9.9A（Ta），21A（Tc） 单 FET，MOSFET

结果 : 3
制造商
Infineon TechnologiesInternational Rectifier
系列
-HEXFET®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）散装
产品状态
停产在售
供应商器件封装
6-PQFN（2x2）6-PQFN（2x2）（DFN2020）
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
3结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
6-PowerVDFN
IRFHS8242TRPBF
MOSFET N-CH 25V 9.9A/21A 6PQFN
Infineon Technologies
4,341
现货
1 : ¥4.43000
剪切带（CT）
4,000 : ¥1.50437
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
25 V
9.9A（Ta），21A（Tc）
4.5V，10V
13 毫欧 @ 8.5A，10V
2.35V @ 25µA
10.4 nC @ 10 V
±20V
653 pF @ 10 V
-
2.1W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
6-PQFN（2x2）（DFN2020）
6-PowerVDFN
TEXTISLM3671TLX-1.2/NOPB
IRFHS8242TRPBF
IRFHS8242 - HEXFET POWER MOSFET
International Rectifier
177,700
市场
不可用
对您所选的货币不可用
散装
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
25 V
9.9A（Ta），21A（Tc）
4.5V，10V
13 毫欧 @ 8.5A，10V
2.35V @ 25µA
10.4 nC @ 10 V
±20V
653 pF @ 10 V
-
2.1W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
6-PQFN（2x2）
6-PowerVDFN
6-PowerVDFN
IRFHS8242TR2PBF
MOSFET N-CH 25V 9.9A PQFN
Infineon Technologies
0
现货
1 : ¥3.78000
剪切带（CT）
-
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
停产
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
25 V
9.9A（Ta），21A（Tc）
-
13 毫欧 @ 8.5A，10V
2.35V @ 25µA
10.4 nC @ 10 V
-
653 pF @ 10 V
-
-
-
表面贴装型
6-PQFN（2x2）
6-PowerVDFN
显示
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9.9A（Ta），21A（Tc） 单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。