PowerPAK® SC-70-6 双 单 FET,MOSFET

结果 : 11
系列
LITTLE FOOT®TrenchFET®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)
产品状态
停产在售
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压(Vdss)
20 V30 V40 V190 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
950mA(Tc)4.5A(Tc)7.8A(Tc)13A(Ta), 31A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
1.8V,4.5V2.5V,10V4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
11 毫欧 @ 10A,10V28 毫欧 @ 5A,4.5V53 毫欧 @ 3.7A,4.5V61 毫欧 @ 3.3A,10V65 毫欧 @ 3A,10V94 毫欧 @ 2.8A,4.5V116 毫欧 @ 2.8A,4.5V3.8 欧姆 @ 360mA,4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1V @ 250µA1.1V @ 250µA1.3V @ 250µA1.4V @ 250µA1.5V @ 250µA2.4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
4.5 nC @ 10 V8 nC @ 4.5 V11 nC @ 10 V11.5 nC @ 8 V13 nC @ 8 V19 nC @ 10 V23 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±8V±12V±16V+20V,-16V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
90 pF @ 100 V340 pF @ 10 V345 pF @ 10 V355 pF @ 10 V400 pF @ 10 V525 pF @ 10 V600 pF @ 15 V915 pF @ 20 V
FET 功能
-肖特基二极管(隔离式)
功率耗散(最大值)
1.8W(Ta),6.5W(Tc)1.9W(Ta),6.5W(Tc)1.9W(Ta),7W(Tc)3.5W(Ta),19.2W(Tc)13.6W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)-55°C ~ 175°C(TJ)
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
11结果
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制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
PowerPAK-SC-70W-6L-Single_Top
SQA410CEJW-T1_GE3
AUTOMOTIVE N-CHANNEL 20 V (D-S)
Vishay Siliconix
8,903
现货
1 : ¥3.45000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.15211
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
7.8A(Tc)
1.8V,4.5V
28 毫欧 @ 5A,4.5V
1.1V @ 250µA
8 nC @ 4.5 V
±8V
525 pF @ 10 V
-
13.6W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
表面贴装型
PowerPAK® SC-70-6 双
PowerPAK® SC-70-6 双
PowerPAK SC-70-6 Dual
SIA817EDJ-T1-GE3
MOSFET P-CH 30V 4.5A PPAK SC70-6
Vishay Siliconix
9,228
现货
1 : ¥4.02000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.34537
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
4.5A(Tc)
2.5V,10V
65 毫欧 @ 3A,10V
1.3V @ 250µA
23 nC @ 10 V
±12V
600 pF @ 15 V
肖特基二极管(隔离式)
1.9W(Ta),6.5W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
PowerPAK® SC-70-6 双
PowerPAK® SC-70-6 双
PowerPAK SC-70-6 Dual
SIA811ADJ-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 4.5A PPAK SC70-6
Vishay Siliconix
2,763
现货
1 : ¥4.35000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.23147
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
4.5A(Tc)
1.8V,4.5V
116 毫欧 @ 2.8A,4.5V
1V @ 250µA
13 nC @ 8 V
±8V
345 pF @ 10 V
肖特基二极管(隔离式)
1.8W(Ta),6.5W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
PowerPAK® SC-70-6 双
PowerPAK® SC-70-6 双
SIA4446DJ-T1-GE3
SIA4446DJ-T1-GE3
N-CHANNEL 40 V (D-S) MOSFET POWE
Vishay Siliconix
5,704
现货
1 : ¥5.58000
剪切带(CT)
3,000 : ¥2.10915
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
13A(Ta), 31A(Tc)
4.5V,10V
11 毫欧 @ 10A,10V
2.4V @ 250µA
19 nC @ 10 V
