TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)成形引线 单 FET,MOSFET
结果 : 65
制造商
系列
包装
产品状态
FET 类型
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
功率耗散(最大值)
工作温度
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比较 | 制造商零件编号 | 现有数量 | 价格 | 系列 | 包装 | 产品状态 | FET 类型 | 技术 | 漏源电压(Vdss) | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | Vgs(最大值) | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | FET 功能 | 功率耗散(最大值) | 工作温度 | 安装类型 | 供应商器件封装 | 封装/外壳 |
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130,969 现货 | 1 : ¥2.63000 剪切带(CT) 4,000 : ¥0.43797 卷带(TR) | - | 卷带(TR) 剪切带(CT) | 在售 | N 通道 | MOSFET(金属氧化物) | 60 V | 200mA(Ta) | 4.5V,10V | 5 欧姆 @ 500mA,10V | 3V @ 1mA | - | ±20V | 60 pF @ 25 V | - | 350mW(Ta) | 150°C(TJ) | 通孔 | TO-92 | TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)成形引线 | ||
20,066 现货 118,000 工厂 | 1 : ¥2.63000 剪切带(CT) 2,000 : ¥0.79533 带盒(TB) | - | 剪切带(CT) 带盒(TB) | 在售 | N 通道 | MOSFET(金属氧化物) | 60 V | 200mA(Ta) | 4.5V,10V | 5 欧姆 @ 500mA,10V | 3V @ 1mA | - | ±20V | 50 pF @ 25 V | - | 400mW(Ta) | -55°C ~ 150°C(TJ) | 通孔 | TO-92-3 | TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)成形引线 | ||
69,090 现货 | 1 : ¥2.87000 剪切带(CT) 2,000 : ¥0.77862 带盒(TB) | - | 剪切带(CT) 带盒(TB) | 在售 | N 通道 | MOSFET(金属氧化物) | 60 V | 200mA(Tc) | 4.5V,10V | 5 欧姆 @ 500mA,10V | 3V @ 1mA | - | ±20V | 50 pF @ 25 V | - | 400mW(Ta) | -55°C ~ 150°C(TJ) | 通孔 | TO-92-3 | TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)成形引线 | ||
14,741 现货 10,000 工厂 | 1 : ¥3.12000 剪切带(CT) 2,000 : ¥0.85259 带盒(TB) | - | 剪切带(CT) 带盒(TB) | 在售 | N 通道 | MOSFET(金属氧化物) | 60 V | 200mA(Ta) | 4.5V,10V | 5 欧姆 @ 500mA,10V | 3V @ 1mA | - | ±20V | 50 pF @ 25 V | - | 400mW(Ta) | -55°C ~ 150°C(TJ) | 通孔 | TO-92-3 | TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)成形引线 | ||
21,886 现货 6,000 工厂 | 1 : ¥3.20000 剪切带(CT) 2,000 : ¥0.85776 卷带(TR) | - | 卷带(TR) 剪切带(CT) | 在售 | N 通道 | MOSFET(金属氧化物) | 60 V | 500mA(Ta) | 10V | 5 欧姆 @ 200mA,10V | 3V @ 1mA | - | ±20V | 40 pF @ 10 V | - | 830mW(Ta) | -55°C ~ 150°C(TJ) | 通孔 | TO-92-3 | TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)成形引线 | ||
6,953 现货 | 1 : ¥3.20000 剪切带(CT) 2,000 : ¥0.85776 带盒(TB) | - | 剪切带(CT) 带盒(TB) | 在售 | N 通道 | MOSFET(金属氧化物) | 60 V | 500mA(Ta) | 10V | 5 欧姆 @ 200mA,10V | 3V @ 1mA | - | ±20V | 40 pF @ 10 V | - | 830mW(Ta) | -55°C ~ 150°C(TJ) | 通孔 | TO-92-3 | TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)成形引线 | ||
8,594 现货 80,000 工厂 | 1 : ¥3.28000 剪切带(CT) 2,000 : ¥0.89672 带盒(TB) | - | 剪切带(CT) 带盒(TB) | 在售 | N 通道 | MOSFET(金属氧化物) | 60 V | 400mA(Ta) | 4.5V,10V | 2 欧姆 @ 500mA,10V | 2.5V @ 250µA | - | ±20V | 50 pF @ 25 V | - | 625mW(Ta) | -55°C ~ 150°C(TJ) | 通孔 | TO-92-3 | TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)成形引线 | ||
