7A（Ta），20A（Tc） 单 FET，MOSFET

结果 : 3
制造商
onsemiRohm Semiconductor
系列
-PowerTrench®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
漏源电压（Vdss）
60 V80 V100 V
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V6V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
23 毫欧 @ 7A，10V24 毫欧 @ 7A，10V24.7 毫欧 @ 7A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.5V @ 1mA4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
7.6 nC @ 10 V18 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
460 pF @ 30 V965 pF @ 50 V
功率耗散（最大值）
2W（Ta），15W（Tc）2.3W（Ta），41W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）150°C（TJ）
供应商器件封装
8-HSMT（3.2x3）Power33
封装/外壳
8-PowerTDFN8-PowerVDFN
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
3结果
应用的筛选条件 删除全部
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/ 3
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
Power33
FDMC86324
MOSFET N-CH 80V 7A/20A POWER33
onsemi
3,562
现货
24,000
工厂
1 : ¥13.14000
剪切带（CT）
3,000 : ¥5.42832
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
80 V
7A（Ta），20A（Tc）
6V，10V
23 毫欧 @ 7A，10V
4V @ 250µA
18 nC @ 10 V
±20V
965 pF @ 50 V
-
2.3W（Ta），41W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
Power33
8-PowerTDFN
Power33
FDMC86102
MOSFET N-CH 100V 7A/20A POWER33
onsemi
4,560
现货
1 : ¥17.73000
剪切带（CT）
3,000 : ¥8.00210
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
7A（Ta），20A（Tc）
6V，10V
24 毫欧 @ 7A，10V
4V @ 250µA
18 nC @ 10 V
±20V
965 pF @ 50 V
-
2.3W（Ta），41W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
Power33
8-PowerTDFN
8-HSMT
RQ3L070BGTB1
NCH 60V 20A, HSMT8G, POWER MOSFE
Rohm Semiconductor
1,168
现货
1 : ¥7.55000
剪切带（CT）
3,000 : ¥3.21559
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
7A（Ta），20A（Tc）
4.5V，10V
24.7 毫欧 @ 7A，10V
2.5V @ 1mA
7.6 nC @ 10 V
±20V
460 pF @ 30 V
-
2W（Ta），15W（Tc）
150°C（TJ）
表面贴装型
8-HSMT（3.2x3）
8-PowerVDFN
显示
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7A（Ta），20A（Tc） 单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。