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FET、MOSFET 阵列
结果 : 5
系列
包装
配置
FET 功能
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
功率 - 最大值
工作温度
封装/外壳
供应商器件封装
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
5结果
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比较 | 制造商零件编号 | 现有数量 | 价格 | 系列 | 包装 | 产品状态 | 技术 | 配置 | FET 功能 | 漏源电压（Vdss） | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 功率 - 最大值 | 工作温度 | 安装类型 | 封装/外壳 | 供应商器件封装 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | 10,483 现货 | 1 : ¥5.42000 剪切带（CT） 2,500 : ¥2.06779 卷带（TR） | 卷带（TR） 剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带 | 在售 | MOSFET（金属氧化物） | N 和 P 沟道 | - | 30V | 6A，4.3A | 47 毫欧 @ 3.5A，10V | 3V @ 250µA | 9nC @ 10V | 305pF @ 15V | 2.78W | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装型 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | 8-SOIC | ||
 | 9,633 现货 | 1 : ¥13.14000 剪切带（CT） 3,000 : ¥5.43287 卷带（TR） | 卷带（TR） 剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带 | 在售 | MOSFET（金属氧化物） | 2 N-通道（双） | - | 40V | 6A | 32 毫欧 @ 5A，10V | 3V @ 250µA | 19nC @ 10V | 670pF @ 20V | 20.8W | -50°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装型 | PowerPAK® 1212-8 双 | PowerPAK® 1212-8 双 | ||
 | 10,556 现货 | 1 : ¥7.14000 剪切带（CT） 3,000 : ¥2.71766 卷带（TR） | 卷带（TR） 剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带 | 在售 | MOSFET（金属氧化物） | 2 N-通道（双） | 逻辑电平门 | 20V | 25A | 16.4 毫欧 @ 10A，4.5V | 1V @ 250µA | 32nC @ 8V | 1220pF @ 10V | 23W | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装型 | PowerPAK® 1212-8 双 | PowerPAK® 1212-8 双 | ||
| 13,239 现货 | 1 : ¥7.31000 剪切带（CT） 3,000 : ¥3.01070 卷带（TR） | 卷带（TR） 剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带 | 在售 | MOSFET（金属氧化物） | 2 N-通道（双） | - | 100V | 12.1A | 85 毫欧 @ 8A，10V | 4V @ 250µA | 8nC @ 10V | 250pF @ 50V | 25W | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装型 | PowerPAK® 1212-8 双 | PowerPAK® 1212-8 双 | ||
| 3,514 现货 | 1 : ¥12.97000 剪切带（CT） 2,500 : ¥5.84495 卷带（TR） | 卷带（TR） 剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带 | 在售 | MOSFET（金属氧化物） | 2 个 N 通道（半桥） | 逻辑电平门 | 30V | 5.8A，8.2A | 18.5 毫欧 @ 6.8A，10V | 3V @ 250µA | 10nC @ 5V | - | 1W，1.25W | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装型 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | 8-SOIC |
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