5A（Ta），15A（Tc） 单 FET，MOSFET

结果 : 2
制造商
Infineon TechnologiesPanjit International Inc.
系列
-OptiMOS™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
60 V75 V
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V7V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
45 毫欧 @ 8A，10V48 毫欧 @ 5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.5V @ 250µA3.5V @ 8µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
6 nC @ 10 V22 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
390 pF @ 37.5 V1256 pF @ 30 V
功率耗散（最大值）
2W（Ta），20W（Tc）2.2W（Ta），18W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-40°C ~ 150°C（TJ）
供应商器件封装
DFN3333-8MG-WDSON-2，CanPAK M™
封装/外壳
3-WDSON8-PowerVDFN
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
2结果
应用的筛选条件 删除全部
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/ 2
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
DFN3333-8
PJQ4465AP-AU_R2_000A1
60V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Panjit International Inc.
5,090
现货
1 : ¥4.84000
剪切带（CT）
5,000 : ¥1.74627
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
5A（Ta），15A（Tc）
4.5V，10V
48 毫欧 @ 5A，10V
2.5V @ 250µA
22 nC @ 10 V
±20V
1256 pF @ 30 V
-
2W（Ta），20W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
DFN3333-8
8-PowerVDFN
BSF450NE7NH3XUMA1
BSF450NE7NH3XUMA1
MOSFET N-CH 75V 5A/15A 2WDSON
Infineon Technologies
0
现货
查看交期
1 : ¥13.30000
剪切带（CT）
5,000 : ¥5.75471
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
75 V
5A（Ta），15A（Tc）
7V，10V
45 毫欧 @ 8A，10V
3.5V @ 8µA
6 nC @ 10 V
±20V
390 pF @ 37.5 V
-
2.2W（Ta），18W（Tc）
-40°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
MG-WDSON-2，CanPAK M™
3-WDSON
显示
/ 2

5A（Ta），15A（Tc） 单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。