FET、MOSFET 阵列

结果 : 3
制造商
Diodes IncorporatedTexas InstrumentsToshiba Semiconductor and Storage
系列
-NexFET™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）散装
配置
2 N 沟道（双）共源2 N-通道（双）N 和 P 沟道
FET 功能
逻辑电平栅极，1.2V 驱动逻辑电平门
漏源电压（Vdss）
20V30V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
220mA，200mA250mA（Ta）27A
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
33 毫欧 @ 7A，8V1.1 欧姆 @ 150mA，4.5V1.5 欧姆 @ 100mA，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1V @ 100µA1V @ 250µA1.3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
0.34nC @ 4.5V0.38nC @ 4.5V8.2nC @ 4.5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
22.6pF @ 15V36pF @ 10V1250pF @ 15V
功率 - 最大值
250mW350mW2.5W
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）150°C
封装/外壳
8-PowerTDFNSOT-563，SOT-666SOT-963
供应商器件封装
8-VSON（3.3x3.3）ES6SOT-963
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
3结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
技术
配置
FET 功能
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
功率 - 最大值
工作温度
安装类型
封装/外壳
供应商器件封装
79,365
现货
1 : ¥2.71000
剪切带（CT）
4,000 : ¥0.54661
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET（金属氧化物）
2 N-通道（双）
逻辑电平栅极，1.2V 驱动
20V
250mA（Ta）
1.1 欧姆 @ 150mA，4.5V
1V @ 100µA
0.34nC @ 4.5V
36pF @ 10V
250mW
150°C
表面贴装型
SOT-563，SOT-666
ES6
DMN2990UDJQ-7
DMC31D5UDJ-7
MOSFET N/P-CH 30V 0.22A SOT963
Diodes Incorporated
52,097
现货
1,060,000
工厂
1 : ¥3.37000
剪切带（CT）
10,000 : ¥0.98840
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET（金属氧化物）
N 和 P 沟道
逻辑电平门
30V
220mA，200mA
1.5 欧姆 @ 100mA，4.5V
1V @ 250µA
0.38nC @ 4.5V
22.6pF @ 15V
350mW
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-963
SOT-963
CSD87312Q3E
CSD87312Q3E
MOSFET 2N-CH 30V 27A 8VSON
Texas Instruments
1,455
现货
35,664
市场
1 : ¥11.74000
剪切带（CT）
2,500 : ¥4.86694
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
散装
在售
MOSFET（金属氧化物）
2 N 沟道（双）共源
逻辑电平门
30V
27A
33 毫欧 @ 7A，8V
1.3V @ 250µA
8.2nC @ 4.5V
1250pF @ 15V
2.5W
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
8-PowerTDFN
8-VSON（3.3x3.3）
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FET、MOSFET 阵列

场效应晶体管 (FET) 是使用电场控制电流流动的电子器件。向栅极端子施加电压会改变漏极端子和源极端子之间的电导率。FET 也称为单极型晶体管，因为其涉及单载流子类型的操作。也就是说，FET 在操作中使用电子或空穴作为载流子，而不是同时使用两者。场效应晶体管通常在低频下显示出极高的输入阻抗。