65A（Ta）单 FET，MOSFET

显示

/ 13

制造商零件编号	现有数量	价格	系列	包装	产品状态	FET 类型	技术	漏源电压（Vdss）	25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	Vgs（最大值）	不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	FET 功能	功率耗散（最大值）	工作温度	等级	资质	安装类型	供应商器件封装	封装/外壳

TK65S04N1L,LXHQ MOSFET N-CH 40V 65A DPAK Toshiba Semiconductor and Storage	4,842 现货	1 : ¥14.20000 剪切带（CT） 2,000 : ¥4.02576 卷带（TR）	U-MOSVIII-H	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	40 V	65A（Ta）	4.5V，10V	4.3 毫欧 @ 32.5A，10V	2.5V @ 300µA	39 nC @ 10 V	±20V	2550 pF @ 10 V	-	107W（Tc）	175°C	-	-	表面贴装型	DPAK+	TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
RJK0346DPA-01#J0B MOSFET N-CH 30V 65A 8WPAK Renesas Electronics Corporation	5,000 现货	2,500 : ¥10.00260 卷带（TR）	-	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	30 V	65A（Ta）	4.5V，10V	1.8 毫欧 @ 25A，10V	-	49 nC @ 10 V	±20V	7650 pF @ 10 V	-	65W（Tc）	150°C（TJ）	-	-	表面贴装型	8-WPAK	8-PowerWDFN
N0607N-ZK-E1-AY ABU / MOSFET Renesas Electronics Corporation	8,871 现货	1 : ¥16.26000 剪切带（CT） 3,000 : ¥7.32274 卷带（TR）	-	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	60 V	65A（Ta）	10V	8.4 毫欧 @ 32.5A，10V	4V @ 1mA	58 nC @ 10 V	±20V	3300 pF @ 25 V	-	1W（Ta），87.4W（Tc）	150°C	-	-	表面贴装型	TO-252	TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
TK65S04N1L,LQ MOSFET N-CH 40V 65A DPAK Toshiba Semiconductor and Storage	3,976 现货	1 : ¥21.84000 剪切带（CT） 2,000 : ¥6.70126 卷带（TR）	U-MOSVIII-H	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	40 V	65A（Ta）	10V	4.3 毫欧 @ 32.5A，10V	2.5V @ 300µA	39 nC @ 10 V	±20V	2550 pF @ 10 V	-	107W（Tc）	175°C（TJ）	-	-	表面贴装型	DPAK+	TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
RSJ650N10TL MOSFET N-CH 100V 65A LPTS Rohm Semiconductor	970 现货	1 : ¥49.92000 剪切带（CT） 1,000 : ¥28.32103 卷带（TR）	-	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	100 V	65A（Ta）	4V，10V	9.1 毫欧 @ 32.5A，10V	2.5V @ 1mA	260 nC @ 10 V	±20V	10780 pF @ 25 V	-	100W（Tc）	150°C（TJ）	-	-	表面贴装型	LPTS	TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
ATP207-TL-H MOSFET N-CH 40V 65A ATPAK onsemi	0 现货 2,476 市场	停产	-	卷带（TR）散装	停产	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	40 V	65A（Ta）	4.5V，10V	9.1 毫欧 @ 33A，10V	-	54 nC @ 10 V	±20V	2710 pF @ 20 V	-	50W（Tc）	150°C（TJ）	-	-	表面贴装型	ATPAK	ATPAK（2 引线 + 凸片）
FDD6672A MOSFET N-CH 30V 65A TO252 Fairchild Semiconductor	69,410 市场	不可用对您所选的货币不可用	PowerTrench®	散装	停产	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	30 V	65A（Ta）	4.5V，10V	8 毫欧 @ 14A，10V	2V @ 250µA	46 nC @ 4.5 V	±12V	5070 pF @ 15 V	-	3.2W（Ta），70W（Tc）	-55°C ~ 150°C（TJ）	-	-	表面贴装型	TO-252（DPAK）	TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
RJK0390DPA-00#J53 MOSFET N-CH 30V 65A 8WPAK Renesas Electronics Corporation	60,000 市场	不可用对您所选的货币不可用	-	散装	停产	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	30 V	65A（Ta）	-	2.2 毫欧 @ 32.5A，10V	-	54 nC @ 4.5 V	-	8900 pF @ 10 V	-	60W（Tc）	-	-	-	表面贴装型	8-WPAK	8-PowerWDFN
RJK0390DPA-00#J5A MOSFET N-CH 30V 65A 8WPAK Renesas Electronics Corporation	6,000 市场	不可用对您所选的货币不可用	-	散装	停产	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	30 V	65A（Ta）	-	2.2 毫欧 @ 32.5A，10V	-	54 nC @ 4.5 V	-	8900 pF @ 10 V	-	60W（Tc）	150°C（TJ）	-	-	表面贴装型	8-WPAK	8-WFDFN 裸露焊盘
FDD6672A MOSFET N-CH 30V 65A TO252 onsemi	0 现货	2,500 : ¥8.16088 卷带（TR）	PowerTrench®	卷带（TR）	停产	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	30 V	65A（Ta）	4.5V，10V	8 毫欧 @ 14A，10V	2V @ 250µA	46 nC @ 4.5 V	±12V	5070 pF @ 15 V	-	3.2W（Ta），70W（Tc）	-55°C ~ 150°C（TJ）	-	-	表面贴装型	TO-252AA	TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
TK65G10N1,RQ MOSFET N-CH 100V 65A D2PAK Toshiba Semiconductor and Storage	0 现货	停产	U-MOSVIII-H	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	停产	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	100 V	65A（Ta）	10V	4.5 毫欧 @ 32.5A，10V	4V @ 1mA	81 nC @ 10 V	±20V	5400 pF @ 50 V	-	156W（Tc）	150°C（TJ）	-	-	表面贴装型	D2PAK	TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
TK65S04K3L(T6L1,NQ MOSFET N-CH 40V 65A DPAK Toshiba Semiconductor and Storage	0 现货	停产	U-MOSIV	卷带（TR）	停产	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	40 V	65A（Ta）	6V，10V	4.5 毫欧 @ 32.5A，10V	3V @ 1mA	63 nC @ 10 V	±20V	2800 pF @ 10 V	-	88W（Tc）	175°C（TJ）	-	-	表面贴装型	DPAK+	TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
RJK2511DPK-00#T0 MOSFET N-CH 250V 65A TO3P Renesas Electronics Corporation	0 现货	在售	-	管件	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	250 V	65A（Ta）	10V	34 毫欧 @ 32.5A，10V	-	120 nC @ 10 V	±30V	4900 pF @ 25 V	-	200W（Tc）	150°C（TJ）	-	-	通孔	TO-3P	TO-3P-3，SC-65-3