8A 单 FET,MOSFET

结果 : 5
制造商
Diotec SemiconductorMicro Commercial CoonsemiVishay Siliconix
系列
-TrenchFET®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)散装
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压(Vdss)
30 V40 V60 V100 V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
4V,10V4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
28.4 毫欧 @ 6A,10V35 毫欧 @ 6A,10V75 毫欧 @ 4A,10V110 毫欧 @ 8A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.5V @ 250µA2.6V @ 1mA3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
3.5 nC @ 4.5 V11 nC @ 10 V20 nC @ 10 V61 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
510 pF @ 10 V528 pF @ 25 V1050 pF @ 80 V4304 pF @ 30 V
功率耗散(最大值)
1W(Ta),15W(Tc)2W2.2W5W(Tc)20.8W
工作温度
-55°C ~ 150°C-55°C ~ 150°C(TJ)-55°C ~ 175°C(TJ)150°C
安装类型
表面贴装型通孔
供应商器件封装
6-TSOP8-SODFN3333SOT-223TP
封装/外壳
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)8-VDFN 裸露焊盘SOT-23-6 细型,TSOT-23-6TO-251-3 短引线,IPAK,TO-251AATO-261-4,TO-261AA
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
5结果
应用的筛选条件 删除全部

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/ 5
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
MCT03N06-TP
MCT08P10Y-TP
P-CHANNEL MOSFET,SOT-223
Micro Commercial Co
4,271
现货
1 : ¥13.38000
剪切带(CT)
2,500 : ¥6.04678
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
8A
4.5V,10V
110 毫欧 @ 8A,10V
2.5V @ 250µA
20 nC @ 10 V
±20V
1050 pF @ 80 V
-
2.2W
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-223
TO-261-4,TO-261AA
MOSFET SO8 90V 8A 0.075OHM 150C
DI008N09SQ
MOSFET SO8 90V 8A 0.075OHM 150C
Diotec Semiconductor
4,000
现货
1 : ¥6.08000
剪切带(CT)
4,000 : ¥2.30057
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
-
-
8A
-
-
-
-
-
-
-
2W
-
-
-
表面贴装型
8-SO
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
IRG4RC10UTRPBF
2SJ646-TL-E
P-CHANNEL SILICON MOSFET
onsemi
68,642
市场
不可用
对您所选的货币不可用
-
散装
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
8A
4V,10V
75 毫欧 @ 4A,10V
2.6V @ 1mA
11 nC @ 10 V
±20V
510 pF @ 10 V
-
1W(Ta),15W(Tc)
150°C
-
-
通孔
TP
TO-251-3 短引线,IPAK,TO-251AA
MOSFET N-CHANNEL 30V 7.8A 6TSOP
SQ3418AEEV-T1_GE3
MOSFET N-CHANNEL 30V 7.8A 6TSOP
Vishay Siliconix
0
现货
查看交期
3,000 : ¥3.02542
卷带(TR)
卷带(TR)
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
8A
4.5V,10V
35 毫欧 @ 6A,10V
2.5V @ 250µA
3.5 nC @ 4.5 V
±20V
528 pF @ 25 V
-
5W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
6-TSOP
SOT-23-6 细型,TSOT-23-6
0
现货
查看交期
5,000 : ¥3.38260
散装
-
散装
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
8A
4.5V,10V
28.4 毫欧 @ 6A,10V
3V @ 250µA
61 nC @ 10 V
±20V
4304 pF @ 30 V
-
20.8W
-55°C ~ 150°C
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
DFN3333
8-VDFN 裸露焊盘
显示
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8A 单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。