FET、MOSFET 阵列

结果 : 7
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)
FET 功能
-逻辑电平门
漏源电压(Vdss)
40V60V100V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
9.3A(Ta),28.7A(Tc)11A(Tc)11.3A(Tc)30A(Tc)34A(Tc)36.7A
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
8 毫欧 @ 8A,10V12 毫欧 @ 10A,10V18 毫欧 @ 15A,10V18.6 毫欧 @ 10A,10V40 毫欧 @ 6A,10V,19 毫欧 @ 10A,10V92 毫欧 @ 4A,10V95 毫欧 @ 4A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.5V @ 250µA3.5V @ 250µA4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
7nC @ 10V8nC @ 10V26.5nC @ 10V27nC @ 10V30nC @ 10V30nC @ 10V,15nC @ 10V35nC @ 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
220pF @ 25V280pF @ 25V1170pF @ 50V1266pF @ 50V1390pF @ 25V,650pF @ 25V1600pF @ 25V1900pF @ 25V
功率 - 最大值
3.6W(Ta),33.8W(Tc)27W27W(Tc)34W(Tc)46W48W
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)-55°C ~ 175°C(TJ)
封装/外壳
PowerPAK® SO-8PowerPAK® SO-8 双
供应商器件封装
PowerPAK® SO-8PowerPAK® SO-8 双PowerPAK® SO-8 双通道不对称
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
7结果

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制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
技术
配置
FET 功能
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
功率 - 最大值
工作温度
等级
资质
安装类型
封装/外壳
供应商器件封装
PowerPAK® SO-8 Dual
SQJB60EP-T1_GE3
MOSFET 2N-CH 60V 30A PPAK SO8
Vishay Siliconix
9,640
现货
1 : ¥10.34000
剪切带(CT)
3,000 : ¥4.27271
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET(金属氧化物)
2 N-通道(双)
-
60V
30A(Tc)
12 毫欧 @ 10A,10V
2.5V @ 250µA
30nC @ 10V
1600pF @ 25V
48W
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
PowerPAK® SO-8 双
PowerPAK® SO-8 双
SI7252ADP-T1-GE3
SI7252ADP-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 100V 9.3A PPAK SO8
Vishay Siliconix
10,088
现货
1 : ¥12.97000
剪切带(CT)
3,000 : ¥5.84497
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET(金属氧化物)
2 N-通道(双)
-
100V
9.3A(Ta),28.7A(Tc)
18.6 毫欧 @ 10A,10V
4V @ 250µA
26.5nC @ 10V
1266pF @ 50V
3.6W(Ta),33.8W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PowerPAK® SO-8 双
PowerPAK® SO-8 双
PowerPAK® SO-8 Dual
SQJB70EP-T1_GE3
MOSFET 2N-CH 100V 11.3A PPAK SO8
Vishay Siliconix
5,796
现货
1 : ¥7.55000
剪切带(CT)
3,000 : ¥3.12276
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET(金属氧化物)
2 N-通道(双)
-
100V
11.3A(Tc)
95 毫欧 @ 4A,10V
3.5V @ 250µA
7nC @ 10V
220pF @ 25V
27W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
PowerPAK® SO-8 双
PowerPAK® SO-8 双
PowerPAK® SO-8 Dual
SQJB68EP-T1_GE3
MOSFET 2N-CH 100V 11A PPAK SO8
Vishay Siliconix
17,068
现货
1 : ¥7.72000
剪切带(CT)
3,000 : ¥3.20426
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET(金属氧化物)
2 N-通道(双)
-
100V
11A(Tc)
92 毫欧 @ 4A,10V
2.5V @ 250µA
8nC @ 10V
280pF @ 25V
27W
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
PowerPAK® SO-8 双
PowerPAK® SO-8 双
PowerPAK® SO-8L Dual
SQJB40EP-T1_BE3
MOSFET 2N-CH 40V 30A PPAK SO8
Vishay Siliconix
9,000
现货
1 : ¥9.36000
剪切带(CT)
3,000 : ¥3.88450
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET(金属氧化物)
2 N-通道(双)
-
40V
30A(Tc)
8 毫欧 @ 8A,10V
2.5V @ 250µA
35nC @ 10V
1900pF @ 25V
34W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
PowerPAK SO-8 Dual Asymmetric
SQJ990EP-T1_GE3
MOSFET 2N-CH 100V 34A PPAK SO8
Vishay Siliconix
8,975
现货
1 : ¥11.17000
剪切带(CT)
3,000 : ¥4.60209
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET(金属氧化物)
2 N-通道(双)
-
100V
34A(Tc)
40 毫欧 @ 6A,10V,19 毫欧 @ 10A,10V
2.5V @ 250µA
30nC @ 10V,15nC @ 10V
1390pF @ 25V,650pF @ 25V
48W
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
PowerPAK® SO-8 双
PowerPAK® SO-8 双通道不对称
PowerPAK® SO-8 Dual
SI7252DP-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 100V 36.7A PPAK SO8
Vishay Siliconix
0
现货
查看交期
1 : ¥17.16000
剪切带(CT)
3,000 : ¥7.71976
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET(金属氧化物)
2 N-通道(双)
逻辑电平门
100V
36.7A
18 毫欧 @ 15A,10V
3.5V @ 250µA
27nC @ 10V
1170pF @ 50V
46W
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PowerPAK® SO-8 双
PowerPAK® SO-8 双
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/ 7

FET、MOSFET 阵列


场效应晶体管 (FET) 是使用电场控制电流流动的电子器件。向栅极端子施加电压会改变漏极端子和源极端子之间的电导率。FET 也称为单极型晶体管,因为其涉及单载流子类型的操作。也就是说,FET 在操作中使用电子或空穴作为载流子,而不是同时使用两者。场效应晶体管通常在低频下显示出极高的输入阻抗。