8-WFDFN 裸露焊盘 单 FET，MOSFET

结果 : 17
包装
卷带（TR）散装
产品状态
停产在售
漏源电压（Vdss）
20 V25 V30 V60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
6A（Ta）20A（Ta）25A（Ta）30A（Ta）35A（Ta）40A（Ta）45A（Ta）50A（Ta）65A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
1.8 毫欧 @ 25A，10V2.2 毫欧 @ 32.5A，10V2.3 毫欧 @ 25A，10V2.8 毫欧 @ 22.5A，10V3.8 毫欧 @ 20A，10V3.9 毫欧 @ 20A，10V4.5 毫欧 @ 20A，10V4.6 毫欧 @ 17.5A，10V5.1 毫欧 @ 20A，10V6.5 毫欧 @ 15A，10V7.7 毫欧 @ 15A，10V8 毫欧 @ 15A，10V9.6 毫欧 @ 15A，10V10 毫欧 @ 12.5A，10V
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
6.6 nC @ 4.5 V6.8 nC @ 4.5 V7 nC @ 4 V10.4 nC @ 4.5 V11 nC @ 4.5 V12 nC @ 4.5 V15 nC @ 4.5 V15.7 nC @ 4.5 V16 nC @ 10 V19 nC @ 4.5 V19.4 nC @ 10 V21.2 nC @ 4.5 V30.6 nC @ 10 V31 nC @ 4.5 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
680 pF @ 10 V1000 pF @ 10 V1010 pF @ 10 V1120 pF @ 10 V1580 pF @ 10 V1670 pF @ 10 V1890 pF @ 10 V2170 pF @ 10 V2200 pF @ 10 V2400 pF @ 10 V3010 pF @ 10 V3220 pF @ 10 V3600 pF @ 10 V3850 pF @ 10 V
功率耗散（最大值）
1W（Ta）25W（Tc）30W（Tc）35W（Tc）40W（Tc）45W（Tc）50W（Tc）55W（Tc）60W（Tc）65W（Tc）
供应商器件封装
8-DFN（5x6）8-HUSON（2.7x2）8-WPAK
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
17结果
应用的筛选条件 删除全部
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/ 17
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
6,000
现货
3,000 : ¥5.38757
卷带（TR）
-
卷带（TR）
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
30A（Ta）
4.5V，10V
6.5 毫欧 @ 15A，10V
-
10.4 nC @ 4.5 V
±20V
1890 pF @ 10 V
-
30W（Tc）
150°C（TJ）
表面贴装型
8-WPAK
8-WFDFN 裸露焊盘
6,000
现货
3,000 : ¥5.50057
卷带（TR）
-
卷带（TR）
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
35A（Ta）
4.5V，10V
4.6 毫欧 @ 17.5A，10V
-
12 nC @ 4.5 V
±20V
2170 pF @ 10 V
-
30W（Tc）
150°C（TJ）
表面贴装型
8-WPAK
8-WFDFN 裸露焊盘
6,000
现货
3,000 : ¥5.84949
卷带（TR）
-
卷带（TR）
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
40A（Ta）
4.5V，10V
3.9 毫欧 @ 20A，10V
-
15.7 nC @ 4.5 V
±20V
3010 pF @ 10 V
-
35W（Tc）
150°C（TJ）
表面贴装型
8-WPAK
8-WFDFN 裸露焊盘
6,000
现货
3,000 : ¥6.22919
卷带（TR）
-
卷带（TR）
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
45A（Ta）
4.5V，10V
2.8 毫欧 @ 22.5A，10V
-
21.2 nC @ 4.5 V
±20V
3850 pF @ 10 V
-
40W（Tc）
150°C（TJ）
表面贴装型
8-WPAK
8-WFDFN 裸露焊盘
6,000
现货
3,000 : ¥7.63512
卷带（TR）
-
卷带（TR）
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
25A（Ta）
10V
11.1 毫欧 @ 12.5A，10V
-
19.4 nC @ 10 V
±20V
1580 pF @ 10 V
-
50W（Tc）
150°C（TJ）
表面贴装型
8-WPAK
8-WFDFN 裸露焊盘
6,000
现货
3,000 : ¥8.98974
卷带（TR）
-
卷带（TR）
