TO-204AA，TO-3 单 FET，MOSFET

显示

/ 52

制造商零件编号	现有数量	价格	系列	包装	产品状态	FET 类型	技术	漏源电压（Vdss）	25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	Vgs（最大值）	不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	FET 功能	功率耗散（最大值）	工作温度	等级	资质	安装类型	供应商器件封装	封装/外壳

IRF122 N-CHANNEL POWER MOSFET Harris Corporation	1,790 市场	不可用对您所选的货币不可用	-	散装	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	100 V	8A（Tc）	10V	360 毫欧 @ 5.6A，10V	4V @ 250µA	15 nC @ 10 V	±20V	350 pF @ 25 V	-	60W（Tc）	-55°C ~ 175°C（TJ）	-	-	通孔	TO-3	TO-204AA，TO-3
RFM3N45 N-CHANNEL POWER MOSFET Harris Corporation	1,840 市场	不可用对您所选的货币不可用	-	散装	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	450 V	3A（Tc）	10V	3 欧姆 @ 1.5A，10V	4V @ 1mA	-	±20V	750 pF @ 25 V	-	75W（Tc）	-55°C ~ 150°C（TJ）	-	-	通孔	TO-3	TO-204AA，TO-3
IRF234 N-CHANNEL HERMETIC MOS HEXFET International Rectifier	789 市场	不可用对您所选的货币不可用	-	散装	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	250 V	8.4A	-	-	-	-	-	-	-	74W	-	-	-	通孔	TO-204AA（TO-3）	TO-204AA，TO-3
IRF431 MOSFET N-CH 450V 4.5A TO3 International Rectifier	1,201 市场	不可用对您所选的货币不可用	-	散装	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	450 V	4.5A	-	1.5 欧姆 @ 2.5A，10V	4V @ 250µA	30 nC @ 10 V	±20V	800 pF @ 25 V	-	75W（Tc）	-55°C ~ 150°C（TJ）	-	-	通孔	TO-3	TO-204AA，TO-3
IRF432 HEXFET POWER MOSFETS International Rectifier	1,192 市场	不可用对您所选的货币不可用	-	散装	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	500 V	4A	-	-	-	-	-	-	-	75W	-	-	-	通孔	TO-204AA（TO-3）	TO-204AA，TO-3
IRF430 500V, N-CHANNEL REPETITIVE AVALA International Rectifier	7,098 市场	不可用对您所选的货币不可用	HEXFET®	散装	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	500 V	4.5A（Tc）	10V	1.8 欧姆 @ 4.5A，10V	4V @ 250µA	40 nC @ 10 V	±20V	610 pF @ 25 V	-	75W（Tc）	-55°C ~ 150°C（TJ）	-	-	通孔	TO-204AA（TO-3）	TO-204AA，TO-3
IRF341 N-CHANNEL POWER MOSFET Harris Corporation	3,034 市场	不可用对您所选的货币不可用	-	散装	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	350 V	10A（Tc）	10V	550 毫欧 @ 5.2A，10V	4V @ 250µA	63 nC @ 10 V	±20V	1250 pF @ 25 V	-	125W（Tc）	-55°C ~ 150°C（TJ）	-	-	通孔	TO-3	TO-204AA，TO-3
IRF351 N-CHANNEL POWER MOSFET Harris Corporation	1,804 市场	不可用对您所选的货币不可用	-	散装	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	350 V	15A（Tc）	10V	300 毫欧 @ 8A，10V	4V @ 250µA	120 nC @ 10 V	±20V	2000 pF @ 25 V	-	150W（Tc）	-55°C ~ 150°C（TJ）	-	-	通孔	TO-3	TO-204AA，TO-3
IRF225 N-CHANNEL HERMETIC MOS HEXFET International Rectifier	288 市场	不可用对您所选的货币不可用	-	散装	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	250 V	3.3A	-	-	-	-	-	-	-	40W	-	-	-	通孔	TO-204AA（TO-3）	TO-204AA，TO-3
IRF224 N-CHANNEL HERMETIC MOS HEXFET International Rectifier	2,200 市场	不可用对您所选的货币不可用	-	散装	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	250 V	3.8A	-	-	-	-	-	-	-	40W	-	-	-	通孔	TO-204AA（TO-3）	TO-204AA，TO-3
IRF331 N-CHANNEL POWER MOSFET Harris Corporation	4,599 市场	不可用对您所选的货币不可用	-	散装	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	350 V	5.5A（Tc）	10V	1 欧姆 @ 3A，10V	4V @ 250µA	35 nC @ 10 V	±20V	700 pF @ 25 V	-	75W（Tc）	-55°C ~ 150°C（TJ）	-	-	通孔	TO-3	TO-204AA，TO-3
IRF244 N-CHANNEL POWER MOSFET Harris Corporation	39,062 市场	不可用对您所选的货币不可用	-	散装	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	250 V	8.8A（Tc）	10V	280 毫欧 @ 8A，10V	4V @ 250µA	59 nC @ 10 V	±20V	1300 pF @ 25 V	-	125W（Tc）	-55°C ~ 150°C（TJ）	-	-	通孔	TO-3	TO-204AA，TO-3
