Renesas Electronics Corporation 单 FET，MOSFET

结果 : 1,242
系列
-*
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）带托盘散装管件
产品状态
Digi-Key 停止提供不适用于新设计停产在售
FET 类型
-N 通道P 通道
技术
-MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
5.5 V12 V16 V20 V25 V30 V40 V43 V50 V55 V60 V75 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
100mA（Ta）100mA（Tc）200mA（Ta）300mA（Ta）400mA（Ta）400mA（Tj）500mA（Ta）800mA（Ta）900mA（Ta）1A（Ta）2A（Ta）2.4A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
1.5V，4V1.8V，4.5V2.5V，4.5V2.5V，4V2.5V，8V3V，4V3.5V，4.5V4V，10V4.5V，10V5V，10V5.5V，10V6V，10V7V，10V8V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
0.85 毫欧 @ 125A，10V1.05 毫欧 @ 90A，10V1.25 毫欧 @ 80A，10V1.25 毫欧 @ 90A，10V1.4 毫欧 @ 55A，10V1.4 毫欧 @ 90A，10V1.5 毫欧 @ 55A，10V1.5 毫欧 @ 90A，10V1.75 毫欧 @ 55A，10V1.75 毫欧 @ 90A，10V1.8 毫欧 @ 25A，10V1.8 毫欧 @ 55A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
750mV @ 1mA800mV @ 1mA800mV @ 250µA900mV @ 1mA1.1V @ 1µA1.2V @ 1mA1.4V @ 1mA1.5V @ 1mA1.5V @ 1µA1.5V @ 250µA1.6V @ 10µA1.7V @ 10µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
1.1 nC @ 4 V2 nC @ 4.5 V2.3 nC @ 4 V2.7 nC @ 4 V3 nC @ 4 V3 nC @ 4.5 V3.1 nC @ 4.5 V3.3 nC @ 4 V3.4 nC @ 10 V3.5 nC @ 4 V3.7 nC @ 4 V3.7 nC @ 4.5 V
Vgs（最大值）
+3V，-16V±5V±5.5V±7V+8V，-12V±8V+10V，-20V±10V+12V，-5V±12V±15V+16V，-12V+20V，-25V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
6 pF @ 3 V9 pF @ 3 V10 pF @ 0 V10 pF @ 10 V15 pF @ 3 V16 pF @ 5 V18 pF @ 3 V22 pF @ 0 V25 pF @ 25 V28 pF @ 5 V37.5 pF @ 25 V66 pF @ 25 V
FET 功能
-肖特基二极管（体）肖特基二极管（隔离式）
功率耗散（最大值）
200mW200mW（Ta）750mW（Ta）800mW（Ta）900mW（Ta）1W（Ta）1W（Ta），102W（Tc）1W（Ta），120W（Tc）1W（Ta），138W（Tc）1W（Ta），20W（Tc）1W（Ta），23W（Tc）1W（Ta），25W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C-55°C ~ 150°C（TJ）150°C150°C（TJ）175°C175°C（TJ）-
等级
-汽车级
资质
-AEC-Q101
安装类型
-表面贴装型通孔
供应商器件封装
2-HWSON（5x4）3-MPAK5-LFPAK6-CMFPAK6-HUSON（2x2）6-MLP（3x3）6-TSOP6-WLCSP（1.47x1.47）6-WSOF8-DFN（5x6）8-DFN3333（3.3x3.3）8-HSON
封装/外壳
2-DFN 裸露焊盘6-SMD，扁平引线6-SMD，无引线6-VDFN 裸露焊盘6-WFDFN 裸露焊盘8-PowerLDFN8-PowerSOIC（0.154"，3.90mm 宽）8-PowerSOIC（0.173"，4.40mm 宽）8-PowerVDFN8-PowerWDFN8-SMD，扁平引线8-SMD，扁平引线裸焊盘
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
1,242结果
应用的筛选条件 删除全部
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/ 1,242
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
7,113
现货
1 : ¥7.88000
剪切带（CT）
2,500 : ¥3.25972
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
12A（Tc）
4V，10V
130 毫欧 @ 6A，10V
2.5V @ 1mA
15 nC @ 10 V
±20V
720 pF @ 10 V
-
1W（Ta），23W（Tc）
150°C
-
-
表面贴装型
TO-252（MP-3ZK）
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
0
现货
查看交期
1 : ¥14.37000
剪切带（CT）
2,500 : ¥6.48460
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
35A（Ta）
4.5V，10V
7 毫欧 @ 17.5A，10V
-
14 nC @ 4.5 V
±20V
2010 pF @ 10 V
-
45W（Tc）
150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
LFPAK
SC-100，SOT-669
25,936
现货
1 : ¥14.53000
剪切带（CT）
2,500 : ¥6.55077
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
25A（Ta）
4.5V，10V
14 毫欧 @ 12.5A，10V
-
15 nC @ 4.5 V
±20V
2030 pF @ 10 V
-
45W（Tc）
