5.9A(Ta) 单 FET,MOSFET

结果 : 14
制造商
Alpha & Omega Semiconductor Inc.Diodes IncorporatedonsemiTexas InstrumentsToshiba Semiconductor and StorageVishay Siliconix
系列
-FemtoFET™TrenchFET®U-MOSVI-H
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)
产品状态
停产在售
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压(Vdss)
8 V12 V20 V30 V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
1.2V,4.5V1.8V,4.5V2V,4.5V2.5V,10V4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
23 毫欧 @ 2A,4.5V23 毫欧 @ 7.9A,4.5V23 毫欧 @ 8A,10V25 毫欧 @ 1.5A,4.5V27 毫欧 @ 5.9A,4.5V27 毫欧 @ 900mA,10V29 毫欧 @ 5A,4.5V45 毫欧 @ 5.9A,10V50 毫欧 @ 5.9A,10V60 毫欧 @ 3A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
800mV @ 250µA900mV @ 250µA1V @ 250µA1.4V @ 250µA1.7V @ 250µA2V @ 250µA2.2V @ 250µA2.3V @ 100µA2.7V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
4.8 nC @ 10 V5.1 nC @ 10 V6.7 nC @ 4.5 V10 nC @ 4.5 V26 nC @ 10 V32 nC @ 4.5 V33 nC @ 4.5 V40 nC @ 10 V50 nC @ 4.5 V110 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±5V±8V±10V±12V±20V20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
300 pF @ 10 V380 pF @ 15 V532 pF @ 10 V720 pF @ 15 V950 pF @ 15 V2800 pF @ 10 V
功率耗散(最大值)
500mW(Ta)700mW(Ta)1.1W(Ta)1.1W(Ta),2.7W(Tc)1.3W(Ta)1.31W(Ta)1.4W1.4W(Ta)2.5W(Ta)3W(Ta)
工作温度
-65°C ~ 150°C(TJ)-55°C ~ 150°C(TJ)150°C(TJ)
等级
-汽车级
资质
-AEC-Q101
供应商器件封装
3-PICOSTAR4-Microfoot4-WLCSP(1.6x1.6)6-TSOP8-SOIC1206-8 ChipFET™SOT-223-4SOT-23-3VS-6(2.9x2.8)
封装/外壳
3-SMD,无引线4-UFBGA4-UFBGA,WLCSP8-SMD,扁平引线8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)SC-74,SOT-457SOT-23-6 细型,TSOT-23-6TO-236-3,SC-59,SOT-23-3TO-261-4,TO-261AA
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
14结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
30,380
现货
1 : ¥3.28000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.10074
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
5.9A(Ta)
4.5V,10V
45 毫欧 @ 5.9A,10V
2.2V @ 250µA
26 nC @ 10 V
±20V
720 pF @ 15 V
-
2.5W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
6-TSOP
SC-74,SOT-457
CSDxxxxxF5x
CSD17585F5
MOSFET N-CH 30V 5.9A 3PICOSTAR
Texas Instruments
51,519
现货
1 : ¥3.69000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.98843
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
5.9A(Ta)
4.5V,10V
27 毫欧 @ 900mA,10V
1.7V @ 250µA
5.1 nC @ 10 V
20V
380 pF @ 15 V
-
500mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
3-PICOSTAR
3-SMD,无引线
SOT-23-3
DMN2050L-7
MOSFET N-CH 20V 5.9A SOT23-3
Diodes Incorporated
5,928
现货
1,857,000
工厂
1 : ¥3.69000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.99221
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
5.9A(Ta)
2V,4.5V
29 毫欧 @ 5A,4.5V
1.4V @ 250µA
6.7 nC @ 4.5 V
±12V
532 pF @ 10 V
-
1.4W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
CSDxxxxxF5x
CSD17585F5T
MOSFET N-CH 30V 5.9A 3PICOSTAR
Texas Instruments
18,730
现货
1 : ¥7.72000
剪切带(CT)
250 : ¥3.40708
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
5.9A(Ta)
4.5V,10V
27 毫欧 @ 900mA,10V
1.7V @ 250µA
5.1 nC @ 10 V
20V
380 pF @ 15 V
-
500mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
3-PICOSTAR
3-SMD,无引线
4-xFBGA
SI8425DB-T1-E1
MOSFET P-CH 20V 4WLCSP
Vishay Siliconix
3,102
现货
1 : ¥4.68000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.77239
