FET、MOSFET 阵列

结果 : 4
制造商
onsemiRohm SemiconductorVishay Siliconix
系列
-PowerTrench®TrenchFET®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)
产品状态
最后售卖在售
配置
2 N-通道(双)2 个 P 沟道(双)
FET 功能
-逻辑电平门
漏源电压(Vdss)
20V30V60V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
2.4A2.6A6.5A(Ta)30A(Tc)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
17 毫欧 @ 7.5A,10V32 毫欧 @ 6.5A,10V120 毫欧 @ 3.1A,10V142 毫欧 @ 2.3A,4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1V @ 250µA2.5V @ 1mA2.5V @ 250µA3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
7.6nC @ 10V7.7nC @ 4.5V22nC @ 10V50nC @ 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
405pF @ 10V460pF @ 30V1680pF @ 10V-
功率 - 最大值
600mW1.4W2W(Ta)56W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)-55°C ~ 175°C(TJ)150°C(TJ)
封装/外壳
6-UFDFN 裸露焊盘8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)PowerPAK® SO-8 双
供应商器件封装
6-MicroFET(1.6x1.6)8-SOIC8-SOPPowerPAK® SO-8 双
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
4结果

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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
技术
配置
FET 功能
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
功率 - 最大值
工作温度
等级
资质
安装类型
封装/外壳
供应商器件封装
8-SOIC
SI4948BEY-T1-E3
MOSFET 2P-CH 60V 2.4A 8SOIC
Vishay Siliconix
14,208
现货
1 : ¥10.43000
剪切带(CT)
2,500 : ¥4.30086
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET(金属氧化物)
2 个 P 沟道(双)
逻辑电平门
60V
2.4A
120 毫欧 @ 3.1A,10V
3V @ 250µA
22nC @ 10V
-
1.4W
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
8-SOIC
8-SOIC
SH8KC6TB1
MOSFET 2N-CH 60V 6.5A 8SOP
Rohm Semiconductor
18,930
现货
1 : ¥7.72000
剪切带(CT)
2,500 : ¥3.20299
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET(金属氧化物)
2 N-通道(双)
-
60V
6.5A(Ta)
32 毫欧 @ 6.5A,10V
2.5V @ 1mA
7.6nC @ 10V
460pF @ 30V
2W(Ta)
150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
8-SOP
PowerPAK SO-8 Dual
SQJ951EP-T1_BE3
MOSFET 2P-CH 30V 30A PPAK SO8
Vishay Siliconix
5,496
现货
1 : ¥12.72000
剪切带(CT)
3,000 : ¥5.25836
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET(金属氧化物)
2 个 P 沟道(双)
-
30V
30A(Tc)
17 毫欧 @ 7.5A,10V
2.5V @ 250µA
50nC @ 10V
1680pF @ 10V
56W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
PowerPAK® SO-8 双
PowerPAK® SO-8 双
6-Microfet
FDME1023PZT
MOSFET 2P-CH 20V 2.6A 6MICROFET
onsemi
6,313
现货
1 : ¥6.98000
剪切带(CT)
5,000 : ¥2.75513
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
最后售卖
MOSFET(金属氧化物)
2 个 P 沟道(双)
逻辑电平门
20V
2.6A
142 毫欧 @ 2.3A,4.5V
1V @ 250µA
7.7nC @ 4.5V
405pF @ 10V
600mW
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
6-UFDFN 裸露焊盘
6-MicroFET(1.6x1.6)
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FET、MOSFET 阵列


场效应晶体管 (FET) 是使用电场控制电流流动的电子器件。向栅极端子施加电压会改变漏极端子和源极端子之间的电导率。FET 也称为单极型晶体管,因为其涉及单载流子类型的操作。也就是说,FET 在操作中使用电子或空穴作为载流子,而不是同时使用两者。场效应晶体管通常在低频下显示出极高的输入阻抗。