8-VQFN 裸露焊盘 单 FET,MOSFET

结果 : 15
系列
-HEXFET®HEXFET®, StrongIRFET™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)
产品状态
停产在售
漏源电压(Vdss)
20 V30 V40 V150 V200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
3.8A(Ta),20A(Tc)5A(Ta),27A(Tc)20A(Ta),40A(Tc)21A(Ta),40A(Tc)22A(Ta),100A(Tc)24A(Ta),100A(Tc)26A(Ta),40A(Tc)100A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
2.5V,10V4.5V,10V6V,10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
1.4 毫欧 @ 100A,10V2.5 毫欧 @ 20A,4.5V3.5 毫欧 @ 20A,4.5V3.5 毫欧 @ 50A,10V3.8 毫欧 @ 20A,10V4.3 毫欧 @ 20A,10V4.3 毫欧 @ 50A,10V58 毫欧 @ 16A,10V99.9 毫欧 @ 5.8A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1.1V @ 50µA2.35V @ 50µA3.9V @ 150µA4V @ 100µA5V @ 100µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
27 nC @ 10 V30 nC @ 10 V31 nC @ 10 V32 nC @ 10 V62 nC @ 4.5 V65 nC @ 10 V78 nC @ 4.5 V80 nC @ 10 V194 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±12V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
1350 pF @ 50 V1380 pF @ 50 V1797 pF @ 25 V2155 pF @ 25 V2460 pF @ 25 V3120 pF @ 25 V3170 pF @ 25 V3620 pF @ 10 V6419 pF @ 25 V
功率耗散(最大值)
2.7W(Ta),37W(Tc)2.8W(Ta),37W(Tc)3.6W(Ta),104W(Tc)3.6W(Ta),105W(Tc)3.6W(Ta),114W(Tc)3.6W(Ta),8.3W(Tc)156W(Tc)
供应商器件封装
8-PQFN(5x6)PQFN(3x3)PQFN(5x6)
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
15结果
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/ 15
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
IRFHM830DTR2PBF
IRLHM630TRPBF
MOSFET N-CH 30V 21A/40A PQFN
Infineon Technologies
16,088
现货
1 : ¥8.29000
剪切带(CT)
4,000 : ¥3.42936
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
21A(Ta),40A(Tc)
2.5V,10V
3.5 毫欧 @ 20A,4.5V
1.1V @ 50µA
62 nC @ 4.5 V
±12V
3170 pF @ 25 V
-
2.7W(Ta),37W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
PQFN(3x3)
8-VQFN 裸露焊盘
IRFH7004TRPBF
IRFH7004TRPBF
MOSFET N-CH 40V 100A 8PQFN
Infineon Technologies
3,840
现货
1 : ¥12.97000
剪切带(CT)
4,000 : ¥5.83594
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
100A(Tc)
6V,10V
1.4 毫欧 @ 100A,10V
3.9V @ 150µA
194 nC @ 10 V
±20V
6419 pF @ 25 V
-
156W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
8-PQFN(5x6)
8-VQFN 裸露焊盘
IRFHM830DTR2PBF
IRFH5104TR2PBF
MOSFET N-CH 40V 24A/100A PQFN
Infineon Technologies
339
现货
1 : ¥10.84000
剪切带(CT)
卷带(TR)
剪切带(CT)
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
24A(Ta),100A(Tc)
10V
3.5 毫欧 @ 50A,10V
4V @ 100µA
80 nC @ 10 V
±20V
3120 pF @ 25 V
-
3.6W(Ta),114W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
PQFN(5x6)
8-VQFN 裸露焊盘
IRFHM830DTR2PBF
IRFHM830DTRPBF
MOSFET N-CH 30V 20A/40A PQFN
Infineon Technologies
0
现货
停产
卷带(TR)
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
20A(Ta),40A(Tc)
4.5V,10V
4.3 毫欧 @ 20A,10V
2.35V @ 50µA
27 nC @ 10 V
±20V
1797 pF @ 25 V
-
2.8W(Ta),37W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
PQFN(3x3)
8-VQFN 裸露焊盘
IRFHM830DTR2PBF
IRLHM630TR2PBF
MOSFET N-CH 30V 21A PQFN
Infineon Technologies
0
现货
停产
-
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
21A(Ta),40A(Tc)
-