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
5.9A(Ta)
1.8V,4.5V
23 毫欧 @ 2A,4.5V
900mV @ 250µA
110 nC @ 10 V
±10V
2800 pF @ 10 V
-
1.1W(Ta),2.7W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
4-WLCSP(1.6x1.6)
4-UFBGA,WLCSP
SOT-23-3
DMN2050LQ-7
MOSFET N-CH 20V 5.9A SOT23
Diodes Incorporated
0
现货
33,000
工厂
查看交期
3,000 : ¥1.31847
卷带(TR)
-
卷带(TR)
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
5.9A(Ta)
2V,4.5V
29 毫欧 @ 5A,4.5V
1.4V @ 250µA
6.7 nC @ 4.5 V
±12V
532 pF @ 10 V
-
1.4W
-55°C ~ 150°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
Pkg 5547
SI5473DC-T1-E3
MOSFET P-CH 12V 5.9A 1206-8
Vishay Siliconix
0
现货
3,000 : ¥3.50871
卷带(TR)
卷带(TR)
停产
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
12 V
5.9A(Ta)
1.8V,4.5V
27 毫欧 @ 5.9A,4.5V
1V @ 250µA
32 nC @ 4.5 V
±8V
-
-
1.3W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
1206-8 ChipFET™
8-SMD,扁平引线
8-SOIC
SI4346DY-T1-E3
MOSFET N-CH 30V 5.9A 8SO
Vishay Siliconix
0
现货
停产
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
5.9A(Ta)
2.5V,10V
23 毫欧 @ 8A,10V
2V @ 250µA
10 nC @ 4.5 V
±12V
-
-
1.31W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-SOIC
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
Pkg 5540
SI3473DV-T1-E3
MOSFET P-CH 12V 5.9A 6TSOP
Vishay Siliconix
0
现货
停产
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
停产
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
12 V
5.9A(Ta)
1.8V,4.5V
23 毫欧 @ 7.9A,4.5V
1V @ 250µA
33 nC @ 4.5 V
±8V
-
-
1.1W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
6-TSOP
SOT-23-6 细型,TSOT-23-6
SOT223-3L
NDT454P
MOSFET P-CH 30V 5.9A SOT223-4
onsemi
0
现货
停产
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
停产
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
5.9A(Ta)
4.5V,10V
50 毫欧 @ 5.9A,10V
2.7V @ 250µA
40 nC @ 10 V
±20V
950 pF @ 15 V
-
3W(Ta)
-65°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-223-4
TO-261-4,TO-261AA
Pkg 5540
SI3473DV-T1-GE3
MOSFET P-CH 12V 5.9A 6TSOP
Vishay Siliconix
0
现货
停产
卷带(TR)
停产
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
12 V
5.9A(Ta)
1.8V,4.5V
23 毫欧 @ 7.9A,4.5V
1V @ 250µA
33 nC @ 4.5 V
±8V
-
-
1.1W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
6-TSOP
SOT-23-6 细型,TSOT-23-6
8-SOIC
SI4346DY-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 5.9A 8SO
Vishay Siliconix
0
现货
停产
卷带(TR)
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
5.9A(Ta)
2.5V,10V
23 毫欧 @ 8A,10V
2V @ 250µA
10 nC @ 4.5 V
±12V
-
-
1.31W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-SOIC
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
0
现货
停产
卷带(TR)
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
5.9A(Ta)
4.5V,10V
60 毫欧 @ 3A,10V
2.3V @ 100µA
4.8 nC @ 10 V
±20V
300 pF @ 10 V
-
700mW(Ta)
150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
VS-6(2.9x2.8)
SOT-23-6 细型,TSOT-23-6
4Microfoot
SI8439DB-T1-E1
MOSFET P-CH 8V 4MICROFOOT
Vishay Siliconix
0
现货
停产
卷带(TR)
剪切带(CT)
停产
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
8 V
5.9A(Ta)
1.2V,4.5V
25 毫欧 @ 1.5A,4.5V
800mV @ 250µA
50 nC @ 4.5 V
±5V
-
-
1.1W(Ta),2.7W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
4-Microfoot
4-UFBGA
显示
/ 14

5.9A(Ta) 单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。