150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
LFPAK
SC-100，SOT-669
17,936
现货
1 : ¥18.31000
剪切带（CT）
2,500 : ¥8.26015
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
50A（Tc）
-
16.5 毫欧 @ 25A，10V
2.5V @ 250µA
100 nC @ 10 V
-
5000 pF @ 10 V
-
1.2W（Ta），84W（Tc）
175°C（TJ）
-
-
表面贴装型
TO-252（MP-3ZK）
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
0
现货
查看交期
1 : ¥20.85000
剪切带（CT）
2,500 : ¥9.39606
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
45A（Ta）
4.5V，10V
3.5 毫欧 @ 22.5A，10V
-
26 nC @ 4.5 V
±20V
4030 pF @ 10 V
-
55W（Tc）
150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
LFPAK
SC-100，SOT-669
2,500
现货
1 : ¥21.10000
剪切带（CT）
2,500 : ¥9.52840
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
40A（Ta）
10V
4.9 毫欧 @ 20A，10V
-
25 nC @ 10 V
±20V
2000 pF @ 10 V
-
55W（Tc）
150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
LFPAK
SC-100，SOT-669
16,440
现货
1 : ¥96.55000
管件
-
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
1500 V
4A（Ta）
15V
7 欧姆 @ 2A，15V
-
-
±20V
1700 pF @ 10 V
-
125W（Tc）
150°C（TJ）
-
-
通孔
TO-3P
TO-3P-3，SC-65-3
17,177
现货
1 : ¥12.31000
剪切带（CT）
2,500 : ¥5.55824
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
20A（Tc）
4.5V，10V
48 毫欧 @ 10A，10V
2.5V @ 250µA
34 nC @ 10 V
±20V
1650 pF @ 10 V
-
1.2W（Ta），38W（Tc）
175°C（TJ）
-
-
表面贴装型
TO-252（MP-3ZK）
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
15,645
现货
1 : ¥12.48000
剪切带（CT）
2,500 : ¥5.16121
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
15A（Ta）
4.5V，10V
40 毫欧 @ 7.5A，10V
2.5V @ 250µA
23 nC @ 10 V
±20V
1100 pF @ 10 V
-
1.2W（Ta），30W（Tc）
175°C（TJ）
-
-
表面贴装型
TO-252（MP-3ZK）
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
8,096
现货
1 : ¥13.79000
剪切带（CT）
2,500 : ¥6.23095
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
36A（Tc）
4.5V，10V
30 毫欧 @ 18A，10V
-
52 nC @ 10 V
±20V
3200 pF @ 10 V
-
1.2W（Ta），56W（Tc）
175°C（TJ）
-
-
表面贴装型
TO-252（MP-3ZK）
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
3,988
现货
1 : ¥18.64000
剪切带（CT）
800 : ¥10.42543
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
36A（Tc）
4.5V，10V
17 毫欧 @ 18A，10V
2.5V @ 1mA
55 nC @ 10 V
±20V
2800 pF @ 10 V
-
1.8W（Ta），56W（Tc）
175°C（TJ）
-
-
表面贴装型
TO-263
TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
3,739
现货
1 : ¥19.46000
剪切带（CT）
2,500 : ¥8.78952
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
75A（Tc）
5V，10V
6.2 毫欧 @ 37.5A，10V
2.5V @ 250µA
141 nC @ 10 V
±20V
4800 pF @ 25 V
-
1W（Ta），138W（Tc）
175°C（TJ）
-
-
表面贴装型
8-HSON
8-SMD，扁平引线裸焊盘
14,803
现货
1 : ¥19.70000
剪切带（CT）
2,500 : ¥8.86669
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
75A（Tc）
5V，10V
9.7 毫欧 @ 37.5A，10V
2.5V @ 250µA
140 nC @ 10 V
±20V
4800 pF @ 25 V
-
1W（Ta），138W（Tc）
175°C（TJ）
-
-
表面贴装型
8-HSON
8-SMD，扁平引线裸焊盘
4,072
现货
1 : ¥20.85000
剪切带（CT）
2,500 : ¥8.74344
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
20A（Ta）
4.5V，10V
20 毫欧 @ 10A，10V
-
29 nC @ 4.5 V
±20V
4160 pF @ 10 V
-
55W（Tc）
150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
LFPAK
SC-100，SOT-669
4,874
现货
1 : ¥22.99000
剪切带（CT）
800 : ¥12.87441
