DirectFET™ 等容 MX 单 FET,MOSFET

结果 : 77
制造商
Infineon TechnologiesInternational Rectifier
系列
HEXFET®HEXFET®, StrongIRFET™OptiMOS®OptiMOS™3
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)散装
产品状态
不适用于新设计停产在售
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压(Vdss)
20 V25 V30 V40 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
15A(Ta),106A(Tc)15A(Ta),60A(Tc)19A(Ta),106A(Tc)22A(Ta),160A(Tc)23A(Ta),140A(Tc)24A(Ta),136A(Tc)25A(Ta),140A(Tc)27A(Ta),150A(Tc)27A(Ta),160A(Tc)28A(Ta),170A(Tc)29A(Ta),166A(Tc)29A(Ta),180A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
4.5V,10V6V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
1.1 毫欧 @ 35A,10V1.25 毫欧 @ 38A,10V1.3 毫欧 @ 33A,10V1.3 毫欧 @ 37A,10V1.4 毫欧 @ 38A,10V1.4 毫欧 @ 90A,10V1.6 毫欧 @ 34A,10V1.6 毫欧 @ 40A,10V1.7 毫欧 @ 32A,10V1.8 毫欧 @ 31A,10V1.8 毫欧 @ 32A,10V2.1 毫欧 @ 29A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.1V @ 100µA2.2V @ 250µA2.25V @ 250µA2.35V @ 100µA2.35V @ 150µA2.35V @ 250µA2.4V @ 100µA2.4V @ 150µA2.45V @ 250µA3.9V @ 150µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
38 nC @ 4.5 V39 nC @ 4.5 V42 nC @ 4.5 V42 nC @ 10 V44 nC @ 4.5 V45 nC @ 4.5 V47 nC @ 4.5 V51 nC @ 4.5 V53 nC @ 4.5 V54 nC @ 4.5 V56 nC @ 4.5 V57 nC @ 4.5 V
Vgs(最大值)
±16V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
3000 pF @ 15 V3765 pF @ 20 V3770 pF @ 15 V3890 pF @ 13 V3970 pF @ 15 V4110 pF @ 15 V4130 pF @ 10 V4160 pF @ 13 V4260 pF @ 13 V4280 pF @ 13 V4404 pF @ 15 V4420 pF @ 13 V
FET 功能
-肖特基二极管(体)
功率耗散(最大值)
2.1W(Ta),113W(Tc)2.1W(Ta),54W(Tc)2.1W(Ta),75W(Tc)2.1W(Ta),78W(Tc)2.2W(Ta),28W(Tc)2.2W(Ta),42W(Tc)2.8W(Ta),100W(Tc)2.8W(Ta),104W(Tc)2.8W(Ta),75W(Tc)2.8W(Ta),78W(Tc)2.8W(Ta),89W(Tc)2.8W(Ta),96W(Tc)3.6W(Ta),78W(Tc)3.9W(Ta),89W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)-40°C ~ 150°C(TJ)
供应商器件封装
DIRECTFET™ MXDirectFET™ 等容 MXMG-WDSON-2
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
77结果
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/ 77
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
IRF7946TRPBF
IRF7946TRPBF
MOSFET N-CH 40V 90A DIRECTFET MX
Infineon Technologies
4,800
现货
1 : ¥18.39000
剪切带(CT)
4,800 : ¥7.97403
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
90A(Tc)
6V,10V
1.4 毫欧 @ 90A,10V
3.9V @ 150µA
212 nC @ 10 V
±20V
6852 pF @ 25 V
-
96W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
DIRECTFET™ MX
DirectFET™ 等容 MX
DirectFET™ Isometric MX_A
IRF6727MTRPBF
MOSFET N-CH 30V 32A DIRECTFET
Infineon Technologies
8,749
现货
1 : ¥20.44000
剪切带(CT)
4,800 : ¥8.86132
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
32A(Ta),180A(Tc)
4.5V,10V
1.7 毫欧 @ 32A,10V
2.35V @ 100µA
74 nC @ 4.5 V
±20V
6190 pF @ 15 V
-
2.8W(Ta),89W(Tc)
-40°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
DIRECTFET™ MX
DirectFET™ 等容 MX
DirectFET™ Isometric MX_A
IRF6717MTRPBF
MOSFET N-CH 25V 38A DIRECTFET
Infineon Technologies
4,499
现货
1 : ¥23.97000
剪切带(CT)
4,800 : ¥10.41516
