6.7A(Tc) 单 FET,MOSFET

结果 : 26
制造商
Fairchild SemiconductorInfineon TechnologiesonsemiSTMicroelectronicsTaiwan Semiconductor CorporationVishay Siliconix
系列
-CoolMOS™ C6CoolMOS™ P6QFET®SuperMESH™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)散装管件
产品状态
不适用于新设计停产在售
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压(Vdss)
20 V60 V250 V500 V600 V650 V800 V850 V900 V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
1.8V,4.5V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
21 毫欧 @ 4A,4.5V25 毫欧 @ 4A,4.5V350 毫欧 @ 4A,10V420 毫欧 @ 3.35A,10V500 毫欧 @ 3.4A,10V500 毫欧 @ 4A,10V650 毫欧 @ 2.1A,10V650 毫欧 @ 2.4A,10V1.05 欧姆 @ 3.35A,10V1.4 欧姆 @ 3.35A,10V1.6 欧姆 @ 4A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
800mV @ 250µA3.5V @ 210µA4V @ 250µA4.5V @ 100µA4.5V @ 200µA5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
4 nC @ 4.5 V5.8 nC @ 4.5 V11 nC @ 10 V12 nC @ 10 V20 nC @ 10 V21 nC @ 10 V60 nC @ 10 V71 nC @ 10 V89 nC @ 10 V200 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±10V±20V±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
270 pF @ 25 V350 pF @ 25 V440 pF @ 100 V557 pF @ 100 V600 pF @ 10 V700 pF @ 25 V1870 pF @ 25 V2160 pF @ 25 V2700 pF @ 25 V2900 pF @ 25 V
功率耗散(最大值)
1.56W(Tc)3.7W(Ta),43W(Tc)3.8W(Ta),38W(Tc)35W(Tc)43W(Tc)45W(Tc)56.8W(Tc)113W(Tc)150W(Tc)190W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)-55°C ~ 175°C(TJ)-40°C ~ 150°C(TJ)150°C(TJ)
安装类型
表面贴装型通孔
供应商器件封装
8-ThinPak(5x6)I2PAKPG-TSON-8-2SOT-23TO-220TO-220-3TO-220ABTO-220F-3TO-220FPTO-247ACTO-262(I2PAK)TO-263(D2PAK)TO-3PF
封装/外壳
8-PowerTDFNTO-220-3TO-220-3 全封装,隔离接片TO-220-3 整包TO-236-3,SC-59,SOT-23-3TO-247-3TO-262-3 长引线,I2PAK,TO-262AATO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263ABTO-3P-3 整包
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
26结果
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/ 26
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
125,359
现货
1 : ¥4.10000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.10561
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
6.7A(Tc)
1.8V,4.5V
25 毫欧 @ 4A,4.5V
800mV @ 250µA
4 nC @ 4.5 V
±10V
600 pF @ 10 V
-
1.56W(Tc)
150°C(TJ)
表面贴装型
SOT-23
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
TO-220AB
IRF9Z14PBF
MOSFET P-CH 60V 6.7A TO220AB
Vishay Siliconix
4,614
现货
1 : ¥7.14000
管件
-
管件
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
6.7A(Tc)
10V
500 毫欧 @ 4A,10V
4V @ 250µA
12 nC @ 10 V
±20V
270 pF @ 25 V
-
43W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
通孔
TO-220AB
TO-220-3
TO-220AB
IRF9Z14PBF-BE3
MOSFET P-CH 60V 6.7A TO220AB
Vishay Siliconix
1,379
现货
1 : ¥6.65000
管件
-
管件
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
6.7A(Tc)
-
500 毫欧 @ 4A,10V
4V @ 250µA
12 nC @ 10 V
±20V
270 pF @ 25 V
-
43W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
通孔
TO-220AB
TO-220-3
TO-220AB
IRF9Z10PBF
MOSFET P-CH 60V 6.7A TO220AB
Vishay Siliconix
916
现货
1 : ¥12.81000
管件
-
管件
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
6.7A(Tc)
10V
500 毫欧 @ 4A,10V
4V @ 250µA
12 nC @ 10 V
±20V
270 pF @ 25 V
-
43W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
通孔
TO-220AB
TO-220-3
TO-263AB
IRF9Z14SPBF
MOSFET P-CH 60V 6.7A D2PAK
Vishay Siliconix
638
现货
1 : ¥13.22000
管件
-
管件
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
6.7A(Tc)
10V
500 毫欧 @ 4A,10V
4V @ 250µA
12 nC @ 10 V
±20V
270 pF @ 25 V
-
