84A（Ta），200A（Tc） 单 FET，MOSFET

结果 : 2
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V6.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
0.62 毫欧 @ 20A，10V0.68 毫欧 @ 20A，10V
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
325 nC @ 10 V340 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
11200 pF @ 15 V11500 pF @ 15 V
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
8-DFN
AON6560
MOSFET N-CH 30V 84A/200A 8DFN
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
0
现货
查看交期
3,000 : ¥7.86313
卷带（TR）
-
卷带（TR）
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
84A（Ta），200A（Tc）
4.5V，10V
0.62 毫欧 @ 20A，10V
2.2V @ 250µA
325 nC @ 10 V
±20V
11500 pF @ 15 V
-
7.3W（Ta），208W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
8-DFN（5x6）
8-PowerSMD，扁平引线
0
现货
查看交期
3,000 : ¥7.98138
卷带（TR）
-
卷带（TR）
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
84A（Ta），200A（Tc）
6.5V，10V
0.68 毫欧 @ 20A，10V
2.2V @ 250µA
340 nC @ 10 V
±20V
11200 pF @ 15 V
-
7.3W（Ta），208W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
8-DFN（5x6）
8-PowerSMD，扁平引线
显示
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84A（Ta），200A（Tc） 单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。