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
25 V
38A(Ta),200A(Tc)
4.5V,10V
1.25 毫欧 @ 38A,10V
2.35V @ 150µA
69 nC @ 4.5 V
±20V
6750 pF @ 13 V
-
2.8W(Ta),96W(Tc)
-40°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
DIRECTFET™ MX
DirectFET™ 等容 MX
DirectFET™ Isometric MX_A
IRF9383MTRPBF
MOSFET P-CH 30V 22A DIRECTFET
Infineon Technologies
6,381
现货
1 : ¥23.81000
剪切带(CT)
4,800 : ¥10.33874
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
不适用于新设计
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
22A(Ta),160A(Tc)
4.5V,10V
2.9 毫欧 @ 22A,10V
2.4V @ 150µA
130 nC @ 10 V
±20V
7305 pF @ 15 V
-
2.1W(Ta),113W(Tc)
-40°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
DIRECTFET™ MX
DirectFET™ 等容 MX
14,925
市场
不可用
对您所选的货币不可用
散装
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
15A(Ta),60A(Tc)
4.5V,10V
5 毫欧 @ 20A,10V
2.2V @ 250µA
42 nC @ 10 V
±20V
3000 pF @ 15 V
-
2.2W(Ta),28W(Tc)
-40°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
MG-WDSON-2
DirectFET™ 等容 MX
9,963
市场
不可用
对您所选的货币不可用
散装
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
15A(Ta),106A(Tc)
4.5V,10V
2.4 毫欧 @ 20A,10V
2.2V @ 250µA
71 nC @ 10 V
±20V
5500 pF @ 15 V
-
2.2W(Ta),42W(Tc)
-40°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
MG-WDSON-2
DirectFET™ 等容 MX
INFIRFAUIRF7647S2TR
IRF8304MTRPBF
IRF8304 - 12V-300V N-CHANNEL POW
Infineon Technologies
4,408
市场
不可用
对您所选的货币不可用
散装
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
28A(Ta),170A(Tc)
4.5V,10V
2.2 毫欧 @ 28A,10V
2.35V @ 100µA
42 nC @ 4.5 V
±20V
4700 pF @ 15 V
-
2.8W(Ta),100W(Tc)
-40°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
DirectFET™ 等容 MX
DirectFET™ 等容 MX
INFIRFAUIRF7647S2TR
IRF8308MTRPBF
TRENCH MOSFET - DIRECTFET MV
International Rectifier
10,644
市场
不可用
对您所选的货币不可用
散装
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
27A(Ta),150A(Tc)
4.5V,10V
2.5 毫欧 @ 27A,10V
2.35V @ 100µA
42 nC @ 4.5 V
±20V
4404 pF @ 15 V
-
2.8W(Ta),89W(Tc)
-40°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
DIRECTFET™ MX
DirectFET™ 等容 MX
INFIRFAUIRF7647S2TR
IRF6616TRPBF
IRF6616 - MOSFET, 40V, 106A, 5.0
International Rectifier
4,637
市场
不可用
对您所选的货币不可用
散装
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
19A(Ta),106A(Tc)
4.5V,10V
5 毫欧 @ 19A,10V
2.25V @ 250µA
44 nC @ 4.5 V
±20V
3765 pF @ 20 V
-
2.8W(Ta),89W(Tc)
-40°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
DIRECTFET™ MX
DirectFET™ 等容 MX
DirectFET™ Isometric MX_A
IRF8306MTRPBF
MOSFET N-CH 30V 23A DIRECTFET
Infineon Technologies
0
现货
9,600
市场
停产
卷带(TR)
散装
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
23A(Ta),140A(Tc)
4.5V,10V
2.5 毫欧 @ 23A,10V
2.35V @ 100µA
38 nC @ 4.5 V
±20V
4110 pF @ 15 V
肖特基二极管(体)
2.1W(Ta),75W(Tc)
-40°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
DIRECTFET™ MX
DirectFET™ 等容 MX
DirectFET™ Isometric MX_A
IRF6619TR1PBF
MOSFET N-CH 20V 30A DIRECTFET
Infineon Technologies
2,000
现货
1,000 : ¥11.28848
卷带(TR)
卷带(TR)
