PowerSO-10 裸露底部焊盘 单 FET,MOSFET

结果 : 9
系列
STripFET™STripFET™ IISTripFET™ III
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)
产品状态
停产最后售卖
漏源电压(Vdss)
20 V24 V30 V40 V55 V75 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
160A(Tc)200A(Tc)240A(Tc)270A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
5V,10V10V10V,5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
1 毫欧 @ 80A,10V1.5 毫欧 @ 80A,10V2.2 毫欧 @ 75A,10V2.5 毫欧 @ 75A,10V2.5 毫欧 @ 80A,10V2.6 毫欧 @ 120A,10V2.7毫欧 @ 80A,10V2.8 毫欧 @ 80A,10V3 毫欧 @ 80A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1V @ 250µA2V @ 250µA4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
100 nC @ 10 V109 nC @ 10 V140 nC @ 10 V150 nC @ 10 V160 nC @ 10 V175 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±15V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
4700 pF @ 25 V4800 pF @ 15 V5350 pF @ 25 V5500 pF @ 15 V6800 pF @ 25 V7055 pF @ 15 V7500 pF @ 25 V
功率耗散(最大值)
210W(Tc)300W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 175°C(TJ)175°C(TJ)
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
9结果
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/ 9
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
PowerSO-10
STV270N4F3
MOSFET N-CH 40V 270A 10POWERSO
STMicroelectronics
1,120
现货
1 : ¥45.32000
剪切带(CT)
600 : ¥27.36328
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
最后售卖
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
270A(Tc)
10V
1.5 毫欧 @ 80A,10V
4V @ 250µA
150 nC @ 10 V
±20V
7500 pF @ 25 V
-
300W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
表面贴装型
10-PowerSO
PowerSO-10 裸露底部焊盘
PowerSO-10
STV160NF03LT4
MOSFET N-CH 30V 160A 10POWERSO
STMicroelectronics
87
现货
600 : ¥31.09463
卷带(TR)
卷带(TR)
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
160A(Tc)
5V,10V
2.8 毫欧 @ 80A,10V
1V @ 250µA
140 nC @ 10 V
±15V
4700 pF @ 25 V
-
210W(Tc)
175°C(TJ)
表面贴装型
10-PowerSO
PowerSO-10 裸露底部焊盘
PowerSO-10
STV300NH02L
MOSFET N-CH 24V 200A 10POWERSO
STMicroelectronics
0
现货
600 : ¥26.53408
卷带(TR)
卷带(TR)
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
24 V
200A(Tc)
10V,5V
1 毫欧 @ 80A,10V
2V @ 250µA
109 nC @ 10 V
±20V
7055 pF @ 15 V
-
300W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
表面贴装型
10-PowerSO
PowerSO-10 裸露底部焊盘
PowerSO-10
STV160NF02LAT4
MOSFET N-CH 20V 160A 10POWERSO
STMicroelectronics
0
现货
600 : ¥29.18750
卷带(TR)
卷带(TR)
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
160A(Tc)
5V,10V
2.7毫欧 @ 80A,10V
1V @ 250µA
175 nC @ 10 V
±15V
5500 pF @ 15 V
-
210W(Tc)
175°C(TJ)
表面贴装型
10-PowerSO
PowerSO-10 裸露底部焊盘
PowerSO-10
STV160NF03LAT4
MOSFET N-CH 30V 160A 10POWERSO
STMicroelectronics
0
现货
600 : ¥29.18750
卷带(TR)
卷带(TR)
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
160A(Tc)
5V,10V
3 毫欧 @ 80A,10V
1V @ 250µA
160 nC @ 10 V
±15V
5350 pF @ 25 V
-
210W(Tc)
175°C(TJ)
表面贴装型
10-PowerSO
PowerSO-10 裸露底部焊盘
PowerSO-10
STV160NF02LT4
MOSFET N-CH 20V 160A 10POWERSO
STMicroelectronics
0
现货
600 : ¥31.84090
卷带(TR)
卷带(TR)
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
160A(Tc)
5V,10V
2.5 毫欧 @ 80A,10V
1V @ 250µA
160 nC @ 10 V
±15V
4800 pF @ 15 V
-
210W(Tc)
175°C(TJ)
表面贴装型
10-PowerSO
PowerSO-10 裸露底部焊盘
PowerSO-10
STV200N55F3
MOSFET N-CH 55V 200A 10POWERSO
STMicroelectronics
0
现货
600 : ¥31.84090
卷带(TR)
卷带(TR)
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
55 V
200A(Tc)
10V
2.5 毫欧 @ 75A,10V
4V @ 250µA
100 nC @ 10 V
±20V
6800 pF @ 25 V
-
300W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
表面贴装型
10-PowerSO
PowerSO-10 裸露底部焊盘
PowerSO-10
STV240N75F3
MOSFET N-CH 75V 240A 10POWERSO
STMicroelectronics
0
现货
1 : ¥44.99000
剪切带(CT)
600 : ¥27.17090
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
75 V
240A(Tc)
10V
2.6 毫欧 @ 120A,10V
4V @ 250µA
100 nC @ 10 V
±20V
6800 pF @ 25 V
-
300W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
表面贴装型
10-PowerSO
PowerSO-10 裸露底部焊盘
PowerSO-10
STV250N55F3
MOSFET N-CH 55V 200A 10POWERSO
STMicroelectronics
0
现货
停产
卷带(TR)
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
55 V
200A(Tc)
10V
2.2 毫欧 @ 75A,10V
4V @ 250µA
100 nC @ 10 V
±20V
6800 pF @ 25 V
-
300W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
表面贴装型
10-PowerSO
PowerSO-10 裸露底部焊盘
显示
/ 9

PowerSO-10 裸露底部焊盘 单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。