FET、MOSFET 阵列

结果 : 3
制造商
onsemiToshiba Semiconductor and Storage
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
配置
2 N-通道（双）N 和 P 沟道
FET 功能
-逻辑电平栅极，1.5V 驱动
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
540mA800mA800mA（Ta），720mA（Ta）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
235 毫欧 @ 800mA，4.5V240 毫欧 @ 500mA，4.5V，300 毫欧 @ 400mA，4.5V550 毫欧 @ 540mA，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1V @ 1mA1V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
1nC @ 4.5V2nC @ 4.5V，1.76nC @ 4.5V2.5nC @ 4.5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
55pF @ 10V90pF @ 10V，110pF @ 10V150pF @ 16V
功率 - 最大值
150mW150mW（Ta）250mW
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）150°C150°C（TJ）
供应商器件封装
ES6SOT-563
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
3结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
技术
配置
FET 功能
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
功率 - 最大值
工作温度
安装类型
封装/外壳
供应商器件封装
SOT-563-6_463A
NTZD3154NT1G
MOSFET 2N-CH 20V 540MA SOT563
onsemi
482,897
现货
1 : ¥3.61000
剪切带（CT）
4,000 : ¥0.79853
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET（金属氧化物）
2 N-通道（双）
-
20V
540mA
550 毫欧 @ 540mA，4.5V
1V @ 250µA
2.5nC @ 4.5V
150pF @ 16V
250mW
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-563，SOT-666
SOT-563
20,112
现货
1 : ¥3.78000
剪切带（CT）
4,000 : ¥0.78609
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET（金属氧化物）
N 和 P 沟道
逻辑电平栅极，1.5V 驱动
20V
800mA（Ta），720mA（Ta）
240 毫欧 @ 500mA，4.5V，300 毫欧 @ 400mA，4.5V
1V @ 1mA
2nC @ 4.5V，1.76nC @ 4.5V
90pF @ 10V，110pF @ 10V
150mW（Ta）
150°C
表面贴装型
SOT-563，SOT-666
ES6
78,256
现货
1 : ¥3.12000
剪切带（CT）
4,000 : ¥0.65387
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET（金属氧化物）
2 N-通道（双）
逻辑电平栅极，1.5V 驱动
20V
800mA
235 毫欧 @ 800mA，4.5V
1V @ 1mA
1nC @ 4.5V
55pF @ 10V
150mW
150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-563，SOT-666
ES6
显示
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FET、MOSFET 阵列

场效应晶体管 (FET) 是使用电场控制电流流动的电子器件。向栅极端子施加电压会改变漏极端子和源极端子之间的电导率。FET 也称为单极型晶体管，因为其涉及单载流子类型的操作。也就是说，FET 在操作中使用电子或空穴作为载流子，而不是同时使用两者。场效应晶体管通常在低频下显示出极高的输入阻抗。