3.5 毫欧 @ 20A,4.5V
1.1V @ 50µA
62 nC @ 4.5 V
-
3170 pF @ 25 V
-
-
-
表面贴装型
PQFN(3x3)
8-VQFN 裸露焊盘
IRFHM830DTR2PBF
IRLHM620TR2PBF
MOSFET N-CH 20V 26A PQFN
Infineon Technologies
0
现货
停产
-
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
26A(Ta),40A(Tc)
-
2.5 毫欧 @ 20A,4.5V
1.1V @ 50µA
78 nC @ 4.5 V
-
3620 pF @ 10 V
-
-
-
表面贴装型
PQFN(3x3)
8-VQFN 裸露焊盘
IRFHM830DTR2PBF
IRFHM830TR2PBF
MOSFET N-CH 30V 21A PQFN
Infineon Technologies
0
现货
停产
-
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
21A(Ta),40A(Tc)
-
3.8 毫欧 @ 20A,10V
2.35V @ 50µA
31 nC @ 10 V
-
2155 pF @ 25 V
-
-
-
表面贴装型
PQFN(3x3)
8-VQFN 裸露焊盘
IRFHM830DTR2PBF
IRFHM830DTR2PBF
MOSFET N-CH 30V 20A PQFN
Infineon Technologies
0
现货
停产
-
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
20A(Ta),40A(Tc)
-
4.3 毫欧 @ 20A,10V
2.35V @ 50µA
27 nC @ 10 V
-
1797 pF @ 25 V
-
-
-
表面贴装型
PQFN(3x3)
8-VQFN 裸露焊盘
IRFHM830DTR2PBF
IRFH5104TRPBF
MOSFET N-CH 40V 24A/100A PQFN
Infineon Technologies
0
现货
停产
卷带(TR)
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
24A(Ta),100A(Tc)
10V
3.5 毫欧 @ 50A,10V
4V @ 100µA
80 nC @ 10 V
±20V
3120 pF @ 25 V
-
3.6W(Ta),114W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
PQFN(5x6)
8-VQFN 裸露焊盘
8-PowerPQFN
IRFH5204TRPBF
MOSFET N-CH 40V 22A/100A PQFN
Infineon Technologies
0
现货
停产
卷带(TR)
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
22A(Ta),100A(Tc)
10V
4.3 毫欧 @ 50A,10V
4V @ 100µA
65 nC @ 10 V
±20V
2460 pF @ 25 V
-
3.6W(Ta),105W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
PQFN(5x6)
8-VQFN 裸露焊盘
8-PowerPQFN
IRFH5215TR2PBF
MOSFET N-CH 150V 5.0A PQFN
Infineon Technologies
0
现货
停产
-
剪切带(CT)
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
150 V
5A(Ta),27A(Tc)
-
58 毫欧 @ 16A,10V
5V @ 100µA
32 nC @ 10 V
-
1350 pF @ 50 V
-
-
-
表面贴装型
PQFN(5x6)
8-VQFN 裸露焊盘
8-PowerPQFN
IRFH5215TRPBF
MOSFET N-CH 150V 5A/27A PQFN
Infineon Technologies
0
现货
停产
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
150 V
5A(Ta),27A(Tc)
10V
58 毫欧 @ 16A,10V
5V @ 100µA
32 nC @ 10 V
±20V
1350 pF @ 50 V
-
3.6W(Ta),104W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
PQFN(5x6)
8-VQFN 裸露焊盘
8-PowerPQFN
IRFH5220TR2PBF
MOSFET N-CH 200V 3.8A PQFN
Infineon Technologies
0
现货
停产
-
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
200 V
3.8A(Ta),20A(Tc)
-
99.9 毫欧 @ 5.8A,10V
5V @ 100µA
30 nC @ 10 V
-
1380 pF @ 50 V
-
-
-
表面贴装型
PQFN(5x6)
8-VQFN 裸露焊盘
8-PowerPQFN
IRFH5220TRPBF
MOSFET N-CH 200V 3.8A/20A PQFN
Infineon Technologies
0
现货
停产
卷带(TR)
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
200 V
3.8A(Ta),20A(Tc)
10V
99.9 毫欧 @ 5.8A,10V
5V @ 100µA
30 nC @ 10 V
±20V
1380 pF @ 50 V
-
3.6W(Ta),8.3W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
PQFN(5x6)
8-VQFN 裸露焊盘
8-PowerVDFN
IRFH7004TR2PBF
MOSFET N CH 40V 100A PQFN5X6
Infineon Technologies
0
现货
停产
-
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
100A(Tc)
-
1.4 毫欧 @ 100A,10V
3.9V @ 150µA
194 nC @ 10 V
-
6419 pF @ 25 V
-
-
-
表面贴装型
8-PQFN(5x6)
8-VQFN 裸露焊盘
显示
/ 15

8-VQFN 裸露焊盘 单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。