9-UFBGA,DSBGA 单 FET,MOSFET

结果 : 8
系列
-NexFET™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)散装
产品状态
停产在售
漏源电压(Vdss)
8 V20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
4A(Ta)5A(Ta)10A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
1.8V,4.5V2.5V,4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
5.7 毫欧 @ 2A,4.5V9.9m옴 @ 2A,4.5V12.2 毫欧 @ 2A,4.5V26 毫欧 @ 2A,4.5V40 毫欧 @ 2A,4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
950mV @ 250µA1.05V @ 250µA1.1V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
5.6 nC @ 4.5 V7.5 nC @ 4.5 V8.4 nC @ 4.5 V14.6 nC @ 4.5 V24.6 nC @ 4.5 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
510 pF @ 10 V1010 pF @ 10 V1130 pF @ 4 V1390 pF @ 4 V2275 pF @ 4 V
功率耗散(最大值)
500mW(Ta)1.5W(Ta)1.7W(Ta)
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
8结果
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/ 8
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
YZF-9-BGA Pkg
CSD22202W15
MOSFET P-CH 8V 10A 9DSBGA
Texas Instruments
52,918
现货
1 : ¥5.75000
剪切带(CT)
3,000 : ¥2.19588
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
8 V
10A(Ta)
2.5V,4.5V
12.2 毫欧 @ 2A,4.5V
1.1V @ 250µA
8.4 nC @ 4.5 V
-6V
1390 pF @ 4 V
-
1.5W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
9-DSBGA
9-UFBGA,DSBGA
YZF-9-BGA Pkg
CSD22204WT
MOSFET P-CH 8V 5A 9DSBGA
Texas Instruments
5,437
现货
1 : ¥6.81000
剪切带(CT)
250 : ¥4.30424
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
8 V
5A(Ta)
2.5V,4.5V
9.9m옴 @ 2A,4.5V
950mV @ 250µA
24.6 nC @ 4.5 V
-6V
1130 pF @ 4 V
-
1.7W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
9-DSBGA
9-UFBGA,DSBGA
YZF-9-BGA Pkg
CSD22206WT
MOSFET P-CH 8V 5A 9DSBGA
Texas Instruments
14,901
现货
1 : ¥7.72000
剪切带(CT)
250 : ¥4.87400
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
8 V
5A(Ta)
2.5V,4.5V
5.7 毫欧 @ 2A,4.5V
1.05V @ 250µA
14.6 nC @ 4.5 V
-6V
2275 pF @ 4 V
-
1.7W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
9-DSBGA
9-UFBGA,DSBGA
YZF-9-BGA Pkg
CSD22206W
MOSFET P-CH 8V 5A 9DSBGA
Texas Instruments
2,959
现货
1 : ¥8.54000
剪切带(CT)
3,000 : ¥2.10792
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
8 V
5A(Ta)
2.5V,4.5V
5.7 毫欧 @ 2A,4.5V
1.05V @ 250µA
14.6 nC @ 4.5 V
-6V
2275 pF @ 4 V
-
1.7W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
9-DSBGA
9-UFBGA,DSBGA
YZF-9-BGA Pkg
CSD25202W15T
MOSFET P-CH 20V 4A 9DSBGA
Texas Instruments
1,450
现货
5,000
市场
1 : ¥10.10000
剪切带(CT)
250 : ¥4.46188
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
散装
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
4A(Ta)
1.8V,4.5V
26 毫欧 @ 2A,4.5V
1.05V @ 250µA
7.5 nC @ 4.5 V
-6V
1010 pF @ 10 V
-
500mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
9-DSBGA
9-UFBGA,DSBGA
CSD25202W15
CSD25202W15
MOSFET P-CH 20V 4A 9DSBGA
Texas Instruments
2,905
现货
1 : ¥5.01000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.48803
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
4A(Ta)
1.8V,4.5V
26 毫欧 @ 2A,4.5V
1.05V @ 250µA
7.5 nC @ 4.5 V
-6V
1010 pF @ 10 V
-
500mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
9-DSBGA
9-UFBGA,DSBGA
YZF-9-BGA Pkg
CSD22204W
MOSFET P-CH 8V 5A 9DSBGA
Texas Instruments
5,980
现货
1 : ¥5.34000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.81013
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
8 V
5A(Ta)
2.5V,4.5V
9.9m옴 @ 2A,4.5V
950mV @ 250µA
24.6 nC @ 4.5 V
-6V
1130 pF @ 4 V
-
1.7W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
9-DSBGA
9-UFBGA,DSBGA
YZF-9-BGA Pkg
CSD25201W15
MOSFET P-CH 20V 4A 9DSBGA
Texas Instruments
0
现货
1,086
市场
停产
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
散装
停产
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
4A(Ta)
1.8V,4.5V
40 毫欧 @ 2A,4.5V
1.1V @ 250µA
5.6 nC @ 4.5 V
-6V
510 pF @ 10 V
-
1.5W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
9-DSBGA
9-UFBGA,DSBGA
显示
/ 8

9-UFBGA,DSBGA 单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。