+20V,-16V
915 pF @ 20 V
-
3.5W(Ta),19.2W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
PowerPAK® SC-70-6 双
PowerPAK® SC-70-6 双
PowerPAK SC-70-6 Dual
SIA811DJ-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 4.5A PPAK SC70-6
Vishay Siliconix
0
现货
3,000 : ¥2.48136
卷带(TR)
卷带(TR)
停产
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
4.5A(Tc)
1.8V,4.5V
94 毫欧 @ 2.8A,4.5V
1V @ 250µA
13 nC @ 8 V
±8V
355 pF @ 10 V
肖特基二极管(隔离式)
1.9W(Ta),6.5W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
PowerPAK® SC-70-6 双
PowerPAK® SC-70-6 双
PowerPAK SC-70-6 Dual
SIA811DJ-T1-E3
MOSFET P-CH 20V 4.5A PPAK SC70-6
Vishay Siliconix
0
现货
3,000 : ¥2.82962
卷带(TR)
卷带(TR)
停产
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
4.5A(Tc)
1.8V,4.5V
94 毫欧 @ 2.8A,4.5V
1V @ 250µA
13 nC @ 8 V
±8V
355 pF @ 10 V
肖特基二极管(隔离式)
1.9W(Ta),6.5W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
PowerPAK® SC-70-6 双
PowerPAK® SC-70-6 双
PowerPAK SC-70-6 Dual
SIA810DJ-T1-E3
MOSFET N-CH 20V 4.5A PPAK SC70-6
Vishay Siliconix
0
现货
1 : ¥6.24000
剪切带(CT)
3,000 : ¥2.36319
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
4.5A(Tc)
1.8V,4.5V
53 毫欧 @ 3.7A,4.5V
1V @ 250µA
11.5 nC @ 8 V
±8V
400 pF @ 10 V
肖特基二极管(隔离式)
1.9W(Ta),6.5W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
PowerPAK® SC-70-6 双
PowerPAK® SC-70-6 双
PowerPAK SC-70-6 Dual
SIA810DJ-T1-GE3
MOSFET N-CH 20V 4.5A PPAK SC70-6
Vishay Siliconix
0
现货
在售
卷带(TR)
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
4.5A(Tc)
1.8V,4.5V
53 毫欧 @ 3.7A,4.5V
1V @ 250µA
11.5 nC @ 8 V
±8V
400 pF @ 10 V
肖特基二极管(隔离式)
1.9W(Ta),6.5W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
PowerPAK® SC-70-6 双
PowerPAK® SC-70-6 双
PowerPAK SC-70-6 Dual
SIA813DJ-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 4.5A PPAK SC70-6
Vishay Siliconix
0
现货
在售
卷带(TR)
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
4.5A(Tc)
1.8V,4.5V
94 毫欧 @ 2.8A,4.5V
1V @ 250µA
13 nC @ 8 V
±8V
355 pF @ 10 V
肖特基二极管(隔离式)
1.9W(Ta),6.5W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
PowerPAK® SC-70-6 双
PowerPAK® SC-70-6 双
PowerPAK SC-70-6 Dual
SIA814DJ-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 4.5A PPAK SC70-6
Vishay Siliconix
0
现货
停产
卷带(TR)
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
4.5A(Tc)
2.5V,10V
61 毫欧 @ 3.3A,10V
1.5V @ 250µA
11 nC @ 10 V
±12V
340 pF @ 10 V
肖特基二极管(隔离式)
1.9W(Ta),6.5W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
PowerPAK® SC-70-6 双
PowerPAK® SC-70-6 双
PowerPAK SC-70-6 Dual
SIA850DJ-T1-GE3
MOSFET N-CH 190V 950MA PPAK
Vishay Siliconix
0
现货
停产
卷带(TR)
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
190 V
950mA(Tc)
1.8V,4.5V
3.8 欧姆 @ 360mA,4.5V
1.4V @ 250µA
4.5 nC @ 10 V
±16V
90 pF @ 100 V
肖特基二极管(隔离式)
1.9W(Ta),7W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
PowerPAK® SC-70-6 双
PowerPAK® SC-70-6 双
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PowerPAK® SC-70-6 双 单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。