3.7W(Ta),43W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
表面贴装型
TO-263(D2PAK)
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
TO-247-3 AC EP
IRFPF50PBF
MOSFET N-CH 900V 6.7A TO247-3
Vishay Siliconix
488
现货
1 : ¥54.60000
管件
-
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
900 V
6.7A(Tc)
10V
1.6 欧姆 @ 4A,10V
4V @ 250µA
200 nC @ 10 V
±20V
2900 pF @ 25 V
-
190W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
通孔
TO-247AC
TO-247-3
TO-220AB
IRF9Z10PBF-BE3
MOSFET P-CH 60V 6.7A TO220AB
Vishay Siliconix
162
现货
1 : ¥9.03000
管件
-
管件
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
6.7A(Tc)
-
500 毫欧 @ 4A,10V
4V @ 250µA
12 nC @ 10 V
±20V
270 pF @ 25 V
-
43W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
通孔
TO-220AB
TO-220-3
TO-263AB
IRF9Z14STRLPBF
MOSFET P-CH 60V 6.7A D2PAK
Vishay Siliconix
766
现货
1 : ¥13.96000
剪切带(CT)
800 : ¥5.83923
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
6.7A(Tc)
10V
500 毫欧 @ 4A,10V
4V @ 250µA
12 nC @ 10 V
±20V
270 pF @ 25 V
-
3.7W(Ta),43W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
表面贴装型
TO-263(D2PAK)
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
ISL9N302AS3
SFI9Z14TU
P-CHANNEL POWER MOSFET
Fairchild Semiconductor
3,000
市场
不可用
对您所选的货币不可用
-
散装
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
6.7A(Tc)
10V
500 毫欧 @ 3.4A,10V
4V @ 250µA
11 nC @ 10 V
±30V
350 pF @ 25 V
-
3.8W(Ta),38W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
通孔
TO-262(I2PAK)
TO-262-3 长引线,I2PAK,TO-262AA
2SK4221
FQAF10N80
MOSFET N-CH 800V 6.7A TO3PF
Fairchild Semiconductor
7,549
市场
不可用
对您所选的货币不可用
管件
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
800 V
6.7A(Tc)
10V
1.05 欧姆 @ 3.35A,10V
5V @ 250µA
71 nC @ 10 V
±30V
2700 pF @ 25 V
-
113W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
通孔
TO-3PF
TO-3P-3 整包
INFINFIPAN60R360PFD7SXKSA1
FQPF9N25
MOSFET N-CH 250V 6.7A TO220F
Fairchild Semiconductor
600
市场
不可用
对您所选的货币不可用
管件
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
250 V
6.7A(Tc)
10V
420 毫欧 @ 3.35A,10V
5V @ 250µA
20 nC @ 10 V
±30V
700 pF @ 25 V
-
45W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
通孔
TO-220F-3
TO-220-3 整包
8-Power TDFN
IPL60R650P6SATMA1
MOSFET N-CH 600V 6.7A 8THINPAK
Infineon Technologies
0
现货
1 : ¥13.30000
剪切带(CT)
5,000 : ¥5.22373
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
不适用于新设计
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
600 V
6.7A(Tc)
10V
650 毫欧 @ 2.4A,10V
4.5V @ 200µA
12 nC @ 10 V
±20V
557 pF @ 100 V
-
56.8W(Tc)
-40°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
8-ThinPak(5x6)
8-PowerTDFN
SOT-23
TSM210N02CX
20V, 6.7A, SINGLE N-CHANNEL POWE
Taiwan Semiconductor Corporation
0
现货
查看交期
12,000 : ¥2.06883
卷带(TR)
-
卷带(TR)
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
6.7A(Tc)
1.8V,4.5V
21 毫欧 @ 4A,4.5V
800mV @ 250µA
5.8 nC @ 4.5 V
±10V
600 pF @ 10 V
-
1.56W(Tc)
150°C(TJ)
表面贴装型
SOT-23
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
Power56
IPL65R650C6SATMA1
MOSFET N-CH 650V 6.7A THIN-PAK
Infineon Technologies
0
现货
5,000 : ¥5.93089
卷带(TR)
卷带(TR)
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
650 V
6.7A(Tc)
10V
650 毫欧 @ 2.1A,10V
3.5V @ 210µA
21 nC @ 10 V
±20V
440 pF @ 100 V
-
56.8W(Tc)
-40°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
PG-TSON-8-2
8-PowerTDFN
IRF840ALPBF
IRF9Z14LPBF
MOSFET P-CH 60V 6.7A I2PAK
Vishay Siliconix
0
现货
查看交期
1,000 : ¥6.60536
管件