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
30A(Ta),150A(Tc)
4.5V,10V
2.2 毫欧 @ 30A,10V
2.45V @ 250µA
57 nC @ 4.5 V
±20V
5040 pF @ 10 V
-
2.8W(Ta),89W(Tc)
-40°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
DIRECTFET™ MX
DirectFET™ 等容 MX
DirectFET™ Isometric MX_A
IRF6619
MOSFET N-CH 20V 30A DIRECTFET
Infineon Technologies
13,859
现货
1 : ¥15.27000
剪切带(CT)
4,800 : ¥11.28848
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
30A(Ta),150A(Tc)
4.5V,10V
2.2 毫欧 @ 30A,10V
2.45V @ 250µA
57 nC @ 4.5 V
±20V
5040 pF @ 10 V
-
2.8W(Ta),89W(Tc)
-40°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
DIRECTFET™ MX
DirectFET™ 等容 MX
DirectFET™ Isometric MX_A
IRF6619TR1
MOSFET N-CH 20V 30A DIRECTFET
Infineon Technologies
7,158
现货
1 : ¥15.27000
剪切带(CT)
1,000 : ¥11.28848
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
30A(Ta),150A(Tc)
4.5V,10V
2.2 毫欧 @ 30A,10V
2.45V @ 250µA
57 nC @ 4.5 V
±20V
5040 pF @ 10 V
-
2.8W(Ta),89W(Tc)
-40°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
DIRECTFET™ MX
DirectFET™ 等容 MX
DirectFET™ Isometric MX_A
IRF6620TRPBF
MOSFET N-CH 20V 27A DIRECTFET
Infineon Technologies
165
现货
1 : ¥17.98000
剪切带(CT)
卷带(TR)
剪切带(CT)
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
27A(Ta),150A(Tc)
4.5V,10V
2.7 毫欧 @ 27A,10V
2.45V @ 250µA
42 nC @ 4.5 V
±20V
4130 pF @ 10 V
-
2.8W(Ta),89W(Tc)
-40°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
DIRECTFET™ MX
DirectFET™ 等容 MX
DirectFET™ Isometric MX_A
IRF6794MTR1PBF
MOSFET N-CH 25V 32A DIRECTFET
Infineon Technologies
300
现货
1 : ¥18.72000
剪切带(CT)
剪切带(CT)
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
25 V
32A(Ta),200A(Tc)
4.5V,10V
1.7 毫欧 @ 32A,10V
2.35V @ 100µA
47 nC @ 4.5 V
±20V
4420 pF @ 13 V
肖特基二极管(体)
2.8W(Ta),100W(Tc)
-40°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
DIRECTFET™ MX
DirectFET™ 等容 MX
DirectFET™ Isometric MX_A
IRF6795MTRPBF
MOSFET N-CH 25V 32A DIRECTFET
Infineon Technologies
887
现货
1 : ¥19.05000
剪切带(CT)
卷带(TR)
剪切带(CT)
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
25 V
32A(Ta),160A(Tc)
4.5V,10V
1.8 毫欧 @ 32A,10V
2.35V @ 100µA
53 nC @ 4.5 V
±20V
4280 pF @ 13 V
-
2.8W(Ta),75W(Tc)
-40°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
DIRECTFET™ MX
DirectFET™ 等容 MX
INFIRFAUIRF7647S2TR
IRF6714MTRPBF
MOSFET N-CH 25V 29A/166A DIRECT
International Rectifier
57,902
市场
不可用
对您所选的货币不可用
散装
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
25 V
29A(Ta),166A(Tc)
4.5V,10V
2.1 毫欧 @ 29A,10V
2.4V @ 100µA
44 nC @ 4.5 V
±20V
3890 pF @ 13 V
-
2.8W(Ta),89W(Tc)
-40°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
DIRECTFET™ MX
DirectFET™ 等容 MX
INFIRFAUIRF7647S2TR
IRF6795MTRPBF
IRF6795 - 12V-300V N-CHANNEL POW
International Rectifier
31,207
市场
不可用
对您所选的货币不可用
散装
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
25 V
32A(Ta),160A(Tc)
4.5V,10V
1.8 毫欧 @ 32A,10V
2.35V @ 100µA
53 nC @ 4.5 V
±20V
4280 pF @ 13 V
-
2.8W(Ta),75W(Tc)
