FET、MOSFET 阵列

结果 : 5
制造商
Alpha & Omega Semiconductor Inc.Diodes Incorporated
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
配置
N 和 P 沟道N 和 P 沟道互补型
FET 功能
-逻辑电平栅极，4.5V 驱动逻辑电平门
漏源电压（Vdss）
20V30V60V60V，50V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
115mA，130mA500mA（Ta），360mA（Ta）650mA，450mA750mA（Ta），600mA（Ta）3.4A，2.5A
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
65 毫欧 @ 3.4A，4.5V400 毫欧 @ 590mA，10V450mOhm @ 600mA，4.5V，750mOhm @ 430mA，4.5V1.7 欧姆 @ 500mA，10V，4 欧姆 @ 500mA，10V7.5 欧姆 @ 50mA，5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1V @ 250µA1.6V @ 250µA2.5V @ 250µA2.5V @ 250µA，3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
0.3nC @ 4.5V，0.28nC @ 4.5V0.6nC @ 4.5V，0.7nC @ 4.5V1.4nC @ 10V3.8nC @ 4.5V-
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
30pF @ 25V，25pF @ 25V42pF @ 16V，49pF @ 16V50pF @ 25V，45pF @ 25V55pF @ 15V320pF @ 10V
功率 - 最大值
200mW290mW（Ta）310mW450mW（Ta）1.1W
封装/外壳
6-TSSOP，SC-88，SOT-363SC-74，SOT-457SOT-563，SOT-666
供应商器件封装
6-TSOPSOT-363SOT-563
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
5结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
技术
配置
FET 功能
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
功率 - 最大值
工作温度
等级
资质
安装类型
封装/外壳
供应商器件封装
SOT 363
BSS8402DW-7-F
MOSFET N/P-CH 60V/50V SOT363
Diodes Incorporated
58,915
现货
1 : ¥4.02000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.08410
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET（金属氧化物）
N 和 P 沟道
逻辑电平门
60V，50V
115mA，130mA
7.5 欧姆 @ 50mA，5V
2.5V @ 250µA
-
50pF @ 25V，45pF @ 25V
200mW
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
6-TSSOP，SC-88，SOT-363
SOT-363
6-TSOP
AO6604
MOSFET N/P-CH 20V 3.4A 6TSOP
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
148,638
现货
1 : ¥4.10000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.39427
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET（金属氧化物）
N 和 P 沟道互补型
逻辑电平栅极，4.5V 驱动
20V
3.4A，2.5A
65 毫欧 @ 3.4A，4.5V
1V @ 250µA
3.8nC @ 4.5V
320pF @ 10V
1.1W
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SC-74，SOT-457
6-TSOP
SOT 363
DMC2710UDW-7
MOSFET N/P-CH 20V 0.75A SOT363
Diodes Incorporated
1,182
现货
237,000
工厂
1 : ¥3.04000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.54956
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET（金属氧化物）
N 和 P 沟道互补型
-
20V
750mA（Ta），600mA（Ta）
450mOhm @ 600mA，4.5V，750mOhm @ 430mA，4.5V
1V @ 250µA
0.6nC @ 4.5V，0.7nC @ 4.5V
42pF @ 16V，49pF @ 16V
290mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
6-TSSOP，SC-88，SOT-363
SOT-363
SOT 363
DMC3400SDW-13
MOSFET N/P-CH 30V 0.65A SOT363
Diodes Incorporated
110,603
现货
1 : ¥3.28000
剪切带（CT）
10,000 : ¥0.48660
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET（金属氧化物）
N 和 P 沟道
-
30V
650mA，450mA
400 毫欧 @ 590mA，10V
1.6V @ 250µA
1.4nC @ 10V
55pF @ 15V
310mW
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
6-TSSOP，SC-88，SOT-363
SOT-363
SOT 563
DMG1029SVQ-7
MOSFET N/P-CH 60V 0.5A SOT563
Diodes Incorporated
2,431
现货
1,194,000
工厂
1 : ¥3.94000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.05767
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET（金属氧化物）
N 和 P 沟道互补型
-
60V
500mA（Ta），360mA（Ta）
1.7 欧姆 @ 500mA，10V，4 欧姆 @ 500mA，10V
2.5V @ 250µA，3V @ 250µA
0.3nC @ 4.5V，0.28nC @ 4.5V
30pF @ 25V，25pF @ 25V
450mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
SOT-563，SOT-666
SOT-563
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FET、MOSFET 阵列

场效应晶体管 (FET) 是使用电场控制电流流动的电子器件。向栅极端子施加电压会改变漏极端子和源极端子之间的电导率。FET 也称为单极型晶体管，因为其涉及单载流子类型的操作。也就是说，FET 在操作中使用电子或空穴作为载流子，而不是同时使用两者。场效应晶体管通常在低频下显示出极高的输入阻抗。