80A 单 FET，MOSFET

结果 : 4
制造商
Infineon TechnologiesMicro Commercial CoSiemens
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）散装
产品状态
停产在售
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
50 V60 V
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V-
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
8 毫欧 @ 20A，10V8.4 毫欧 @ 20A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
4V @ 250µA-
Vgs（最大值）
±18V-
功率耗散（最大值）
120W（Tj）300W
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）175°C
供应商器件封装
DFN5060TO-252（DPAK）TO-263
封装/外壳
8-PowerTDFNTO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
4结果
应用的筛选条件 删除全部
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/ 4
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
DFN5060
MCAC80P06Y-TP
P-CHANNEL MOSFET, DFN5060
Micro Commercial Co
7,673
现货
1 : ¥18.55000
剪切带（CT）
5,000 : ¥8.05257
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
80A
10V
8 毫欧 @ 20A，10V
4V @ 250µA
82 nC @ 10 V
±18V
5450 pF @ 30 V
-
120W（Tj）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
DFN5060
8-PowerTDFN
MBRD6100CT-TP
MCU80P06Y-TP
P-CHANNEL MOSFET,DPAK
Micro Commercial Co
925
现货
1 : ¥17.65000
剪切带（CT）
2,500 : ¥7.94032
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
80A
10V
8.4 毫欧 @ 20A，10V
4V @ 250µA
82 nC @ 10 V
±18V
5450 pF @ 30 V
-
120W（Tj）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
TO-252（DPAK）
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
TO-263AB
BUZ111SLE3045A
MOSFET N-CH 50V 80A TO263
Siemens
2,000
市场
不可用
对您所选的货币不可用
-
散装
停产
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
50 V
80A
-
-
-
-
-
-
-
300W
175°C
表面贴装型
TO-263
TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
1,830
市场
不可用
对您所选的货币不可用
-
散装
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
50 V
80A
-
-
-
-
-
-
-
300W
175°C
表面贴装型
TO-263
TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
显示
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80A 单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。