-40°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
DIRECTFET™ MX
DirectFET™ 等容 MX
IFEIRFIRF6614TRPBF
IRF6724MTRPBF
MOSFET N-CH 30V 27A/150A DIRECT
International Rectifier
1,524
市场
不可用
对您所选的货币不可用
散装
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
27A(Ta),150A(Tc)
4.5V,10V
2.5 毫欧 @ 27A,10V
2.35V @ 100µA
54 nC @ 4.5 V
±20V
4404 pF @ 15 V
-
2.8W(Ta),89W(Tc)
-40°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
DIRECTFET™ MX
DirectFET™ 等容 MX
INFIRFAUIRF7647S2TR
IRF6797MTRPBF
IRF6797 - 12V-300V N-CHANNEL POW
Infineon Technologies
16,950
市场
不可用
对您所选的货币不可用
散装
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
25 V
36A(Ta),210A(Tc)
4.5V,10V
1.4 毫欧 @ 38A,10V
2.35V @ 150µA
68 nC @ 4.5 V
±20V
5790 pF @ 13 V
-
2.8W(Ta),89W(Tc)
-40°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
DIRECTFET™ MX
DirectFET™ 等容 MX
INFIRFAUIRF7647S2TR
IRF6797MTRPBF
MOSFET N-CH 25V 36A/210A DIRECT
International Rectifier
11,833
市场
不可用
对您所选的货币不可用
散装
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
25 V
36A(Ta),210A(Tc)
4.5V,10V
1.4 毫欧 @ 38A,10V
2.35V @ 150µA
68 nC @ 4.5 V
±20V
5790 pF @ 13 V
-
2.8W(Ta),89W(Tc)
-40°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
DIRECTFET™ MX
DirectFET™ 等容 MX
INFIRFAUIRF7647S2TR
IRF6716MTRPBF
IRF6716 - 12V-300V N-CHANNEL POW
International Rectifier
86,468
市场
不可用
对您所选的货币不可用
散装
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
25 V
39A(Ta),180A(Tc)
4.5V,10V
1.6 毫欧 @ 40A,10V
2.4V @ 100µA
59 nC @ 4.5 V
±20V
5150 pF @ 13 V
-
3.6W(Ta),78W(Tc)
-40°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
DIRECTFET™ MX
DirectFET™ 等容 MX
INFIRFAUIRF7647S2TR
IRF6716MTRPBF
IRF6716 - 12V-300V N-CHANNEL POW
Infineon Technologies
73,682
市场
不可用
对您所选的货币不可用
散装
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
25 V
39A(Ta),180A(Tc)
4.5V,10V
1.6 毫欧 @ 40A,10V
2.4V @ 100µA
59 nC @ 4.5 V
±20V
5150 pF @ 13 V
-
3.6W(Ta),78W(Tc)
-40°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
DIRECTFET™ MX
DirectFET™ 等容 MX
INFIRFAUIRF7647S2TR
IRF6620TRPBF
IRF6620 - 12V-300V N-CHANNEL POW
International Rectifier
980
市场
不可用
对您所选的货币不可用
散装
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
27A(Ta),150A(Tc)
4.5V,10V
2.7 毫欧 @ 27A,10V
2.45V @ 250µA
42 nC @ 4.5 V
±20V
4130 pF @ 10 V
-
2.8W(Ta),89W(Tc)
-40°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
DIRECTFET™ MX
DirectFET™ 等容 MX
DirectFET™ Isometric MX_A
IRF6716MTRPBF
MOSFET N-CH 25V 39A DIRECTFET
Infineon Technologies
0
现货
1 : ¥22.41000
剪切带(CT)
4,800 : ¥10.45005
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
不适用于新设计
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
25 V
39A(Ta),180A(Tc)
4.5V,10V
1.6 毫欧 @ 40A,10V
2.4V @ 100µA
59 nC @ 4.5 V
±20V
5150 pF @ 13 V
-
3.6W(Ta),78W(Tc)
-40°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
DIRECTFET™ MX
DirectFET™ 等容 MX
显示
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DirectFET™ 等容 MX 单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。