12,962 现货 10,000 工厂 | 1 : ¥3.37000 剪切带(CT) 2,000 : ¥0.89799 卷带(TR) | - | 卷带(TR) 剪切带(CT) | 在售 | N 通道 | MOSFET(金属氧化物) | 60 V | 200mA(Ta) | 4.5V,10V | 5 欧姆 @ 500mA,10V | 3V @ 1mA | - | ±20V | 50 pF @ 25 V | - | 400mW(Ta) | -55°C ~ 150°C(TJ) | 通孔 | TO-92-3 | TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)成形引线 | ||
2,347 现货 | 1 : ¥3.45000 剪切带(CT) 2,000 : ¥0.76885 卷带(TR) | - | 卷带(TR) 剪切带(CT) | 在售 | N 通道 | MOSFET(金属氧化物) | 60 V | 500mA(Ta) | 10V | 5 欧姆 @ 200mA,10V | 3V @ 1mA | - | ±20V | 40 pF @ 10 V | - | 830mW(Ta) | -55°C ~ 150°C(TJ) | 通孔 | TO-92-3 | TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)成形引线 | ||
10,693 现货 | 1 : ¥5.09000 剪切带(CT) 2,000 : ¥1.70251 带盒(TB) | 剪切带(CT) 带盒(TB) | 在售 | N 通道 | MOSFET(金属氧化物) | 600 V | 600mA(Tc) | 10V | 4.5 欧姆 @ 1A,10V | 4.5V @ 50µA | 12 nC @ 10 V | ±30V | 235 pF @ 50 V | - | 2.5W(Tc) | 150°C(TJ) | 通孔 | TO-92-3 | TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)成形引线 | |||
2,004 现货 | 1 : ¥5.25000 剪切带(CT) 2,000 : ¥4.02281 卷带(TR) | - | 卷带(TR) 剪切带(CT) | 在售 | N 通道 | MOSFET(金属氧化物) | 60 V | 230mA(Tj) | 5V,10V | 7.5 欧姆 @ 500mA,10V | 2.5V @ 1mA | - | ±30V | 60 pF @ 25 V | - | 400mW(Ta),1W(Tc) | -55°C ~ 150°C(TJ) | 通孔 | TO-92-3 | TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)成形引线 | ||
2,880 现货 | 1 : ¥5.91000 剪切带(CT) 2,000 : ¥4.43330 卷带(TR) | - | 卷带(TR) 剪切带(CT) | 在售 | N 通道 | MOSFET(金属氧化物) | 60 V | 310mA(Tj) | 5V,10V | 5 欧姆 @ 500mA,10V | 2.5V @ 1mA | - | ±30V | 60 pF @ 25 V | - | 1W(Tc) | -55°C ~ 150°C(TJ) | 通孔 | TO-92-3 | TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)成形引线 | ||
9,792 现货 | 1 : ¥7.72000 剪切带(CT) 2,000 : ¥2.91736 带盒(TB) | 剪切带(CT) 带盒(TB) | 在售 | N 通道 | MOSFET(金属氧化物) | 600 V | 500mA(Tc) | 10V | 4.8 欧姆 @ 1A,10V | 4.5V @ 50µA | 15 nC @ 10 V | ±30V | 280 pF @ 25 V | - | 3W(Tc) | -55°C ~ 150°C(TJ) | 通孔 | TO-92-3 | TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)成形引线 | |||
279 现货 | 1 : ¥21.92000 剪切带(CT) 2,000 : ¥16.66599 卷带(TR) | - | 卷带(TR) 剪切带(CT) | 在售 | P 通道 | MOSFET(金属氧化物) | 60 V | 640mA(Tj) | 5V,10V | 900 毫欧 @ 3.5A,10V | 3.5V @ 10mA | - | ±20V | 450 pF @ 25 V | - | 740mW(Tc) | -55°C ~ 150°C(TJ) | 通孔 | TO-92-3 | TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)成形引线 | ||
3,734 现货 | 1 : ¥7.06000 剪切带(CT) 2,000 : ¥2.67513 带盒(TB) | 剪切带(CT) 带盒(TB) | 在售 | N 通道 | MOSFET(金属氧化物) | 800 V | 300mA(Tc) | 10V | 16 欧姆 @ 500mA,10V | 4.5V @ 50µA | 7.7 nC @ 10 V | ±30V | 160 pF @ 25 V | - | 3W(Tc) | -55°C ~ 150°C(TJ) | 通孔 | TO-92-3 | TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)成形引线 | |||
2,164 现货 | 1 : ¥5.25000 剪切带(CT) 2,000 : ¥4.02281 带盒(TB) | - | 剪切带(CT) 带盒(TB) | 在售 | N 通道 | MOSFET(金属氧化物) | 60 V | 230mA(Tj) | 5V,10V | 7.5 欧姆 @ 500mA,10V | 2.5V @ 1mA | - | ±30V | 60 pF @ 25 V | - | 400mW(Ta),1W(Tc) | -55°C ~ 150°C(TJ) | 通孔 | TO-92-3 | TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)成形引线 | ||