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
50A（Tc）
4.5V，10V
17 毫欧 @ 25A，10V
2.5V @ 1mA
95 nC @ 10 V
±20V
5000 pF @ 10 V
-
1.8W（Ta），90W（Tc）
175°C（TJ）
-
-
表面贴装型
TO-263
TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
5,000
现货
1 : ¥23.48000
剪切带（CT）
2,500 : ¥10.58710
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
25A（Ta）
10V
14 毫欧 @ 12.5A，10V
-
41 nC @ 10 V
±20V
3000 pF @ 10 V
-
65W（Tc）
150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
LFPAK
SC-100，SOT-669
793
现货
1 : ¥42.53000
剪切带（CT）
800 : ¥25.68499
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
100A（Tc）
4.5V，10V
6 毫欧 @ 50A，10V
2.5V @ 1mA
300 nC @ 10 V
±20V
15000 pF @ 10 V
-
1.8W（Ta），200W（Tc）
175°C（TJ）
-
-
表面贴装型
TO-263
TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
507
现货
1 : ¥68.47000
管件
-
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
1500 V
2A（Ta）
15V
12 欧姆 @ 1A，15V
4V @ 1mA
-
±20V
990 pF @ 10 V
-
50W（Tc）
150°C
-
-
通孔
TO-3PFM
TO-220-3 整包
TO-3P-3, SC-65-3; PRSS0004ZE-A
2SK1317-E
MOSFET N-CH 1500V 2.5A TO3P
Renesas Electronics Corporation
4,274
现货
1 : ¥73.48000
管件
-
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
1500 V
2.5A（Ta）
15V
12 欧姆 @ 2A，15V
-
-
±20V
990 pF @ 10 V
-
100W（Tc）
150°C（TJ）
-
-
通孔
TO-3P
TO-3P-3，SC-65-3
6,000
现货
3,000 : ¥4.96879
卷带（TR）
-
卷带（TR）
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
400 V
3A（Ta）
10V
2.9 欧姆 @ 1.5A，10V
-
6 nC @ 10 V
±30V
165 pF @ 25 V
-
30W（Tc）
150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
MP-3A
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
2,500
现货
2,500 : ¥6.92572
卷带（TR）
-
卷带（TR）
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
33A（Tc）
5V，10V
14 毫欧 @ 16.5A，10V
2.5V @ 250µA
78 nC @ 10 V
±20V
3900 pF @ 25 V
-
1W（Ta），97W（Tc）
175°C（TJ）
-
-
表面贴装型
8-HSON
8-SMD，扁平引线裸焊盘
2,500
现货
2,500 : ¥11.42391
卷带（TR）
-
卷带（TR）
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
80 V
35A（Ta）
10V
8.9 毫欧 @ 17.5A，10V
-
40 nC @ 10 V
±20V
3000 pF @ 10 V
-
65W（Tc）
150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
LFPAK
SC-100，SOT-669
12,175
现货
1 : ¥12.07000
剪切带（CT）
2,500 : ¥5.00276
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
45A（Tc）
10V
9.6 毫欧 @ 23A，10V
4V @ 250µA
45 nC @ 10 V
±20V
2540 pF @ 25 V
-
1.8W（Ta），75W（Tc）
175°C
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
TO-263-3
TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
7,430
现货
1 : ¥12.15000
剪切带（CT）
2,500 : ¥5.01406
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
45A（Tc）
4.5V，10V
11.6 毫欧 @ 23A，10V
2.5V @ 250µA
38 nC @ 10 V
±20V
2300 pF @ 25 V
-
1.2W（Ta），75W（Tc）
175°C
-
-
表面贴装型
TO-252（MP-3ZP）
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
7,362
现货
1 : ¥12.15000
剪切带（CT）
2,500 : ¥5.02538
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
15A（Tc）
2.5V，4.5V
40 毫欧 @ 7.5A，4.5V
1.5V @ 1mA
16 nC @ 4.5 V
±12V
1400 pF @ 10 V
-
1W（Ta），25W（Tc）
150°C
-
-
表面贴装型
TO-252
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
显示
/ 1,242

Renesas Electronics Corporation 单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。