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
30A（Ta）
10V
8 毫欧 @ 15A，10V
-
30.6 nC @ 10 V
±20V
2400 pF @ 10 V
-
55W（Tc）
150°C（TJ）
表面贴装型
8-WPAK
8-WFDFN 裸露焊盘
6,000
现货
3,000 : ¥12.31471
卷带（TR）
-
卷带（TR）
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
40A（Ta）
10V
5.1 毫欧 @ 20A，10V
-
45 nC @ 10 V
±20V
3600 pF @ 10 V
-
65W（Tc）
150°C（TJ）
表面贴装型
8-WPAK
8-WFDFN 裸露焊盘
24,000
市场
不可用
对您所选的货币不可用
-
散装
停产
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
6A（Ta）
-
20 毫欧 @ 3A，10V
-
7 nC @ 4 V
-
680 pF @ 10 V
-
1W（Ta）
150°C（TJ）
表面贴装型
8-HUSON（2.7x2）
8-WFDFN 裸露焊盘
9,000
市场
不可用
对您所选的货币不可用
-
散装
停产
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
30A（Ta）
-
9.6 毫欧 @ 15A，10V
-
6.6 nC @ 4.5 V
-
1120 pF @ 10 V
-
25W（Tc）
150°C（TJ）
表面贴装型
8-WPAK
8-WFDFN 裸露焊盘
3,000
市场
不可用
对您所选的货币不可用
-
散装
停产
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
30A（Ta）
-
7.7 毫欧 @ 15A，10V
-
11 nC @ 4.5 V
-
1670 pF @ 10 V
-
30W（Tc）
150°C（TJ）
表面贴装型
8-WPAK
8-WFDFN 裸露焊盘
2,087,771
市场
不可用
对您所选的货币不可用
-
散装
停产
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
40A（Ta）
-
3.8 毫欧 @ 20A，10V
-
19 nC @ 4.5 V
-
3220 pF @ 10 V
-
35W（Tc）
150°C（TJ）
表面贴装型
8-WPAK
8-WFDFN 裸露焊盘
21,000
市场
不可用
对您所选的货币不可用
-
散装
停产
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
20A（Ta）
-
13.6 毫欧 @ 10A，10V
-
16 nC @ 10 V
-
1000 pF @ 10 V
-
45W（Tc）
150°C（TJ）
表面贴装型
8-WPAK
8-WFDFN 裸露焊盘
12,000
市场
不可用
对您所选的货币不可用
-
散装
停产
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
25 V
50A（Ta）
-
1.8 毫欧 @ 25A，10V
-
31 nC @ 4.5 V
-
6130 pF @ 10 V
-
50W（Tc）
150°C（TJ）
表面贴装型
8-DFN（5x6）
8-WFDFN 裸露焊盘
5,000
市场
不可用
对您所选的货币不可用
-
散装
停产
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
25A（Ta）
-
10 毫欧 @ 12.5A，10V
-
6.8 nC @ 4.5 V
-
1010 pF @ 10 V
-
30W（Tc）
150°C（TJ）
表面贴装型
8-WPAK
8-WFDFN 裸露焊盘
2,000
市场
不可用
对您所选的货币不可用
-
散装
停产
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
40A（Ta）
-
4.5 毫欧 @ 20A，10V
-
15 nC @ 4.5 V
-
2200 pF @ 10 V
-
45W（Tc）
150°C（TJ）
表面贴装型
8-WPAK
8-WFDFN 裸露焊盘
6,000
市场
不可用
对您所选的货币不可用
-
散装
停产
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
65A（Ta）
-
2.2 毫欧 @ 32.5A，10V
-
54 nC @ 4.5 V
-
8900 pF @ 10 V
-
60W（Tc）
150°C（TJ）
表面贴装型
8-WPAK
8-WFDFN 裸露焊盘
3,000
市场
不可用
对您所选的货币不可用
-
散装
停产
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
50A（Ta）
-
2.3 毫欧 @ 25A，10V
-
37 nC @ 4.5 V
-
5150 pF @ 10 V
-
55W（Tc）
150°C（TJ）
表面贴装型
8-WPAK
8-WFDFN 裸露焊盘
显示
/ 17

8-WFDFN 裸露焊盘 单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。