2,000 现货 | 1 : ¥12.64000 剪切带(CT) 2,000 : ¥9.44128 卷带(TR) | - | 卷带(TR) 剪切带(CT) | 在售 | N 通道 | MOSFET(金属氧化物) | 30 V | 640mA(Tj) | 5V,10V | 1.2 欧姆 @ 1A,10V | 2.5V @ 1mA | - | ±30V | 190 pF @ 20 V | - | 1W(Tc) | -55°C ~ 150°C(TJ) | 通孔 | TO-92-3 | TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)成形引线 | ||
2,114 现货 | 1 : ¥15.93000 剪切带(CT) 2,000 : ¥12.23261 带盒(TB) | - | 剪切带(CT) 带盒(TB) | 在售 | N 通道 | MOSFET(金属氧化物) | 500 V | 50mA(Tj) | 5V,10V | 60 欧姆 @ 50mA,10V | 4V @ 1mA | - | ±20V | 55 pF @ 25 V | - | 1W(Tc) | -55°C ~ 150°C(TJ) | 通孔 | TO-92-3 | TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)成形引线 | ||
138,646 市场 | 不可用 | - | 散装 | 在售 | N 通道 | MOSFET(金属氧化物) | 60 V | 500mA(Ta) | 10V | 5 欧姆 @ 200mA,10V | 3V @ 1mA | - | ±20V | 40 pF @ 10 V | - | 830mW(Ta) | -55°C ~ 150°C(TJ) | 通孔 | TO-92-3 | TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)成形引线 | ||
30,204 市场 | 不可用 | - | 散装 | 在售 | N 通道 | MOSFET(金属氧化物) | 60 V | 150mA | 10V | 7.5 欧姆 @ 500mA,10V | 2.5V @ 1mA | - | ±20V | 60 pF @ 25 V | - | 400mW(Ta) | -55°C ~ 150°C(TJ) | 通孔 | TO-92(TO-226) | TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)成形引线 | ||
13,042 现货 | 1 : ¥3.20000 剪切带(CT) 2,000 : ¥0.85776 带盒(TB) | - | 剪切带(CT) 带盒(TB) | 停产 | N 通道 | MOSFET(金属氧化物) | 60 V | 500mA(Ta) | 10V | 5 欧姆 @ 200mA,10V | 3V @ 1mA | - | ±20V | 40 pF @ 10 V | - | 830mW(Ta) | -55°C ~ 150°C(TJ) | 通孔 | TO-92-3 | TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)成形引线 | ||
17,239 现货 | 1 : ¥4.93000 剪切带(CT) 2,000 : ¥1.65600 带盒(TB) | 剪切带(CT) 带盒(TB) | 停产 | N 通道 | MOSFET(金属氧化物) | 600 V | 300mA(Tc) | 10V | 11.5 欧姆 @ 150mA,10V | 4V @ 250µA | 6.2 nC @ 10 V | ±30V | 170 pF @ 25 V | - | 1W(Ta),3W(Tc) | -55°C ~ 150°C(TJ) | 通孔 | TO-92-3 | TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)成形引线 | |||
3,486 现货 | 1 : ¥6.16000 剪切带(CT) 2,000 : ¥2.33955 带盒(TB) | 剪切带(CT) 带盒(TB) | 停产 | N 通道 | MOSFET(金属氧化物) | 600 V | 400mA(Tc) | 10V | 8 欧姆 @ 600mA,10V | 4.5V @ 50µA | 9.5 nC @ 10 V | ±30V | 140 pF @ 50 V | - | 3W(Tc) | -55°C ~ 150°C(TJ) | 通孔 | TO-92-3 | TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)成形引线 | |||
41,271 现货 | 1 : ¥7.47000 剪切带(CT) 2,000 : ¥2.83583 带盒(TB) | - | 剪切带(CT) 带盒(TB) | 停产 | N 通道 | MOSFET(金属氧化物) | 450 V | 500mA(Tc) | 10V | 4.25 欧姆 @ 250mA,10V | 3.7V @ 250µA | 8.5 nC @ 10 V | ±50V | 240 pF @ 25 V | - | 900mW(Ta) | -55°C ~ 150°C(TJ) | 通孔 | TO-92-3 | TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)成形引线 | ||
78,002 市场 | 不可用 | 散装 | 在售 | N 通道 | MOSFET(金属氧化物) | 600 V | 300mA(Tc) | 10V | 11.5 欧姆 @ 150mA,10V | 4V @ 250µA | 6.2 nC @ 10 V | ±30V | 170 pF @ 25 V | - | 1W(Ta),3W(Tc) | -55°C ~ 150°C(TJ) | 通孔 | TO-92-3 | TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)成形引线 |
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