9.8nC @ 10V
396pF @ 15V
1.25W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-23-6
SOT-23-6
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FET、MOSFET 阵列

场效应晶体管 (FET) 是使用电场控制电流流动的电子器件。向栅极端子施加电压会改变漏极端子和源极端子之间的电导率。FET 也称为单极型晶体管，因为其涉及单载流子类型的操作。也就是说，FET 在操作中使用电子或空穴作为载流子，而不是同时使用两者。场效应晶体管通常在低频下显示出极高的输入阻抗。