FET、MOSFET 阵列

结果 : 3
制造商
Infineon Technologiesonsemi
系列
-HEXFET®OptiMOS™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)
配置
2 N-通道(双)2 个 P 沟道(双)
FET 功能
-逻辑电平栅极,4.5V 驱动逻辑电平门
漏源电压(Vdss)
30V40V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
2A9.2A15A(Ta),60A(Tc)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
4.5 毫欧 @ 10A,10V16.3 毫欧 @ 9.2A,10V80 毫欧 @ 2A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1V @ 11µA2V @ 50µA2.4V @ 25µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
5nC @ 10V18nC @ 10V38nC @ 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
500pF @ 15V1100pF @ 20V1740pF @ 25V
功率 - 最大值
500mW1.7W(Ta),26W(Tc)2W
封装/外壳
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)12-PowerWQFNSOT-23-6 细型,TSOT-23-6
供应商器件封装
8-SO12-WQFN(3.3x3.3)PG-TSOP6-6
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
3结果

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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
技术
配置
FET 功能
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
功率 - 最大值
工作温度
等级
资质
安装类型
封装/外壳
供应商器件封装
SC-74, SOT-457
BSL308PEH6327XTSA1
MOSFET 2P-CH 30V 2A TSOP6-6
Infineon Technologies
6,812
现货
1 : ¥8.29000
剪切带(CT)
3,000 : ¥2.03642
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET(金属氧化物)
2 个 P 沟道(双)
逻辑电平栅极,4.5V 驱动
30V
2A
80 毫欧 @ 2A,10V
1V @ 11µA
5nC @ 10V
500pF @ 15V
500mW
-55°C ~ 150°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
SOT-23-6 细型,TSOT-23-6
PG-TSOP6-6
IRF9358TRPBF
MOSFET 2P-CH 30V 9.2A 8SO
Infineon Technologies
16,023
现货
1 : ¥9.85000
剪切带(CT)
4,000 : ¥4.06092
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET(金属氧化物)
2 个 P 沟道(双)
逻辑电平门
30V
9.2A
16.3 毫欧 @ 9.2A,10V
2.4V @ 25µA
38nC @ 10V
1740pF @ 25V
2W
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
8-SO
12-PowerWQFN
NTTFD4D0N04HLTWG
MOSFET 2N-CH 40V 15A/60A 12WQFN
onsemi
2,950
现货
3,000
工厂
1 : ¥15.19000
剪切带(CT)
3,000 : ¥6.83726
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET(金属氧化物)
2 N-通道(双)
-
40V
15A(Ta),60A(Tc)
4.5 毫欧 @ 10A,10V
2V @ 50µA
18nC @ 10V
1100pF @ 20V
1.7W(Ta),26W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
12-PowerWQFN
12-WQFN(3.3x3.3)
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FET、MOSFET 阵列


场效应晶体管 (FET) 是使用电场控制电流流动的电子器件。向栅极端子施加电压会改变漏极端子和源极端子之间的电导率。FET 也称为单极型晶体管,因为其涉及单载流子类型的操作。也就是说,FET 在操作中使用电子或空穴作为载流子,而不是同时使用两者。场效应晶体管通常在低频下显示出极高的输入阻抗。