77.5A(Tc) 单 FET,MOSFET

结果 : 3
系列
CoolMOS™CoolMOS™ P6
产品状态
不适用于新设计停产在售
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
41 毫欧 @ 35.5A,10V41 毫欧 @ 44.4A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
3.5V @ 2.96mA4.5V @ 2.96mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
170 nC @ 10 V290 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
6530 pF @ 10 V8180 pF @ 100 V
供应商器件封装
PG-TO247-3PG-TO247-3-1PG-TO247-4
封装/外壳
TO-247-3TO-247-4
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
3结果
应用的筛选条件 删除全部

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/ 3
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
TO-247-4
IPZ60R041P6FKSA1
MOSFET N-CH 600V 77.5A TO247-4
Infineon Technologies
0
现货
13,435
市场
停产
管件
管件
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
600 V
77.5A(Tc)
10V
41 毫欧 @ 35.5A,10V
4.5V @ 2.96mA
170 nC @ 10 V
±20V
8180 pF @ 100 V
-
481W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
通孔
PG-TO247-4
TO-247-4
PG-TO247-3
IPW60R041C6FKSA1
MOSFET N-CH 600V 77.5A TO247-3
Infineon Technologies
25
现货
1 : ¥121.83000
管件
管件
不适用于新设计
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
600 V
77.5A(Tc)
10V
41 毫欧 @ 44.4A,10V
3.5V @ 2.96mA
290 nC @ 10 V
±20V
6530 pF @ 10 V
-
481W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
通孔
PG-TO247-3-1
TO-247-3
AUIRFP4310Z BACK
IPW60R041P6FKSA1
MOSFET N-CH 600V 77.5A TO247-3
Infineon Technologies
0
现货
查看交期
1 : ¥97.12000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
600 V
77.5A(Tc)
10V
41 毫欧 @ 35.5A,10V
4.5V @ 2.96mA
170 nC @ 10 V
±20V
8180 pF @ 100 V
-
481W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
通孔
PG-TO247-3
TO-247-3
显示
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77.5A(Tc) 单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。