64.6A（Ta），100A（Tc） 单 FET，MOSFET

结果 : 3
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
165 nC @ 10 V204 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
9100 pF @ 20 V10500 pF @ 20 V
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
3结果
应用的筛选条件 删除全部
显示
/ 3
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
PowerPAK SO-8DC
SIDR402DP-T1-RE3
N-CHANNEL 40-V (D-S) MOSFET
Vishay Siliconix
13,885
现货
1 : ¥18.80000
剪切带（CT）
3,000 : ¥8.47520
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
64.6A（Ta），100A（Tc）
4.5V，10V
0.88 毫欧 @ 20A，10V
2.3V @ 250µA
165 nC @ 10 V
+20V，-16V
9100 pF @ 20 V
-
6.25W（Ta），125W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
PowerPAK® SO-8DC
PowerPAK® SO-8
PowerPAK SO-8DC
SIDR638DP-T1-RE3
N-CHANNEL 40-V (D-S) MOSFET
Vishay Siliconix
12,000
现货
1 : ¥17.90000
剪切带（CT）
3,000 : ¥8.07598
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
64.6A（Ta），100A（Tc）
4.5V，10V
0.88 毫欧 @ 20A，10V
2.3V @ 250µA
204 nC @ 10 V
+20V，-16V
10500 pF @ 20 V
-
6.25W（Ta），125W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
PowerPAK® SO-8DC
PowerPAK® SO-8
PowerPAK SO-8DC
SIDR402DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 40V 64.6A/100A PPAK
Vishay Siliconix
0
现货
查看交期
1 : ¥20.11000
剪切带（CT）
6,000 : ¥8.74032
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
64.6A（Ta），100A（Tc）
4.5V，10V
0.88 毫欧 @ 20A，10V
2.3V @ 250µA
165 nC @ 10 V
+20V，-16V
9100 pF @ 20 V
-
6.25W（Ta），125W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
PowerPAK® SO-8DC
PowerPAK® SO-8
显示
/ 3

64.6A（Ta），100A（Tc） 单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。