5.4A 单 FET，MOSFET

结果 : 2
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
产品状态
停产在售
漏源电压（Vdss）
20 V30 V
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
1.8V，4.5V4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
35.4 毫欧 @ 5A，10V60 毫欧 @ 2.7A，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
900mV @ 250µA3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
15 nC @ 4.5 V16.2 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±10V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
740 pF @ 4 V915 pF @ 15 V
功率耗散（最大值）
1.56W2W
供应商器件封装
DFN2020-6LESOT-23-6L
封装/外壳
6-VDFN 裸露焊盘SOT-23-6
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
2结果
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/ 2
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT 23-6
SIL2305B-TP
P-CHANNEL MOSFET,SOT23-6L
Micro Commercial Co
5,955
现货
1 : ¥3.20000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.71245
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
5.4A
1.8V，4.5V
60 毫欧 @ 2.7A，4.5V
900mV @ 250µA
15 nC @ 4.5 V
±10V
740 pF @ 4 V
-
2W
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23-6L
SOT-23-6
0
现货
停产
-
卷带（TR）
停产
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
5.4A
4.5V，10V
35.4 毫欧 @ 5A，10V
3V @ 250µA
16.2 nC @ 10 V
±20V
915 pF @ 15 V
-
1.56W
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
DFN2020-6LE
6-VDFN 裸露焊盘
显示
/ 2

5.4A 单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。