6.1A（Ta），18A（Tc） 单 FET，MOSFET

结果 : 4
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Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
功率耗散（最大值）
1.2W（Ta）3.2W
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制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
PowerDI3333-8
DMPH6050SFGQ-7
MOSFET P-CH 60V PWRDI3333
Diodes Incorporated
11,323
现货
3,108,000
工厂
1 : ¥7.06000
剪切带（CT）
2,000 : ¥2.91251
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
6.1A（Ta），18A（Tc）
4.5V，10V
50 毫欧 @ 7A，10V
3V @ 250µA
24.1 nC @ 10 V
±20V
1293 pF @ 30 V
-
1.2W（Ta）
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
POWERDI3333-8
8-PowerVDFN
PowerDI3333-8
DMPH6050SFGQ-13
MOSFET P-CH 60V PWRDI3333
Diodes Incorporated
8,995
现货
180,000
工厂
1 : ¥7.22000
剪切带（CT）
3,000 : ¥2.99157
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
6.1A（Ta），18A（Tc）
4.5V，10V
50 毫欧 @ 7A，10V
3V @ 250µA
24.1 nC @ 10 V
±20V
1293 pF @ 30 V
-
1.2W（Ta）
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
POWERDI3333-8
8-PowerVDFN
MOSFET BVDSS: 41V-60V POWERDI333
DMPH6050SFG-13
MOSFET BVDSS: 41V-60V POWERDI333
Diodes Incorporated
0
现货
21,000
工厂
查看交期
3,000 : ¥1.96280
卷带（TR）
-
卷带（TR）
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
6.1A（Ta），18A（Tc）
4.5V，10V
50 毫欧 @ 7A，10V
3V @ 250µA
24.1 nC @ 10 V
±20V
1293 pF @ 30 V
-
3.2W
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
表面贴装型
-
-
MOSFET BVDSS: 41V-60V POWERDI333
DMPH6050SFG-7
MOSFET BVDSS: 41V-60V POWERDI333
Diodes Incorporated
0
现货
12,000
工厂
查看交期
2,000 : ¥1.96280
卷带（TR）
-
卷带（TR）
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
6.1A（Ta），18A（Tc）
4.5V，10V
50 毫欧 @ 7A，10V
3V @ 250µA
24.1 nC @ 10 V
±20V
1293 pF @ 30 V
-
3.2W
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
表面贴装型
-
-
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6.1A（Ta），18A（Tc） 单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。