860mA(Ta) 单 FET,MOSFET

结果 : 7
制造商
Central Semiconductor CorponsemiVishay Siliconix
系列
-TrenchFET®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)散装
产品状态
停产在售
漏源电压(Vdss)
8 V20 V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
150 毫欧 @ 950mA,4.5V280 毫欧 @ 1A,4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
450mV @ 250µA(最小)1V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
3.56 nC @ 4.5 V4 nC @ 4.5 V5.6 nC @ 4.5 V
Vgs(最大值)
±8V8V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
200 pF @ 16 V458 pF @ 16 V
功率耗散(最大值)
170mW(Ta)290mW(Ta)350mW(Ta)
工作温度
-65°C ~ 150°C(TJ)-55°C ~ 150°C(TJ)
供应商器件封装
SC-70-3SOT-563
封装/外壳
SC-70,SOT-323SOT-563,SOT-666
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
7结果
应用的筛选条件 删除全部

显示
/ 7
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-563-6_463A
NTZS3151PT1G
MOSFET P-CH 20V 860MA SOT563
onsemi
12,317
现货
1 : ¥2.96000
剪切带(CT)
4,000 : ¥0.80198
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
860mA(Ta)
1.8V,4.5V
150 毫欧 @ 950mA,4.5V
1V @ 250µA
5.6 nC @ 4.5 V
±8V
458 pF @ 16 V
-
170mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
SOT-563
SOT-563,SOT-666
11,880
现货
1 : ¥3.78000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.28420
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
860mA(Ta)
1.8V,4.5V
150 毫欧 @ 950mA,4.5V
1V @ 250µA
3.56 nC @ 4.5 V
8V
200 pF @ 16 V
-
350mW(Ta)
-65°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
SOT-563
SOT-563,SOT-666
SOT-563-6_463A
NTZS3151PT1H
MOSFET P-CH 20V 860MA SOT563-6
onsemi
0
现货
151,765
市场
4,000 : ¥0.77862
卷带(TR)
-
卷带(TR)
散装
停产
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
860mA(Ta)
1.8V,4.5V
150 毫欧 @ 950mA,4.5V
1V @ 250µA
5.6 nC @ 4.5 V
±8V
458 pF @ 16 V
-
170mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
SOT-563
SOT-563,SOT-666
Pkg 5549
SI1305DL-T1-E3
MOSFET P-CH 8V 860MA SC70-3
Vishay Siliconix
0
现货
3,000 : ¥0.93433
卷带(TR)
卷带(TR)
停产
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
8 V
860mA(Ta)
1.8V,4.5V
280 毫欧 @ 1A,4.5V
450mV @ 250µA(最小)
4 nC @ 4.5 V
±8V
-
-
290mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
SC-70-3
SC-70,SOT-323
Pkg 5549
SI1305EDL-T1-E3
MOSFET P-CH 8V 860MA SC70-3
Vishay Siliconix
0
现货
3,000 : ¥1.10074
卷带(TR)
-
卷带(TR)
停产
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
8 V
860mA(Ta)
1.8V,4.5V
280 毫欧 @ 1A,4.5V
450mV @ 250µA(最小)
4 nC @ 4.5 V
±8V
-
-
290mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
SC-70-3
SC-70,SOT-323
SOT-563-6_463A
NTZS3151PT5G
MOSFET P-CH 20V 860MA SOT563
onsemi
0
现货
停产
-
卷带(TR)
停产
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
860mA(Ta)
1.8V,4.5V
150 毫欧 @ 950mA,4.5V
1V @ 250µA
5.6 nC @ 4.5 V
±8V
458 pF @ 16 V
-
170mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
SOT-563
SOT-563,SOT-666
Pkg 5549
SI1305DL-T1-GE3
MOSFET P-CH 8V 0.86A SC-70-3
Vishay Siliconix
0
现货
停产
-
剪切带(CT)
停产
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
8 V
860mA(Ta)
-
280 毫欧 @ 1A,4.5V
450mV @ 250µA(最小)
4 nC @ 4.5 V
-
-
-
290mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
SC-70-3
SC-70,SOT-323
显示
/ 7

860mA(Ta) 单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。