FET、MOSFET 阵列

结果 : 3
制造商
Diodes IncorporatedMicrochip Technology
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)
配置
2 个 P 沟道(双)N 和 P 沟道
FET 功能
-逻辑电平门
漏源电压(Vdss)
30V200V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
6.9A-
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
45 毫欧 @ 6A,10V7 欧姆 @ 1A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2V @ 1mA2.1V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
13.7nC @ 10V-
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
110pF @ 25V,125pF @ 25V722pF @ 25V
功率 - 最大值
2.5W-
供应商器件封装
8-SO8-SOIC
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
3结果

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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
技术
配置
FET 功能
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
功率 - 最大值
工作温度
安装类型
封装/外壳
供应商器件封装
8-SOIC
TC2320TG-G
MOSFET N/P-CH 200V 8SOIC
Microchip Technology
6,419
现货
1 : ¥15.84000
剪切带(CT)
3,300 : ¥12.06849
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET(金属氧化物)
N 和 P 沟道
-
200V
-
7 欧姆 @ 1A,10V
2V @ 1mA
-
110pF @ 25V,125pF @ 25V
-
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
8-SOIC
8-SOIC
TC6320TG-G
MOSFET N/P-CH 200V 8SOIC
Microchip Technology
9,898
现货
1 : ¥14.86000
剪切带(CT)
3,300 : ¥11.16536
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET(金属氧化物)
N 和 P 沟道
-
200V
-
7 欧姆 @ 1A,10V
2V @ 1mA
-
110pF @ 25V,125pF @ 25V
-
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
8-SOIC
8 SO
DMP3056LSD-13
MOSFET 2P-CH 30V 6.9A 8SO
Diodes Incorporated
14,011
现货
362,500
工厂
1 : ¥5.50000
剪切带(CT)
2,500 : ¥1.85952
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET(金属氧化物)
2 个 P 沟道(双)
逻辑电平门
30V
6.9A
45 毫欧 @ 6A,10V
2.1V @ 250µA
13.7nC @ 10V
722pF @ 25V
2.5W
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
8-SO
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FET、MOSFET 阵列


场效应晶体管 (FET) 是使用电场控制电流流动的电子器件。向栅极端子施加电压会改变漏极端子和源极端子之间的电导率。FET 也称为单极型晶体管,因为其涉及单载流子类型的操作。也就是说,FET 在操作中使用电子或空穴作为载流子,而不是同时使用两者。场效应晶体管通常在低频下显示出极高的输入阻抗。