IRFAF20 N-CHANNEL HERMETIC MOS HEXFET International Rectifier	620 市场	不可用对您所选的货币不可用	-	散装	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	900 V	1.6A	-	-	-	-	-	-	-	50W	-	-	-	通孔	TO-204AA（TO-3）	TO-204AA，TO-3
IRFAG20 N-CHANNEL HERMETIC MOS HEXFET International Rectifier	1,122 市场	不可用对您所选的货币不可用	-	散装	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	1000 V	1.3A	-	-	-	-	-	-	-	50W	-	-	-	通孔	TO-204AA（TO-3）	TO-204AA，TO-3
IRF353 N-CHANNEL POWER MOSFET Harris Corporation	375 市场	不可用对您所选的货币不可用	-	散装	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	350 V	13A（Tc）	10V	400 毫欧 @ 8A，10V	4V @ 250µA	120 nC @ 10 V	±20V	2000 pF @ 25 V	-	150W（Tc）	-55°C ~ 150°C（TJ）	-	-	通孔	TO-3	TO-204AA，TO-3
IRF9230 200V, P-CHANNEL REPETITIVE AVALA International Rectifier	10,200 市场	不可用对您所选的货币不可用	HEXFET®	散装	在售	P 通道	MOSFET（金属氧化物）	200 V	6.5A（Tc）	10V	940 毫欧 @ 6.5A，10V	4V @ 250µA	31 nC @ 10 V	±20V	700 pF @ 25 V	-	75W（Tc）	-55°C ~ 150°C（TJ）	-	-	通孔	TO-204AA（TO-3）	TO-204AA，TO-3
IRFAC30 N-CHANNEL HERMETIC MOS HEXFET International Rectifier	427 市场	不可用对您所选的货币不可用	HEXFET®	散装	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	600 V	3.6A（Tc）	10V	2.5 欧姆 @ 3.6A，10V	4V @ 250µA	38 nC @ 10 V	±20V	630 pF @ 25 V	-	75W（Tc）	-55°C ~ 150°C（TJ）	-	-	通孔	TO-204AA（TO-3）	TO-204AA，TO-3
IRF9133 AUTOMOTIVE HEXFET P-CHANNEL POWE International Rectifier	200 市场	不可用对您所选的货币不可用	-	散装	在售	P 通道	MOSFET（金属氧化物）	80 V	10A	-	-	-	-	-	-	-	88W	-	-	-	通孔	TO-204AA（TO-3）	TO-204AA，TO-3
IRF9240 HEXFET POWER MOSFET International Rectifier	10,984 市场	不可用对您所选的货币不可用	HEXFET®	散装	在售	P 通道	MOSFET（金属氧化物）	200 V	11A（Tc）	10V	580 毫欧 @ 11A，10V	4V @ 250µA	60 nC @ 10 V	±20V	1200 pF @ 25 V	-	125W（Tc）	-55°C ~ 150°C（TJ）	-	-	通孔	TO-204AA（TO-3）	TO-204AA，TO-3
IRFAF40 N-CHANNEL HERMETIC MOS HEXFET International Rectifier	934 市场	不可用对您所选的货币不可用	HEXFET®	散装	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	900 V	4.3A（Tc）	10V	2.9 欧姆 @ 4.3A，10V	4V @ 250µA	120 nC @ 10 V	±20V	1500 pF @ 25 V	-	125W（Tc）	-55°C ~ 150°C（TJ）	-	-	通孔	TO-204AA（TO-3）	TO-204AA，TO-3
IRFAF50 N-CHANNEL HERMETIC MOS HEXFET International Rectifier	644 市场	不可用对您所选的货币不可用	HEXFET®	散装	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	900 V	6.2A（Tc）	10V	1.85 欧姆 @ 6.2A，10V	4V @ 250µA	180 nC @ 10 V	±20V	2700 pF @ 25 V	-	150W（Tc）	-55°C ~ 150°C（TJ）	-	-	通孔	TO-204AA（TO-3）	TO-204AA，TO-3
IRFAF52 N-CHANNEL HERMETIC MOS HEXFET International Rectifier	172 市场	不可用对您所选的货币不可用	-	散装	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	900 V	5.7A	-	-	-	-	-	-	-	150W	-	-	-	通孔	TO-204AA（TO-3）	TO-204AA，TO-3
IRFAC50 N-CHANNEL HERMETIC MOS HEXFET International Rectifier	129 市场	不可用对您所选的货币不可用	-	散装	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	600 V	10.6A	-	-	-	-	-	-	-	150W	-	-	-	通孔	TO-204AA（TO-3）	TO-204AA，TO-3
IRF362 N-CHANNEL HERMETIC MOS HEXFET International Rectifier	160 市场	不可用对您所选的货币不可用	-	散装	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	400 V	22A	-	-	-	-	-	-	-	300W	-	-	-	通孔	TO-204AA（TO-3）	TO-204AA，TO-3
IRF123 N-CHANNEL HERMETIC MOS HEXFET International Rectifier	738 市场	不可用对您所选的货币不可用	-	散装	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	60 V	7A（Tc）	10V	400 毫欧 @ 4A，10V	4V @ 250µA	15 nC @ 10 V	±20V	600 pF @ 25 V	-	40W（Tc）	-55°C ~ 150°C（TJ）	-	-	通孔	TO-3	TO-204AA，TO-3

显示

/ 52

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。

TO-204AA，TO-3 单 FET，MOSFET

TO-204AA，TO-3 单 FET，MOSFET

信息

帮助

联系我们

关注我们