9-PowerWDFN 单 FET,MOSFET

结果 : 10
制造商
Infineon Technologiesonsemi
系列
-OptiMOS™ 5OptiMOS™ 6OptiMOS™ 7
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)
漏源电压(Vdss)
15 V25 V40 V60 V80 V100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
13A(Ta),85A(Tc)15.6A(Ta),99A(Tc)16A(Ta),99A(Tc)21A(Ta),132A(Tc)23A(Ta),150A(Tc)24A(Ta),151A(Tc)31A(Ta),205A(Tc)39A(Ta),264A(Tc)47A(Ta),310A(Tc)58A(Ta),379A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
4.5V,10V4.5V,7V6V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
0.45 毫欧 @ 30A,7V0.58 毫欧 @ 20A,10V0.85 毫欧 @ 27A,10V1.35 毫欧 @ 20A,10V2,1毫欧 @ 23A,10V2.2 毫欧 @ 20A,10V3 毫欧 @ 20A,10V4.6 毫欧 @ 20A,10V5 毫欧 @ 20A,10V6.5 毫欧 @ 20A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2V @ 120µA2V @ 250µA2V @ 432µA2V @ 51µA2V @ 934µA2.3V @ 47µA2.3V @ 48µA3.3V @ 50µA3.8V @ 48µA3.8V @ 49µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
20.3 nC @ 4.5 V38 nC @ 10 V41 nC @ 10 V43 nC @ 10 V44 nC @ 10 V49 nC @ 10 V53 nC @ 10 V55 nC @ 7 V60 nC @ 10 V82 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±7V±16V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
2760 pF @ 20 V2900 pF @ 40 V3000 pF @ 50 V3250 pF @ 40 V3800 pF @ 20 V3800 pF @ 30 V4360 pF @ 13 V4420 pF @ 30 V5453 pF @ 12 V6240 pF @ 7.5 V
功率耗散(最大值)
2W(Ta),84W(Tc)2W(Ta),89W(Tc)2.1W(Ta),89W(Tc)2.5W(Ta),100W(Tc)2.5W(Ta),107W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)-55°C ~ 175°C(TJ)
供应商器件封装
9-WDFN(3.3x3.3)PG-WHTFN-9PG-WHTFN-9-1
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
10结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
IQE006NE2LM5CGSCATMA1
IQE013N04LM6CGSCATMA1
OPTIMOS LOWVOLTAGE POWER MOSFET
Infineon Technologies
8,492
现货
1 : ¥22.41000
剪切带(CT)
6,000 : ¥9.72528
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
31A(Ta),205A(Tc)
4.5V,10V
1.35 毫欧 @ 20A,10V
2V @ 51µA
41 nC @ 10 V
±20V
3800 pF @ 20 V
-
2.5W(Ta),107W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-WHTFN-9-1
9-PowerWDFN
25V PT11E IN 3X3 SD PACKAGE
NTTFSS1D1N02P1E
25V PT11E IN 3X3 SD PACKAGE
onsemi
3,000
现货
9,000
工厂
1 : ¥17.65000
剪切带(CT)
3,000 : ¥7.94033
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
25 V
39A(Ta),264A(Tc)
4.5V,10V
0.85 毫欧 @ 27A,10V
2V @ 934µA
60 nC @ 10 V
±16V
4360 pF @ 13 V
-
2W(Ta),89W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
9-WDFN(3.3x3.3)
9-PowerWDFN
10,866
现货
1 : ¥20.36000
剪切带(CT)
6,000 : ¥8.83479
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
15 V
58A(Ta),379A(Tc)
4.5V,7V
0.45 毫欧 @ 30A,7V
2V @ 432µA
55 nC @ 7 V
±7V
6240 pF @ 7.5 V
-
2.1W(Ta),89W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-WHTFN-9
9-PowerWDFN
9-PowerWDFN
IQE022N06LM5CGSCATMA1
