Vishay General Semiconductor - Diodes Division 单 FET,MOSFET
结果 : 13
系列
包装
产品状态
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
功率耗散(最大值)
工作温度
库存选项
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比较 | 制造商零件编号 | 现有数量 | 价格 | 系列 | 包装 | 产品状态 | FET 类型 | 技术 | 漏源电压(Vdss) | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | Vgs(最大值) | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | FET 功能 | 功率耗散(最大值) | 工作温度 | 安装类型 | 供应商器件封装 | 封装/外壳 |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
3,873 现货 | 1 : ¥191.21000 管件 | - | 管件 | 在售 | N 通道 | MOSFET(金属氧化物) | 100 V | 435A(Tc) | 10V | 2.15 毫欧 @ 200A,10V | 3.8V @ 750µA | 375 nC @ 10 V | ±20V | 17300 pF @ 25 V | - | 652W(Tc) | -55°C ~ 175°C(TJ) | 底座安装 | SOT-227 | SOT-227-4,miniBLOC | ||
105 现货 | 1 : ¥213.62000 散装 | - | 散装 | 在售 | N 通道 | MOSFET(金属氧化物) | 200 V | 287A(Tc) | 10V | 4.7 毫欧 @ 200A,10V | 4.3V @ 1mA | 250 nC @ 10 V | ±20V | 16500 pF @ 100 V | - | 937W(Tc) | -55°C ~ 175°C(TJ) | 底座安装 | SOT-227 | SOT-227-4,miniBLOC | ||
40 现货 | 1 : ¥206.64000 管件 | - | 管件 | 在售 | N 通道 | MOSFET(金属氧化物) | 150 V | 400A(Tc) | 10V | 2.75 毫欧 @ 200A,10V | 5.4V @ 1mA | 250 nC @ 10 V | ±20V | 13700 pF @ 25 V | - | 909W(Tc) | -55°C ~ 175°C(TJ) | 底座安装 | SOT-227 | SOT-227-4,miniBLOC | ||
0 现货 查看交期 | 160 : ¥186.38769 散装 | - | 散装 | 在售 | N 通道 | MOSFET(金属氧化物) | 500 V | 40A(Tc) | 10V | 130 毫欧 @ 23A,10V | 4V @ 250µA | 420 nC @ 10 V | ±20V | 6900 pF @ 25 V | - | 543W(Tc) | -55°C ~ 150°C(TJ) | 底座安装 | SOT-227 | SOT-227-4,miniBLOC | ||
0 现货 | 停产 | 管件 | 停产 | N 通道 | MOSFET(金属氧化物) | 100 V | 180A(Tc) | 10V | 6.5 毫欧 @ 108A,10V | 4V @ 250µA | 380 nC @ 10 V | ±20V | 10700 pF @ 25 V | - | 480W(Tc) | -55°C ~ 150°C(TJ) | 底座安装 | SOT-227 | SOT-227-4,miniBLOC | |||
0 现货 | 停产 | 管件 | 停产 | N 通道 | MOSFET(金属氧化物) | 500 V | 38A(Tc) | 10V | 130 毫欧 @ 23A,10V | 4V @ 250µA | 420 nC @ 10 V | ±20V | 6900 pF @ 25 V | - | 500W(Tc) | -55°C ~ 150°C(TJ) | 底座安装 | SOT-227 | SOT-227-4,miniBLOC | |||
0 现货 | 停产 | 管件 | 停产 | N 通道 | MOSFET(金属氧化物) | 500 V | 57A(Tc) | 10V | 80 毫欧 @ 34A,10V | 4V @ 250µA | 338 nC @ 10 V | ±20V | 10000 pF @ 25 V | - | 625W(Tc) | -55°C ~ 150°C(TJ) | 底座安装 | SOT-227 | SOT-227-4,miniBLOC | |||
0 现货 | 停产 | - | 管件 | 停产 | N 通道 | MOSFET(金属氧化物) | 100 V | 190A(Tj) | 10V | 6.5 毫欧 @ 180A,10V | 4.35V @ 250µA | 250 nC @ 10 V | ±20V | 10700 pF @ 25 V | - | 568W(Tc) | -55°C ~ 150°C(TJ) | 底座安装 | SOT-227 | SOT-227-4,miniBLOC | ||
0 现货 | 停产 | - | 散装 | 停产 | N 通道 | MOSFET(金属氧化物) | 500 V | 38A(Tc) | 10V | 130 毫欧 @ 23A,10V | 4V @ 250µA | 420 nC @ 10 V | ±20V | 6900 pF @ 25 V | - | 500W(Tc) | -55°C ~ 150°C(TJ) | 底座安装 | SOT-227 | SOT-227-4,miniBLOC | ||
0 现货 | 停产 | - | 散装 | 停产 | N 通道 | MOSFET(金属氧化物) | 500 V | 72A(Tc) | 10V | 80 毫欧 @ 34A,10V | 4V @ 250µA | 338 nC @ 10 V | ±20V | 10000 pF @ 25 V | - | 1136W(Tc) | -55°C ~ 150°C(TJ) | 底座安装 | SOT-227 | SOT-227-4,miniBLOC | ||
0 现货 | 停产 | - | 散装 | 停产 | N 通道 | MOSFET(金属氧化物) | 100 V | 180A(Tc) | 10V | 6.5 毫欧 @ 180A,10V | 4V @ 250µA | 380 nC @ 10 V | ±20V | 10700 pF @ 25 V | - | 480W(Tc) | -55°C ~ 150°C(TJ) | 底座安装 | SOT-227 | SOT-227-4,miniBLOC | ||
0 现货 | 停产 | - | 散装 | 停产 | N 通道 | MOSFET(金属氧化物) | 200 V | 220A(Tc) | 10V | 7 毫欧 @ 150A,10V | 5.1V @ 500µA | 350 nC @ 10 V | ±30V | 21000 pF @ 50 V | - | 789W(Tc) | -55°C ~ 175°C(TJ) | 底座安装 | SOT-227 | SOT-227-4,miniBLOC | ||
0 现货 | 停产 | - | 管件 | 停产 | N 通道 | MOSFET(金属氧化物) | 200 V | 108A(Tc) | 10V | 14 毫欧 @ 80A,10V | 5.5V @ 250µA | 161 nC @ 10 V | ±30V | 10720 pF @ 50 V | - | 405W(Tc) | -55°C ~ 175°C(TJ) | 底座安装 | SOT-227 | SOT-227-4,miniBLOC |
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