-
管件
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
6.7A(Tc)
10V
500 毫欧 @ 4A,10V
4V @ 250µA
12 nC @ 10 V
±20V
270 pF @ 25 V
-
3.7W(Ta),43W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
通孔
I2PAK
TO-262-3 长引线,I2PAK,TO-262AA
TO-220AB
IRF9Z10
MOSFET P-CH 60V 6.7A TO220AB
Vishay Siliconix
0
现货
在售
-
管件
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
6.7A(Tc)
10V
500 毫欧 @ 4A,10V
4V @ 250µA
12 nC @ 10 V
±20V
270 pF @ 25 V
-
43W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
通孔
TO-220AB
TO-220-3
TO-247-3 AC EP
IRFPF50
MOSFET N-CH 900V 6.7A TO247-3
Vishay Siliconix
0
现货
在售
-
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
900 V
6.7A(Tc)
10V
1.6 欧姆 @ 4A,10V
4V @ 250µA
200 nC @ 10 V
±20V
2900 pF @ 25 V
-
190W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
通孔
TO-247AC
TO-247-3
TO-220AB
IRF9Z14
MOSFET P-CH 60V 6.7A TO220AB
Vishay Siliconix
0
现货
停产
-
管件
停产
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
6.7A(Tc)
10V
500 毫欧 @ 4A,10V
4V @ 250µA
12 nC @ 10 V
±20V
270 pF @ 25 V
-
43W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
通孔
TO-220AB
TO-220-3
TO-263AB
IRF9Z14S
MOSFET P-CH 60V 6.7A D2PAK
Vishay Siliconix
0
现货
停产
-
管件
停产
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
6.7A(Tc)
10V
500 毫欧 @ 4A,10V
4V @ 250µA
12 nC @ 10 V
±20V
270 pF @ 25 V
-
3.7W(Ta),43W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
表面贴装型
TO-263(D2PAK)
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
IRF840ALPBF
IRF9Z14L
MOSFET P-CH 60V 6.7A I2PAK
Vishay Siliconix
0
现货
停产
-
管件
停产
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
6.7A(Tc)
10V
500 毫欧 @ 4A,10V
4V @ 250µA
12 nC @ 10 V
±20V
270 pF @ 25 V
-
3.7W(Ta),43W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
通孔
I2PAK
TO-262-3 长引线,I2PAK,TO-262AA
TO-220AB Full Pack
IRFIB8N50K
MOSFET N-CH 500V 6.7A TO220-3
Vishay Siliconix
0
现货
停产
-
管件
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
500 V
6.7A(Tc)
10V
350 毫欧 @ 4A,10V
5V @ 250µA
89 nC @ 10 V
±30V
2160 pF @ 25 V
-
45W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
通孔
TO-220-3
TO-220-3 全封装,隔离接片
TO-220AB Full Pack
IRFIB8N50KPBF
MOSFET N-CH 500V 6.7A TO220-3
Vishay Siliconix
0
现货
停产
-
管件
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
500 V
6.7A(Tc)
10V
350 毫欧 @ 4A,10V
5V @ 250µA
89 nC @ 10 V
±30V
2160 pF @ 25 V
-
45W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
通孔
TO-220-3
TO-220-3 全封装,隔离接片
TO-220FP
STF8NK85Z
MOSFET N-CH 850V 6.7A TO220FP
STMicroelectronics
0
现货
停产
管件
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
850 V
6.7A(Tc)
10V
1.4 欧姆 @ 3.35A,10V
4.5V @ 100µA
60 nC @ 10 V
±30V
1870 pF @ 25 V
-
35W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
通孔
TO-220FP
TO-220-3 整包
TO-220-3
STP8NK85Z
MOSFET N-CH 850V 6.7A TO220AB
STMicroelectronics
0
现货
停产
管件
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
850 V
6.7A(Tc)
10V
1.4 欧姆 @ 3.35A,10V
4.5V @ 100µA
60 nC @ 10 V
±30V
1870 pF @ 25 V
-
150W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
通孔
TO-220
TO-220-3
TO-220F
FQPF9N25
MOSFET N-CH 250V 6.7A TO220F
onsemi
0
现货
停产
管件
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
250 V
6.7A(Tc)
10V
420 毫欧 @ 3.35A,10V
5V @ 250µA
20 nC @ 10 V
±30V
700 pF @ 25 V
-
45W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
通孔
TO-220F-3
TO-220-3 整包
显示
/ 26

6.7A(Tc) 单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。