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FET、MOSFET 阵列
结果 : 4
制造商
系列
包装
产品状态
配置
FET 功能
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
功率 - 最大值
工作温度
封装/外壳
供应商器件封装
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4结果
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Sort By: 精选
比较 | 制造商零件编号 | 现有数量 | 价格 | 系列 | 包装 | 产品状态 | 技术 | 配置 | FET 功能 | 漏源电压（Vdss） | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 功率 - 最大值 | 工作温度 | 安装类型 | 封装/外壳 | 供应商器件封装 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | 2,276 现货 294,000 工厂 | 1 : ¥2.79000 剪切带（CT） 3,000 : ¥0.49664 卷带（TR） | - | 卷带（TR） 剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带 | 在售 | MOSFET（金属氧化物） | 2 个 P 沟道（双） | - | 20V | 630mA（Ta） | 750 毫欧 @ 430mA，4.5V | 1V @ 250µA | 0.7nC @ 4.5V | 49pF @ 16V | 370mW（Ta） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装型 | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 | SOT-363 | |
 | 25,499 现货 215,000 工厂 | 1 : ¥4.76000 剪切带（CT） 2,500 : ¥1.80573 卷带（TR） | - | 卷带（TR） 剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带 | 在售 | MOSFET（金属氧化物） | 2 N-通道（双） | 逻辑电平门 | 20V | 9.5A | 16 毫欧 @ 9.4A，4.5V | 1.5V @ 250µA | 26nC @ 10V | 1149pF @ 10V | 1.28W | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装型 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | 8-SO | |
 | 36,168 现货 | 1 : ¥5.01000 剪切带（CT） 2,500 : ¥1.89055 卷带（TR） | 卷带（TR） 剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带 | 在售 | MOSFET（金属氧化物） | 2 个 P 沟道（双） | 逻辑电平门 | 20V | 4A | 58 毫欧 @ 4.8A，4.5V | 1.4V @ 250µA | 26nC @ 10V | 665pF @ 10V | 3.1W | -50°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装型 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | 8-SOIC | ||
 | 14 现货 | 1 : ¥7.06000 剪切带（CT） 4,000 : ¥2.92809 卷带（TR） | 卷带（TR） 剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带 | 最后售卖 | MOSFET（金属氧化物） | 2 个 P 沟道（双） | 逻辑电平门 | 20V | 5.3A | 58 毫欧 @ 2.9A，4.5V | 700mV @ 250µA | 29nC @ 4.5V | 780pF @ 15V | 2W | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装型 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | 8-SO |
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