Vishay General Semiconductor - Diodes Division 单 FET,MOSFET

结果 : 13
系列
-HEXFET®
包装
散装管件
产品状态
停产在售
漏源电压(Vdss)
100 V150 V200 V500 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
38A(Tc)40A(Tc)57A(Tc)72A(Tc)108A(Tc)180A(Tc)190A(Tj)220A(Tc)287A(Tc)400A(Tc)435A(Tc)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
2.15 毫欧 @ 200A,10V2.75 毫欧 @ 200A,10V4.7 毫欧 @ 200A,10V6.5 毫欧 @ 108A,10V6.5 毫欧 @ 180A,10V7 毫欧 @ 150A,10V14 毫欧 @ 80A,10V80 毫欧 @ 34A,10V130 毫欧 @ 23A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
3.8V @ 750µA4V @ 250µA4.3V @ 1mA4.35V @ 250µA5.1V @ 500µA5.4V @ 1mA5.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
161 nC @ 10 V250 nC @ 10 V338 nC @ 10 V350 nC @ 10 V375 nC @ 10 V380 nC @ 10 V420 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±20V±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
6900 pF @ 25 V10000 pF @ 25 V10700 pF @ 25 V10720 pF @ 50 V13700 pF @ 25 V16500 pF @ 100 V17300 pF @ 25 V21000 pF @ 50 V
功率耗散(最大值)
405W(Tc)480W(Tc)500W(Tc)543W(Tc)568W(Tc)625W(Tc)652W(Tc)789W(Tc)909W(Tc)937W(Tc)1136W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)-55°C ~ 175°C(TJ)
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
13结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
3,873
现货
1 : ¥191.21000
管件
-
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
435A(Tc)
10V
2.15 毫欧 @ 200A,10V
3.8V @ 750µA
375 nC @ 10 V
±20V
17300 pF @ 25 V
-
652W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
底座安装
SOT-227
SOT-227-4,miniBLOC
105
现货
1 : ¥213.62000
散装
-
散装
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
200 V
287A(Tc)
10V
4.7 毫欧 @ 200A,10V
4.3V @ 1mA
250 nC @ 10 V
±20V
16500 pF @ 100 V
-
937W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
底座安装
SOT-227
SOT-227-4,miniBLOC
40
现货
1 : ¥206.64000
管件
-
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
150 V
400A(Tc)
10V
2.75 毫欧 @ 200A,10V
5.4V @ 1mA
250 nC @ 10 V
±20V
13700 pF @ 25 V
-
909W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
底座安装
SOT-227
SOT-227-4,miniBLOC
0
现货
查看交期
160 : ¥186.38769
散装
-
散装
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
500 V
40A(Tc)
10V
130 毫欧 @ 23A,10V
4V @ 250µA
420 nC @ 10 V
±20V
6900 pF @ 25 V
-
543W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
底座安装
SOT-227
SOT-227-4,miniBLOC
0
现货
停产
管件
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
180A(Tc)
10V
6.5 毫欧 @ 108A,10V
4V @ 250µA
380 nC @ 10 V
±20V
10700 pF @ 25 V
-
480W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
底座安装
SOT-227
SOT-227-4,miniBLOC
0
现货
停产
管件
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
500 V
38A(Tc)
10V
130 毫欧 @ 23A,10V
4V @ 250µA
420 nC @ 10 V
±20V
6900 pF @ 25 V
-
500W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
底座安装
SOT-227
SOT-227-4,miniBLOC
0
现货
停产
管件
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
500 V
57A(Tc)
10V
80 毫欧 @ 34A,10V
4V @ 250µA
338 nC @ 10 V
±20V
10000 pF @ 25 V
-
625W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
底座安装
SOT-227
SOT-227-4,miniBLOC
0
现货
停产
-
管件
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
190A(Tj)
10V
6.5 毫欧 @ 180A,10V
4.35V @ 250µA
250 nC @ 10 V
±20V
10700 pF @ 25 V
-
568W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
底座安装
SOT-227
SOT-227-4,miniBLOC
0
现货
停产
-
散装
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
500 V
38A(Tc)
10V
130 毫欧 @ 23A,10V
4V @ 250µA
420 nC @ 10 V
±20V
6900 pF @ 25 V
-
500W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
底座安装
SOT-227
SOT-227-4,miniBLOC
0
现货
停产
-
散装
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
500 V
72A(Tc)
10V
80 毫欧 @ 34A,10V
4V @ 250µA
338 nC @ 10 V
±20V
10000 pF @ 25 V
-
1136W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
底座安装
SOT-227
SOT-227-4,miniBLOC
0
现货
停产
-
散装
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
180A(Tc)
10V
6.5 毫欧 @ 180A,10V
4V @ 250µA
380 nC @ 10 V
±20V
10700 pF @ 25 V
-
480W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
底座安装
SOT-227
SOT-227-4,miniBLOC
0
现货
停产
-
散装
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
200 V
220A(Tc)
10V
7 毫欧 @ 150A,10V
5.1V @ 500µA
350 nC @ 10 V
±30V
21000 pF @ 50 V
-
789W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
底座安装
SOT-227
SOT-227-4,miniBLOC
0
现货
停产
-
管件
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
200 V
108A(Tc)
10V
14 毫欧 @ 80A,10V
5.5V @ 250µA
161 nC @ 10 V
±30V
10720 pF @ 50 V
-
405W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
底座安装
SOT-227
SOT-227-4,miniBLOC
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Vishay General Semiconductor - Diodes Division 单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。