OPTIMOS 5 POWER-TRANSISTOR 60V
Infineon Technologies
4,840
现货
1 : ¥22.49000
剪切带(CT)
6,000 : ¥9.75181
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
24A(Ta),151A(Tc)
4.5V,10V
2.2 毫欧 @ 20A,10V
2.3V @ 48µA
53 nC @ 10 V
±20V
4420 pF @ 30 V
-
2.5W(Ta),100W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-WHTFN-9
9-PowerWDFN
IQE030N06NM5CGSCATMA1
IQE030N06NM5CGSCATMA1
OPTIMOS LOWVOLTAGE POWER MOSFET
Infineon Technologies
6,000
现货
1 : ¥23.07000
剪切带(CT)
6,000 : ¥10.77332
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
21A(Ta),132A(Tc)
6V,10V
3 毫欧 @ 20A,10V
3.3V @ 50µA
49 nC @ 10 V
±20V
3800 pF @ 30 V
-
2.5W(Ta),100W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-WHTFN-9-1
9-PowerWDFN
9-PowerWDFN
IQE046N08LM5CGSCATMA1
OPTIMOS 5 POWER-TRANSISTOR 60V
Infineon Technologies
91
现货
1 : ¥23.56000
剪切带(CT)
6,000 : ¥10.23897
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
80 V
15.6A(Ta),99A(Tc)
4.5V,10V
4.6 毫欧 @ 20A,10V
2.3V @ 47µA
38 nC @ 10 V
±20V
3250 pF @ 40 V
-
2.5W(Ta),100W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-WHTFN-9
9-PowerWDFN
IQE006NE2LM5CGSCATMA1
IQE006NE2LM5CGSCATMA1
OPTIMOS LOWVOLTAGE POWER MOSFET
Infineon Technologies
0
现货
查看交期
1 : ¥20.36000
剪切带(CT)
6,000 : ¥8.82312
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
25 V
47A(Ta),310A(Tc)
4.5V,10V
0.58 毫欧 @ 20A,10V
2V @ 250µA
82 nC @ 10 V
±16V
5453 pF @ 12 V
-
2.1W(Ta),89W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-WHTFN-9-1
9-PowerWDFN
IQE065N10NM5CGSCATMA1
IQE065N10NM5CGSCATMA1
OPTIMOS LOWVOLTAGE POWER MOSFET
Infineon Technologies
0
现货
查看交期
1 : ¥22.91000
剪切带(CT)
6,000 : ¥9.95453
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
13A(Ta),85A(Tc)
6V,10V
6.5 毫欧 @ 20A,10V
3.8V @ 48µA
43 nC @ 10 V
±20V
3000 pF @ 50 V
-
2.5W(Ta),100W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-WHTFN-9-1
9-PowerWDFN
IQE050N08NM5CGSCATMA1
IQE050N08NM5CGSCATMA1
OPTIMOS LOWVOLTAGE POWER MOSFET
Infineon Technologies
0
现货
查看交期
1 : ¥24.22000
剪切带(CT)
6,000 : ¥11.31209
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
80 V
16A(Ta),99A(Tc)
6V,10V
5 毫欧 @ 20A,10V
3.8V @ 49µA
44 nC @ 10 V
±20V
2900 pF @ 40 V
-
2.5W(Ta),100W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-WHTFN-9-1
9-PowerWDFN
NTTFSS002N04HL
NTTFSS002N04HL
40V T8 IN 3X3 SD PACKAGE
onsemi
0
现货
387,000
工厂
查看交期
1 : ¥14.86000
剪切带(CT)
3,000 : ¥6.70517
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
23A(Ta),150A(Tc)
4.5V,10V
2,1毫欧 @ 23A,10V
2V @ 120µA
20.3 nC @ 4.5 V
±20V
2760 pF @ 20 V
-
2W(Ta),84W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
9-WDFN(3.3x3.3)
9-PowerWDFN
显示
/ 10

9-PowerWDFN 单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。